Поздравляем зав.лаб. технологии керамик Болдина М.С. с защитой кандидатской диссертации!

Читать далее
07.06.2019

Поздравляем сотрудников Отдела №2 с победой в конкурсе РФФИ (конкурс "мк", тема 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»)

Читать далее
03.06.2019

Поздравляем аспирантов Отдела №5 с победой на 24й Нижегородской сессии молодых ученых (технические, естественные, математические науки)

Читать далее
28.05.2019

Cеминар "Photonics at Skoltech – from fundamentals to applications" ("Фотоника в Сколтехе - от основ к приложениям") состоится 24 мая 2019 г., в 14 ч.

Читать далее
22.05.2019

Младший научный сотрудник Юрий Кузнецов стал победителем фестиваля "Иннобизнес: Умные технологии", проводившегося 14 мая 2019 г. в ННГУ.

Читать далее
16.05.2019

Установка для электроимпульсного плазменного спекания DR. SINTER Model SPS-625

 (производства «SPS SYNTEX, INC.», Япония)

Установка ЭИПС

Установка ЭИПС


Назначение: экспериментальное производство и разработка новых материалов, в том числе наноструктурированных металлов, сплавов, керамик, композитов, а также функциональных анизотропных материалов, редкоземельных магнитных сплавов и интерметаллических соединений и др.

 

Характеристики установки:

-   Температура спекания: до 2400 0С

-   Скорость нагрева: до 500 0С/мин.

-   Усилие пресса: 5 - 100 кН

-   Импульсный ток: до 5000 А

-    Длительность импульса: 3,3 мс

-    Защитная среда: вакуум или инертный газ

 

     Основная идея метода электроимпульсного плазменного спекания (ЭИП) порошковых материалов состоит в высокоскоростном нагреве порошкового материала в вакууме путем пропускания последовательностей импульсов постоянного тока через образец и пресс-форму с одновременным приложением гидростатического давления. Метод ЭИП спекания порошковых материалов характеризуется чрезвычайно высокими скоростями протекания процесса усадки. Главной отличительной особенностью метода является неравновесность процессов, происходящих при спекании материалов. ЭИП спекание образцов происходит с большим выигрышем во времени и практически всегда наблюдается снижение температуры спекания. Сокращение времени и снижение температуры спекания существенно уменьшают интенсивность роста зерен в материале. Это имеет принципиальное значение для спекания наноструктурных материалов.

Металлы Fe; Cu; Al; Au; Ag; Ni; Cr; Mo; Sn; Ti; W; Be; Ir; и другие металлы.

Сплавы W-Ni-Fe; W-Cu; Ni-49Ti; Fe-5Mn; Ti-6Al-4V; Ti-Al-B; Al-Si-Cu-Fe и др.

Керамики (оксиды, карбиды, нитриды,бориды, фториды)
Al2O3; Y2O3; ZrO2; SiO2; TiO2; HfO2; MgO; ZnO; SnO2; SiC; B4C; TaC; TiC; WC; ZrC; VC; Si3N4; TaN; TiN; AlN; ZrN; VN; CNx; TiB2; HfB2; LaB6; ZrB2; VB2; MgB2; LiF; CaF2; MgF2

Металлокерамики и композиты Si3N4 + SiC; BN + Fe; Ti + TiB + TiB2; YSZ; (Na1-xKx)NbO3 + PbTiO3; Al2O3 + Ni; Al2O3 + TiC; Al2O3 + SUS; Al2O3 + Nd2Ti2O7; Al2O3 + SiC; Al2O3 + GdAlO3; Al2O3 + Ti3SiC2;Al2O3 + C; ZrO2 + Ni, ZrO2 + SUS,ZrO2 + Y2O3; ZrO2 + Al2O3 + TiC0.5N0.5; WC/Co + SUS; WC/Co + Fe

Функциональные материалыTiAl; MoSi2; Si3Zr5; NiAl; NbCo; NbAl; LaBaCuO4; Sm2Co17; Nd-Fe-B; (Bi, Sb)2Te3; BaTiO3; BaZrO3; Al-Al3Ti; SiC + MoSi2; SiC + HfB2; SiC + AlN