Сменар Малинкиной Ю.Ю. (ЦНИИ КМ Прометей) по материалам кандидатской диссертации (22.01.2021 г.)

Читать далее
18.01.2021

Сводные данные о результатах СОУТ и перечень мероприятий по улучшению условий труда

Читать далее
15.01.2021

Парк науки ННГУ "Лобачевский Lab" приглашает всех на научно-популярный фестиваль "Холодный Weekend" (23-24 января 2021 г.)

Читать далее
12.01.2021

Поздравляем аспирантов и молодых ученых с получением Стипендий Президента РФ!

Читать далее
29.12.2020

Поздравляем аспирантов с Разуваевскими стипендиями!

Читать далее
28.12.2020

Рентгеновский монокристальный дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVER (XRD) для исследования тонкопленочных структур

(Bruker, Германия)

 

Назначение: прецизионные исследования, контроль качества, разработка новых технологий изготовления тонких пленок (толщиной от 1 нм), эпитаксиальных слоев, материалов для микро и наноэлектроники.

 

Характеристики установки:

В поликристаллических объектах рентгенодифракционный анализ позволяет:

  • проведение фазового анализа (идентификация веществ по данным о межплоскостных расстояниях и определение их соотношений в смеси)
  • определение параметров элементарной ячейки индивидуальных соединений
  • определение типа и состава твердого раствора
  • определение размеров областей когерентного рассеяния (блоков мозаики)

 

В монокристаллических образцах (в том числе в образцах, представляющих собой эпитаксиальные слои и гетероструктуры) XRD обеспечивает возможность оценить следующие параметры:

  • определение ориентировки кристалла
  • определение периода идентичности в определенном кристаллографии-ческом направлении
  • толщины слов
  • степень структурного совершенства (дефектность)
  • период сверхрешётки
  • состав твёрдого раствора
  • качество (гладкость) интерфейсов
  • напряжение решётки.

 

На дифрактометре D8 DISCOVER методом рентгеновской рефлектометрии исследуется:

  • шероховатость поверхностей и границ раздела сред (типичный размер неоднородностей – менее 5 нм),
  • толщину слоя материала (обычно для слоев тоньше 200 нм),
  • распределение плотности электронов,
  • внутреннее строение сложных структур.