18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Лаборатория подготовки поверхности полупроводников и твердых тел

Лаборатория подготовки поверхности полупроводников и твердых тел была организована в мае 1971 г. на базе участка механической обработки полупроводников, химической лаборатории и группы фотолитографии НИФТИ. Целью создания научно - производственной лаборатории было обеспечение фундаментальных научных исследований института по физике и технике полупроводников высококачественными пластинами и подложками и одновременно для проведения основных технологических процессов – газофазной МОС-гидридной эпитаксии, молекулярно - лучевой эпитаксии, ионно - лучевого и диффузионного легирования, нанесения диэлектрических пленок (оксидных, нитридных, оксинитридных, углеродных и др. слоев), создания локальных скрытых и наноструктурированных областей в полупроводниках и др. Вместе с тем, лаборатория была призвана разрабатывать новые методы физико - химической обработки полупроводниковых материалов и соединений и совершенствовать известные технологические процессы. Научными руководителями лаборатории были докт. хим. наук, проф. Виктор Александрович Перевощиков (до 2006 г.) и канд. хим. наук Евгений Сергеевич Леонов (по настоящее время).

Сейчас основной задачей лаборатории является выполнение ряда технологических работ в рамках исследований, проводимых в лабораториях Института (подготовка поверхности полупроводниковых пластин для проведения эпитаксии, фотолитография, химическое травление и др.). Лаборатория тесно сотрудничает со всеми лабораториями отдела №2. В настоящее время проводится реорганизация лаборатории, приобретение нового технологического оборудования, разработка научных проектов.

В результате исследований, проводившихся в лаборатории, были разработаны:

  • физико-химические основы процессов абразивно-химической обработки поверхности Si, Ge и полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Изучены кинетика и механизмы химико-динамического полирования кремния и других полупроводниковых материалов, в частности: диффузионное химическое полирование, диффузионно-кинетическое и химико-динамическое (в зависимости от вида и скорости гидродинамического движения травителя) по способу вращающегося диска;
  • устройства и составы травителей для изотропного, анизотропного и селективного травления полупроводников;
  • методы и технологические приемы по низкотемпературному геттерированию дефектов в полупроводниках;
  • составы и технологии химико-механического полирования поверхности полупроводников (безабразивное; совмещенное и др.);

Большинство научных результатов (объектов интеллектуальной собственности), полученных в лаборатории, защищены отечественными и зарубежными патентами (более 100) и научными публикациями.

Практическое использование полученных результатов

Результаты научных исследований (интеллектуальной деятельности) лаборатории внедрены в технологические процессы и операции в НИФТИ ННГУ, в учебно - образовательный процесс студентов физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского; в академические и отраслевые НИИ г. Москвы, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода и др. (НИИ прикладной физики, г. Москва; г. Зеленоград, г. Фрязино, ИРЭ РАН; НПО "Светлана"; НПО "Кварц" и др.); представлены в научных статьях, монографиях, учебных и методических пособиях, а также в отраслевых стандартах и справочниках.

 

 

Основные направления научных исследований лаборатории подготовки поверхностей:

1) Исследование физико-химических закономерностей процессов абразивно-химических обработок поверхности монокристаллов кремния, германия и полупроводниковых соединений типа A3B5. Исследование механизмов дефектообразования и структурно - нарушенных слоев в кристаллах;

2) Исследование кинетики процессов растворения, химического травления и химико-динамического полирования поверхности подложек полупроводников; разработка способов и устройств для реализации гидродинамических условий вращающегося диска при химической обработке монокристаллов;

3) Исследование процессов низкотемпературного геттерирования примесей и дефектов в полупроводниках.

 

Кадровый состав лаборатории подготовки поверхностей

Леонов Евгений Сергеевич

 

Основные научные проекты лаборатории подготовки поверхностей

 

№ п/п

Название темы, шифр

Наименование работы

Руководитель

темы

Срок выполнения 

начало/окончание

1.

Проведение работ по изготовлению опытных образцов пластин поликора с нанесенной топологией

Хоз. договор №1109-2.3

Леонов Е.С.

1.03.2011 г. / 21.12.2011 г.

 

Основные публикации лаборатории подготовки поверхностей

Монографии и учебные пособия

1. Gettering Defects in Semiconductors / V.A. Perevostchicov, V.D. Scupov // Springer Berlin Heidelberg. 2005. – 400 pp.

2. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Перевощиков В.А., Луфт Б.Д., Возмилова Л.Н. // Монография. М.: Изд-во ”Радио и связь” 1982. -136с.

3. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников / Перевощиков В.А., Скупов В.Д.// Монография. Н. Новгород: Изд-во ННГУ. 1992. -200с.

4. Физико-химические основы технологии обработки поверхности полупроводников / Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Учебное пособие. Н.Новгород: Изд-во ННГУ, 1997 -254с.

5. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках / Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2002.

 

Публикации в журналах

1. Вторичные эффекты в кристаллах полупроводников при абразивных и химических обработках поверхности / Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Известия Академии инженерных наук РФ. 2004. т.7. №1. – 28 – 34 с.

2. Получение релаксированных Si1-xGex/Si(001) буферных слоев с малой шероховатостью поверхности / Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Новиков А.В., Перевощиков В.А., Шалеев М.В. // Микроэлектроника. 2005. т. 34, №4. – с. 243-250.

3. А. И. Орлова, А. Е. Канунов, Е. Н. Горшкова, А. Н. Шушунов, С. Н. Плескова, Э. Р. Михеева, Д. О. Савиных, Е. С. Леонов СИНТЕЗ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И БИОСОВМЕСТИМОСТЬ КАЛЬЦИЙ- И ЛАНТАНОИД-СОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ NaZr2(PO4)3 //НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ, 2012, том 48, № 12, с. 1365–1371

 

Оборудование лаборатории подготовки поверхностей

 

1. Механическая обработка полупроводниковых материалов

- установка дисковой резки

-  шлифовальный станок СПШ-2

- полировально-доводочный станок 2ПД-200

- установка химико-механической полировки

2. Химическая обработка полупроводниковых материалов

3. Фотолитография

- установка совмещения и экспонирования УСП-02

- установка совмещения и экспонирования ЭМ 5026

- установка нанесения фоторезиста Sawatec SM-180BT

- установка сушки и задубливания фоторезиста HP-150

- микроскоп «Leica» DM 4000М

4. Гальваническое нанесение металлов

- гальваническое нанесение меди

- гальваническое нанесение никеля

- гальваническое нанесение олова

- гальваническое нанесение золота