Коллектив под руководством зав.лаб. Нохрина А.В. стал победителем конкурса РФФИ-Росатом

Читать далее
30.05.2020

Поздравляем зав. лаб. Нохрина А.В. с победой в конкурсе Российского научного фонда

Читать далее
10.04.2020

28 февраля 2020 года, в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится заседание Ученого совета НИФТИ ННГУ

Читать далее
26.02.2020

Зав. лаб. Болдин М.С. был награжден Почетной грамотой Министерства образования, науки и молодежной политики Нижегородской области за достигнутые результаты в развитии научно-образовательного комплекса Нижегородской области

Читать далее
11.02.2020

Рентгеновский монокристальный дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVER (XRD) для исследования тонкопленочных структур

(Bruker, Германия)

 

Назначение: прецизионные исследования, контроль качества, разработка новых технологий изготовления тонких пленок (толщиной от 1 нм), эпитаксиальных слоев, материалов для микро и наноэлектроники.

 

Характеристики установки:

В поликристаллических объектах рентгенодифракционный анализ позволяет:

  • проведение фазового анализа (идентификация веществ по данным о межплоскостных расстояниях и определение их соотношений в смеси)
  • определение параметров элементарной ячейки индивидуальных соединений
  • определение типа и состава твердого раствора
  • определение размеров областей когерентного рассеяния (блоков мозаики)

 

В монокристаллических образцах (в том числе в образцах, представляющих собой эпитаксиальные слои и гетероструктуры) XRD обеспечивает возможность оценить следующие параметры:

  • определение ориентировки кристалла
  • определение периода идентичности в определенном кристаллографии-ческом направлении
  • толщины слов
  • степень структурного совершенства (дефектность)
  • период сверхрешётки
  • состав твёрдого раствора
  • качество (гладкость) интерфейсов
  • напряжение решётки.

 

На дифрактометре D8 DISCOVER методом рентгеновской рефлектометрии исследуется:

  • шероховатость поверхностей и границ раздела сред (типичный размер неоднородностей – менее 5 нм),
  • толщину слоя материала (обычно для слоев тоньше 200 нм),
  • распределение плотности электронов,
  • внутреннее строение сложных структур.