В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с А.Михайловым, зав. лабораторией физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ
В НИФТИ ННГУ с использованием ионной имплантации разработан уникальный УФ-детектор нечувствительный к солнцу (solar-blind photodetector)
В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с М. Денисенко, зав. лабораторией Теории наноструктур НИФТИ ННГУ
Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет аспирантов физического факультета ННГУ - сотрудников НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2018-2019 учебный год!
Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет своих сотрудников - молодых кандидатов наук с победой в Президентской программе исследовательских проектов РНФ!
Система для исследования гальваномагнитных и оптических свойств полупроводниковых структур
на базе гелиевого криостата замкнутого цикла Janis CCS-300S/202 (Janis Research Company, США).
Назначение: исследование гальваномагнитных свойств, эффекта Холла, магниторезистивного эффекта, электро- и фотолюминесценции структур полупроводниковой спинтроники.
Объекты исследования: полупроводниковые гетеронаноструктуры
Оптическая часть установки включает в себя:
- монохроматор МДР-3
- оптический немагнитный стол Standa (Литва),
- фотоприемное устройство с Ge ПЗС линейкой TorLabs (США),
- фотоприемное устройство InGaAs ПЗС линейка Hamamatsu (Япония).
Возможно проведение исследований (электролюминесценции, фотолюминесценции) в диапазоне длин волн 0.7 - 4 мкм.
Для исследования гальваномагнитных свойств установка содержит:
- электромагнит (напряженность магнитного поля до 4000 Э) позволяющий осуществлять развертку по магнитному полю,
- источник - измеритель Keithley 2400 (США),
- источник - измеритель Agilent U2722A (США),
- вспомогательное оборудования для автоматизации процессов исследования.
Криостат Janis 300S позволяет осуществлять исследования оптических и транспортных свойств при низких температурах.
Характеристики криостата:
- Диапазон температур: 10 – 295 К
- Точность установки температуры: 100 мК