РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

Университет Лобачевского впервые вошел в международный рейтинг Times Higher Education Subject Rankings 2020 года по направлению "Инженерные науки и технологии"

Читать далее
17.10.2019

Заведующий лабораторией Михайлов А.Н. принял участие в международном форуме "Микроэлектроника 2019"

Читать далее
09.10.2019

Поздравляем инженеров отдела №5 НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение Стипендий Президента РФ и Правительства РФ на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
02.10.2019

Система для исследования гальваномагнитных и оптических свойств полупроводниковых структур

 на базе гелиевого криостата замкнутого цикла Janis CCS-300S/202 (Janis Research Company, США).

 

Установка для исследования гальваномагнитных свойств

Janis CCS-300S 

 

Назначение: исследование гальваномагнитных свойств, эффекта Холла, магниторезистивного эффекта, электро- и фотолюминесценции структур полупроводниковой спинтроники.

 

Объекты исследования: полупроводниковые гетеронаноструктуры

 

Оптическая часть установки включает в себя:

  • монохроматор МДР-3
  • оптический немагнитный стол Standa (Литва),
  • фотоприемное устройство с Ge ПЗС линейкой TorLabs (США),
  • фотоприемное устройство InGaAs ПЗС линейка Hamamatsu (Япония).

Возможно проведение исследований (электролюминесценции, фотолюминесценции) в диапазоне длин волн 0.7 - 4 мкм.

 

Для исследования гальваномагнитных свойств установка содержит:

  • электромагнит (напряженность магнитного поля до 4000 Э) позволяющий осуществлять развертку по магнитному полю,
  • источник - измеритель Keithley 2400 (США),
  • источник - измеритель Agilent U2722A (США),
  • вспомогательное оборудования для автоматизации процессов исследования.

 

Криостат Janis 300S позволяет осуществлять исследования оптических и транспортных свойств при низких температурах.

Характеристики криостата:

  • Диапазон температур: 10 – 295 К
  • Точность установки температуры: 100 мК