Коллектив молодых ученых под руководством д.ф.-м.н. Дорохина М.В. стал победителем конкурса РФФИ ("Стабильность")

Читать далее
03.12.2019

Объявление о семинаре М.А. Моховикова (Белорусский государственный университет)

Читать далее
25.11.2019

Молодые ученые НИФТИ ННГУ стали лауреатами Стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
22.11.2019

РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

Дорохин Михаил Владимирович

 

Заведующий Лабораторией спиновой и оптической электроники

 

  

Учёная степень (учёное звание) 

 

Доктор физико-математических наук 

 

Адрес:

 

603950, г. Нижний Новгород, просп. Гагарина 23, корп.3

 

Область научных интересов:

 

Спиновая электроника, термоэлектрические материалы, физика ферромагнитных полупроводников, светоизлучающие диоды, наноструктуры и нанотехнологии

 

 

Ключевые научные публикации:

 

1.Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based   on InGaAs–GaAs quantum well heterostructures / N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy,   M.J.M. Gomes, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, V.D.   Kulakovskii, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, and S.V. Zaitsev // Appl. Phys.   Lett. - 2006. - V.89. - P.181118.

2. EmissionpropertiesofInGaAs/GaAsheterostructureswithdelta   < Mn >-dopedbarrier / M.V. Dorokhin,   Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii,   O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov   // J. ofPhys. D-Appl. Phys.   – 2008. – V. 41 – P. 24.

3. Светоизлучающий диод / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин,   С.В. Зайцев, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский, М.М. Прокофьева / Патент   Российской Федерации № 2400866, приоритет 22.05.2009, опубликовано   27.09.2010. Бюл. № 27.

4. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой   инжекцией / М.В. Дорохин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б.   Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И.   Малышева // Физика   твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып.10. - С. 2062-2065.

5. Optically controlled spin-polarization memory effect on   Mn delta-doped heterostructures / M.A.G. Balanta, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa,   U.C. Mendes, J.A. Brum, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, B. N.   Zvonkov // Nature. Scientific Reports. - 2016. - V.6. - P.24537.

6. Термоэлектрические эффекты в   наноразмерных слоях силицида марганца / И.В. Ерофеева, М.В. Дорохин, В.П.   Лесников, Ю.М. Кузнецов, А.В. Здоровейщев, Е.А. Питиримова // Физика и   техника полупроводников. – 2017. – Т.51, В.11. – С.1456-1461.

7. Investigation of the initial stages of   sparkplasma sintering of Si–Ge based thermoelectric materials / M.V.   Dorokhin, I.V. Erofeeva, Yu. M. Kuznetsov, M. S. Boldin, A.V. Boryakov, A. A.   Popov, E. A. Lantsev, N.V. Sakharov, P. B. Demina, A.V. Zdoroveyshchev, V. N.   Trushin // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. – 2018. – V.9, I.5.   – P.0-8.

 

Дополнительная информация

Родился 23.11.1981 в г. Якутске.

В 1999 г. поступил на физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

В 2004 г. получил диплом с отличием, в этом же году поступил в очную аспирантуру на физический факультет ННГУ (научный руководитель: Данилов Юрий Александрович).

В 2007 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.

C марта 2014 года - заведующий лабораторией Спиновой и оптической электроники (лаборатория 2.8) НИФТИ ННГУ, являлся и является руководителем и исполнителем проектов РФФИ, ФЦП, грантов Президента РФ.

В 2016 году защитил диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

С 2007 по 2012 год работал по совместительству ассистентом (ст.преподавателем, доцентом) кафедры Физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ).

С 2017 года — доцент кафедры Физического материаловедения ННГУ. Ведет лекционные и практические занятия по курсу «Функциональные материалы» для магистров 1-го года обучения кафедры физического материаловедения.