Поздравляем научного сотрудника Ирину Калентьеву с получением гранта Президента РФ для молодых ученых-кандидатов наук!
Поздравляем коллектив лаборатории теории наноструктур НИФТИ ННГУ под руководством М.В. Денисенко с победой в конкурсе РФФИ!
Коллектив молодых ученых под руководством д.ф.-м.н. Дорохина М.В. стал победителем конкурса РФФИ ("Стабильность")
Объявление о семинаре М.А. Моховикова (Белорусский государственный университет)
Молодые ученые НИФТИ ННГУ стали лауреатами Стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2019/2020 учебный год!
Данилов Юрий Александрович
ведущий научный сотрудник Лаборатории спиновой и оптической электроники, к.ф.-м.н. (1979 г.), с.н.с. (1986 г.)
Дата рождения – 19 января 1946 года
Область научных интересов: ионная имплантация, материалы и структуры спинтроники
Основные достижения: в 1995 – 2000 г.г. выполнил цикл исследований по ионно-имплантационной изоляции арсенида галлия и структур на его основе. Методика, предложенная нами для этих исследований, используется всеми, кто изучает эффекты воздействия ионной имплантации на электрические свойства полупроводников А3В5. Опубликованные по этому вопросу статьи имеют высокие индексы цитирования. С 2001 г. по настоящее время занимается исследованием материалов и структур спинтроники на основе полупроводников А3В5. Разработал и читает курс «Спинтроника» для студентов старших курсов физического факультета ННГУ. Под его научным руководством защищены, в рамках направления «Спинтроника», две кандидатских диссертации (2007 г. – М.В. Дорохин, 2009 г. – А.В. Кудрин).
Основные публикации:
1) de Souza, J.P. Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation: The role of antisite defects / J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V.68, n.4. – P.535-537.
2) Electrical activation of carbon in GaAs: Implantation temperature effects / I. Danilov, J.P. de Souza, A.V. Murel, M.A.A. Pudenzi // Appl.Phys.Letters. – 2001. - V.78, n.12. – P.1700-1702.
3) Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца / Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt // Физика твердого тела. – 2005. - Т.47, в.9. - С.1567-1570.
4) Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P.035006_1-5.