Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет своих сотрудников - молодых кандидатов наук с победой в Президентской программе исследовательских проектов РНФ!

Читать далее
03.07.2018

22 июня 2018 г., в 16:30, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенное рабочее совещание по термоэлектрическим материалам

Читать далее
21.06.2018

Специалистами НИФТИ ННГУ совместно с учеными химического факультета ННГУ разработаны новые композиционные керамические материалы "керамика-металл" и "керамика-керамика" для реакторов нового поколения и иммобилизации высокоактивных компонент радиоактивных отходов.

Читать далее
18.06.2018

НИФТИ ННГУ приглашает Вас принять участие в работе VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», которая состоится с 7 по 9 ноября 2018 года в Нижегородском государственном университете имени Н.И. Лобачевского (ННГУ).

Читать далее
10.06.2018

Данилов Юрий Александрович

Данилов Ю.А.

ведущий научный сотрудник Лаборатории спиновой и оптической электроники, к.ф.-м.н. (1979 г.), с.н.с. (1986 г.)

Дата рождения – 19 января 1946 года

Область научных интересов: ионная имплантация, материалы и структуры спинтроники

     Основные достижения: в 1995 – 2000 г.г. выполнил цикл исследований по ионно-имплантационной изоляции арсенида галлия и структур на его основе. Методика, предложенная нами для этих исследований, используется всеми, кто изучает эффекты воздействия ионной имплантации на электрические свойства полупроводников А3В5. Опубликованные по этому вопросу статьи имеют высокие индексы цитирования. С 2001 г. по настоящее время занимается исследованием материалов и структур спинтроники на основе полупроводников А3В5. Разработал и читает курс «Спинтроника» для студентов старших курсов физического факультета ННГУ. Под его научным руководством защищены, в рамках направления «Спинтроника», две кандидатских диссертации (2007 г. – М.В. Дорохин, 2009 г. – А.В. Кудрин).

Основные публикации:

1) de Souza, J.P. Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation: The role of antisite defects / J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V.68, n.4. – P.535-537.

2) Electrical activation of carbon in GaAs: Implantation temperature effects / I. Danilov, J.P. de Souza, A.V. Murel, M.A.A. Pudenzi // Appl.Phys.Letters. – 2001. - V.78, n.12. – P.1700-1702.

3) Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца / Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt // Физика твердого тела. – 2005. - Т.47, в.9. - С.1567-1570.

4) Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P.035006_1-5.