Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
16.11.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

 

Читать далее
16.11.2016

17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!

Читать далее
16.06.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
26.04.2016

Данилов Юрий Александрович

Данилов Ю.А.

ведущий научный сотрудник Лаборатории спиновой и оптической электроники, к.ф.-м.н. (1979 г.), с.н.с. (1986 г.)

Дата рождения – 19 января 1946 года

Область научных интересов: ионная имплантация, материалы и структуры спинтроники

     Основные достижения: в 1995 – 2000 г.г. выполнил цикл исследований по ионно-имплантационной изоляции арсенида галлия и структур на его основе. Методика, предложенная нами для этих исследований, используется всеми, кто изучает эффекты воздействия ионной имплантации на электрические свойства полупроводников А3В5. Опубликованные по этому вопросу статьи имеют высокие индексы цитирования. С 2001 г. по настоящее время занимается исследованием материалов и структур спинтроники на основе полупроводников А3В5. Разработал и читает курс «Спинтроника» для студентов старших курсов физического факультета ННГУ. Под его научным руководством защищены, в рамках направления «Спинтроника», две кандидатских диссертации (2007 г. – М.В. Дорохин, 2009 г. – А.В. Кудрин).

Основные публикации:

1) de Souza, J.P. Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation: The role of antisite defects / J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V.68, n.4. – P.535-537.

2) Electrical activation of carbon in GaAs: Implantation temperature effects / I. Danilov, J.P. de Souza, A.V. Murel, M.A.A. Pudenzi // Appl.Phys.Letters. – 2001. - V.78, n.12. – P.1700-1702.

3) Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца / Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt // Физика твердого тела. – 2005. - Т.47, в.9. - С.1567-1570.

4) Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P.035006_1-5.