20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с А.Михайловым, зав. лабораторией физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ

Читать далее
16.08.2018

В НИФТИ ННГУ с использованием ионной имплантации разработан уникальный УФ-детектор нечувствительный к солнцу (solar-blind photodetector)

Читать далее
14.08.2018

Данилов Юрий Александрович

Данилов Ю.А.

ведущий научный сотрудник Лаборатории спиновой и оптической электроники, к.ф.-м.н. (1979 г.), с.н.с. (1986 г.)

Дата рождения – 19 января 1946 года

Область научных интересов: ионная имплантация, материалы и структуры спинтроники

     Основные достижения: в 1995 – 2000 г.г. выполнил цикл исследований по ионно-имплантационной изоляции арсенида галлия и структур на его основе. Методика, предложенная нами для этих исследований, используется всеми, кто изучает эффекты воздействия ионной имплантации на электрические свойства полупроводников А3В5. Опубликованные по этому вопросу статьи имеют высокие индексы цитирования. С 2001 г. по настоящее время занимается исследованием материалов и структур спинтроники на основе полупроводников А3В5. Разработал и читает курс «Спинтроника» для студентов старших курсов физического факультета ННГУ. Под его научным руководством защищены, в рамках направления «Спинтроника», две кандидатских диссертации (2007 г. – М.В. Дорохин, 2009 г. – А.В. Кудрин).

Основные публикации:

1) de Souza, J.P. Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation: The role of antisite defects / J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V.68, n.4. – P.535-537.

2) Electrical activation of carbon in GaAs: Implantation temperature effects / I. Danilov, J.P. de Souza, A.V. Murel, M.A.A. Pudenzi // Appl.Phys.Letters. – 2001. - V.78, n.12. – P.1700-1702.

3) Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца / Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt // Физика твердого тела. – 2005. - Т.47, в.9. - С.1567-1570.

4) Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P.035006_1-5.