НИФТИ ННГУ приглашает Вас принять участие в работе VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», которая состоится с 7 по 9 ноября 2018 года в Нижегородском государственном университете имени Н.И. Лобачевского (ННГУ).

Читать далее
10.06.2018

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
16.11.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

 

Читать далее
16.11.2016

17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!

Читать далее
16.06.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
26.04.2016

Лаборатория спиновой и оптической электроники

 

     Лаборатория спиновой и оптической электроники была создана 1 марта 2014 года в результате реорганизации "Лаборатории эпитаксиальной технологии". Лабораторию возглавил к.ф.-м.н. Михаил Владимирович Дорохин. С момента образования лаборатории ее научная деятельность в основном связана с совершенствованием и разработкой технологий создания новых полупроводниковых и интерметаллических наноматериалов для применения в приборах спинтроники и оптоэлектроники, исследованием спин-зависимых физических явлений в полупроводниках, интерметаллических сплавах и в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник.

     В своей научной и научно-педагогической работе лаборатория тесно связана с кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники, а также рядом других кафедр физического факультета ННГУ и лабораториями НИФТИ. Коллектив лаборатории тесно сотрудничает с научными и научно-техническими организациями как в России, так и за рубежом с целью поиска потенциальных потребителей научно-технической продукции.

 

 

 

 

 

 

Основные направления научных исследований лаборатории спиновой и оптической электроники:

1) Фундаментальные исследования в области спинтроники

2) Разработка и исследование новых приборов спинтроники и оптоэлектроники на основе квантово-размерных наноструктур и ферромагнитных нанослоев

 

 

 

 

  Кадровый состав лаборатории спиновой и оптической электроники:

Дорохин М.В. – заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.

Данилов Ю.А. – ведущий научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

Вихрова О.В. – старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Здоровейщев А.В. – старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Кудрин А.В. – научный сотрудник, к.ф.-м.н., старший преподаватель кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ

Ерофеева И.В. – научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Лесников В.П. – научный сотрудник

Малышева Е.И. –научный сотрудник

Демина П.Б. – младший научный сотрудник

Калентьева И.Л. – младший научный сотрудник

 

 

 

  Основные научные проекты лаборатории спиновой и оптической электроники:

п/п

Название темы

Источник финансиро-вания

Руководитель

темы

Срок выполнения

1

Исследование свойств и изготовление полупроводни-ковых структур для приборов наноэлектроники

Базовый бюджет ФТ-2

Данилов Ю.А.

1.01.2012 -

31.12.2014

2

Исследование оптических, электронных и магнитных свойств микро- и наноразмерных структур на основе оксидов, полупроводников IV группы и полупроводников A3B5

Базовый бюджет ФТ-3

Тетельбаум Д.И.

Горшков О.Н.

Данилов Ю.А.

01.01.2011 -

31.12.2015

3

Арсенид-галлиевая гетеронаноструктура с локальным легированием магнитной примесью как базовый элемент приборов полупроводниковой спинтроники

Грант РФФИ

13-07-00982а

Данилов Ю.А.

01.01.2013 – 31.12.2014

4

Исследование процессов спиновой инжекции в полупроводниковых квантово-размерных структурах

Грант РФФИ

13-02-97140-р-Поволжье-а

Данилов Ю.А.

01.01.2013 – 31.12.2014

5

Оптоэлектронные приборы на спин-поляризованных носителях. Спиновый оптрон

Грант Президента РФ № МК-2708.2013.2

Дорохин М.В.

01.02.2013 – 30.11.2014

6

Применение гетеропереходов 1 и 2 рода для создания источников циркулярно-поляризованного света с повышенной эффективностью спиновой инжекции

Грант РФФИ

14-07-31280 мол_а

Малышева Е.И.

01.01.2014 – 31.12.2015

 

 

 

 

Основные публикации лаборатории спиновой и оптической электроники:

2014г.

1.         Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy / S. Levichev , N.S. Volkova , A.P. Gorshkov , A.V. Zdoroveishev, O.V. Vikhrova , E.V. Utsyna, L.A. Istomin, B.N. Zvonkov // Journal of Luminescence. – 2014. – V.147. – P.59-62.

2.         Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs / О.В. Вихрова, М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, И.Л. Калентьева // Письма в ЖТФ. – 2014. – Т.40, В.20. – C.96-103.

3.         Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом / М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков // Журнал технической физики.– 2014. – Т.84, В.12. – C.102-106.

4.         Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions / A.V. Kudrin, A.V. Shvetsov, Yu.A. Danilov, A.A. Timopheev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, N.A. Sobolev // Phys.Rev.B – 2014. – V.90. – P.024415.

5.         Chemical and Phase Composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs Spin LightEmitting Diodes / D.E. Nikolichev, A.V. Boryakov, S.Yu. Zubkov, R.N. Kryukov, M.V. Dorokhin, A.V. Kudrin // Semiconductors – 2014. – V.48, N.6. – P.815-820.

6.         Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых  наногетеросистемах на основе GaAs / А.И. Бобров, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Е.Д. Павлова // Известия РАН. Серия физическая. – 2014. – Т.78, №1. – С.18-21.

7.         Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства / И.Л. Калентьева, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, П.А. Юнин // Известия РАН. Серия физическая. – 2014. – Т.78, №1. – С.24-29.

8.         Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией / М.В. Дорохин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б. Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева // Физика твердого тела. – 2014. – Т.56, В.10. – C.2062-2065.

9.         Effects of alloy disorder and confinement on phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: A microscopic modeling/ A.S. Vasin, O.V. Vikhrova, M.I. Vasilevskiy // Journal of Applied Physics – 2014. – V.115. – P.143505.

10.       Volume nanophase hardening in single-crystal nickel alloy ZhS36-VI [001] after high-temperature holds / V.P. Kuznetsov, V.P. Lesnikov, I.P. Konakova, N.A. Popov // Metal Science and Heat Treatment – 2014. – V.56 – P.171-174.

11. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures / S.V. Morozov, D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, V.Ya. Aleshkin, Z.F. Krasilnik, B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova // Appl.Phys. Lett. – 2014. – V.104. – P.021108.

 

 2013 г.

Учебно-методическое пособие:

Павлов, Д.А. Эффект Холла. Практикум / Д.А. Павлов, С.М. Планкина, А.В. Кудрин // Фонд образовательных электронных ресурсов ННГУ, 2013. http://www.unn.ru/books/met_files/Hall%20Effect.pdf, регистрационный номер 576.13.05.

 

Статьи:

1.  Свойства гетероструктур MnSb/GaAs / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев. А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2013. – Т.77, в.1. – С.79-81.

2.  Compensation effect on the CW spin-polarization degree of Mn-based structures / M.A.G. Balanta, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, U.C. Mendes, J.A. Brum, M.Z. Maialle, Yu.A. Danilov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2013. – V.46. – N.215103. - P.1-6.

3.  Phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: microscopic modeling/ A.S. Vasin, O.V. Vikhrova, M.I. Vasilevskiy //Phys. Status Solidi C. - 2013. – V.10, n.4. - P.701-704.

4.  Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А.П. Горшков, Н.С. Волкова, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, И.А. Полова // Известия РАН. Серия физическая. – 2013. – Т.77, в.1. - С.61-63.

5.  Нелинейность и гистерезис в продольном переносе тока в осажденных из лазерной плазмы слоях сплава Ge:(Mn, Al)/GaAs / Е.С. Демидов, С.Н. Гусев, В.В. Карзанов, В.В. Сдобняков, Л.И. Бударин, А.А. Тронов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, Е.В. Скопин // Вестник ННГУ. - 2013. - В.2. – С.39-44.

6.  Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs / Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев, М.Н. Дроздов, С.И. Суродин // Вестник ННГУ. – 2013. – В.1. – С.48-52.

7.  Нелинейность и гистерезис в продольном переносе тока в осажденных из лазерной плазмы слоях сплава CoSi/GaAs / Е.С. Демидов, С.Н. Гусев, В.В. Подольский, В.П. Лесников, В.В. Сдобняков, Л.И. Бударин, А.А. Тронов, Е.В. Скопин // Физика твердого тела. - 2013. - Т.55, в.7. - C.1310-1314.

8.  Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs /Волкова Н.С., Горшков А.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н.// ФТП. 2013.- том 47, вып. 12.- C.1609-1612.

9.  Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb/А.И. Бобров, Е.Д. Павлова, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова //Физика и техника полупроводников.- 2013.- том 47, вып. 12.-C.1613-1616.

10. Фотоотражение структур с дельта <Mn>-легированным слоем / О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов // ПЖТФ, 2013, том 39, выпуск 22, с. 56-63.

 

 2012 г.

Учебно-методические пособия: 

  1. Дорохин М.В., Кудрин А.В. Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур. Учебно-методическое пособие. Электронное издание ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2012. – 80 с. http://www.unn.ru/books/met_files/Posobie_Dorokhin-Kudrin.pdf
  2. Дорохин М.В., Кудрин А.В. Расчет и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером. Учебно-методическое пособие. Электронное издание ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2012. http://www.unn.ru/books/met_files/Dorokhin_Kudrin.pdf

 

Статьи:

1.         Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих электромагнитные включения / Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. // Изв.Рос.ак.наук. Сер.физическая. – 2012. – Т.76, № 2. – С.255.

2.         Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb / Дoрохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. // Письма в ЖТФ. – 2012. – Т.38, №16. – С.69-77.

3.         GaMnSb/InGaAs/GaAs heterostructure leds with a ferromagnetic injector layer / Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishev A.V., Danilov Y.A., Kudrin A.V. // Semiconductors – 2012 – V.46, I.12 P.1518-1523.

4.         A magnetically controlled LED with S-shaped current-voltage characteristic / Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Y.A. // Technical Physics Letters – 2012 – V.38, I.11 P.1045-1047.

5.         Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb ferromagnetic injector layer / Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokof'eva M.M., Zvonkov B.N. // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena – 2012 – V.190 P.89-92.

6.         Features of the formation of Mn doped InAs/GaAs quantum dots by vapor phase epitaxy / Dorokhin M.V., Zdoroveishev A.V., Malysheva E.I., Danilov Y.A., Zvonkov B.N., Sholina A.E // Journal of Surface Investigation – 2012 – V.6, I.3 P.511-514.

7.         Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники / Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, С.М. Планкина, В.С. Дунаев, А.В. Нежданов, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников // Изв. РАН. Сер. Физ. – 2012. – Т.76, в.2. – С.199-201.

8.         Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2012. – В.6. – С.51-54.

9.         Состав и структурное совершенство нанослоев (AIII,Mn)BV и MnBV, где A – Ga, In; B – Sb, As, P / В.С. Дунаев, Б.Н. Звонков, Ю.А. Данилов, О.В. Вихрова, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.И. Сучков // Неорганические материалы. – 2012. – Т.48, в.6. – С.643-648.

10.       Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью / Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1527-1531.

 

 2016 г.

Учебно-методические пособия: 

  

1. Измерение теплопроводности методом 3w: Авторы: Дорохин М.В., Ерофеева И.В., Кузнецов Ю.М. Практикум. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2016. – 18 c.

 

 Оборудование лаборатории спиновой и оптической электроники:

 

 

 

 

 

Премии и награды сотрудников лаборатории спиновой и оптической электроники:

2014г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Калентьева И.Л.

Диплом за лучший доклад на VII Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика материалов и наноструктур", 15-19 сентября 2014г., Рязань.

2.

Сайед С.

Диплом за лучший доклад на Двадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20), 27 марта - 3 апреля 2014г., Ижевск.

 

2013г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Ведь М.В.

Диплом за лучший доклад на всероссийской молодежной школе-семинаре «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г., Рязань.

2.

Сайед С.

Диплом за лучший доклад на всероссийской молодежной школе-семинаре «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г., Рязань.

 

2012г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Здоровейщев А.В.

Диплом за лучший доклад на V Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур – Нанодиагностика-2012». Рязань, РГРТУ, 2012г.

2.

Калентьева И.Л.

Диплом за лучший доклад на V Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур – Нанодиагностика-2012». Рязань, РГРТУ, 2012г.