18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Лаборатория спиновой и оптической электроники

 

     Лаборатория спиновой и оптической электроники была создана 1 марта 2014 года в результате реорганизации "Лаборатории эпитаксиальной технологии". Лабораторию возглавил к.ф.-м.н. Михаил Владимирович Дорохин. С момента образования лаборатории ее научная деятельность в основном связана с совершенствованием и разработкой технологий создания новых полупроводниковых и интерметаллических наноматериалов для применения в приборах спинтроники и оптоэлектроники, исследованием спин-зависимых физических явлений в полупроводниках, интерметаллических сплавах и в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник.

     В своей научной и научно-педагогической работе лаборатория тесно связана с кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники, а также рядом других кафедр физического факультета ННГУ и лабораториями НИФТИ. Коллектив лаборатории тесно сотрудничает с научными и научно-техническими организациями как в России, так и за рубежом с целью поиска потенциальных потребителей научно-технической продукции.

 

 

 

 

 

 

Основные направления научных исследований лаборатории спиновой и оптической электроники:

1) Фундаментальные исследования в области спинтроники

2) Разработка и исследование новых приборов спинтроники и оптоэлектроники на основе квантово-размерных наноструктур и ферромагнитных нанослоев

 

 

 

 

  Кадровый состав лаборатории спиновой и оптической электроники:

Дорохин М.В. – заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.

Данилов Ю.А. – ведущий научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

Вихрова О.В. – старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Здоровейщев А.В. – старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Кудрин А.В. – научный сотрудник, к.ф.-м.н., старший преподаватель кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ

Ерофеева И.В. – научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Лесников В.П. – научный сотрудник

Малышева Е.И. –научный сотрудник

Демина П.Б. – младший научный сотрудник

Калентьева И.Л. – младший научный сотрудник

 

 

 

  Основные научные проекты лаборатории спиновой и оптической электроники:

п/п

Название темы

Источник финансиро-вания

Руководитель

темы

Срок выполнения

1

Исследование свойств и изготовление полупроводни-ковых структур для приборов наноэлектроники

Базовый бюджет ФТ-2

Данилов Ю.А.

1.01.2012 -

31.12.2014

2

Исследование оптических, электронных и магнитных свойств микро- и наноразмерных структур на основе оксидов, полупроводников IV группы и полупроводников A3B5

Базовый бюджет ФТ-3

Тетельбаум Д.И.

Горшков О.Н.

Данилов Ю.А.

01.01.2011 -

31.12.2015

3

Арсенид-галлиевая гетеронаноструктура с локальным легированием магнитной примесью как базовый элемент приборов полупроводниковой спинтроники

Грант РФФИ

13-07-00982а

Данилов Ю.А.

01.01.2013 – 31.12.2014

4

Исследование процессов спиновой инжекции в полупроводниковых квантово-размерных структурах

Грант РФФИ

13-02-97140-р-Поволжье-а

Данилов Ю.А.

01.01.2013 – 31.12.2014

5

Оптоэлектронные приборы на спин-поляризованных носителях. Спиновый оптрон

Грант Президента РФ № МК-2708.2013.2

Дорохин М.В.

01.02.2013 – 30.11.2014

6

Применение гетеропереходов 1 и 2 рода для создания источников циркулярно-поляризованного света с повышенной эффективностью спиновой инжекции

Грант РФФИ

14-07-31280 мол_а

Малышева Е.И.

01.01.2014 – 31.12.2015

 

 

 

 

Основные публикации лаборатории спиновой и оптической электроники:

2014г.

1.         Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy / S. Levichev , N.S. Volkova , A.P. Gorshkov , A.V. Zdoroveishev, O.V. Vikhrova , E.V. Utsyna, L.A. Istomin, B.N. Zvonkov // Journal of Luminescence. – 2014. – V.147. – P.59-62.

2.         Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs / О.В. Вихрова, М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, И.Л. Калентьева // Письма в ЖТФ. – 2014. – Т.40, В.20. – C.96-103.

3.         Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом / М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков // Журнал технической физики.– 2014. – Т.84, В.12. – C.102-106.

4.         Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions / A.V. Kudrin, A.V. Shvetsov, Yu.A. Danilov, A.A. Timopheev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, N.A. Sobolev // Phys.Rev.B – 2014. – V.90. – P.024415.

5.         Chemical and Phase Composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs Spin LightEmitting Diodes / D.E. Nikolichev, A.V. Boryakov, S.Yu. Zubkov, R.N. Kryukov, M.V. Dorokhin, A.V. Kudrin // Semiconductors – 2014. – V.48, N.6. – P.815-820.

6.         Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых  наногетеросистемах на основе GaAs / А.И. Бобров, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Е.Д. Павлова // Известия РАН. Серия физическая. – 2014. – Т.78, №1. – С.18-21.

7.         Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства / И.Л. Калентьева, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, П.А. Юнин // Известия РАН. Серия физическая. – 2014. – Т.78, №1. – С.24-29.

8.         Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией / М.В. Дорохин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б. Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева // Физика твердого тела. – 2014. – Т.56, В.10. – C.2062-2065.

9.         Effects of alloy disorder and confinement on phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: A microscopic modeling/ A.S. Vasin, O.V. Vikhrova, M.I. Vasilevskiy // Journal of Applied Physics – 2014. – V.115. – P.143505.

10.       Volume nanophase hardening in single-crystal nickel alloy ZhS36-VI [001] after high-temperature holds / V.P. Kuznetsov, V.P. Lesnikov, I.P. Konakova, N.A. Popov // Metal Science and Heat Treatment – 2014. – V.56 – P.171-174.

11. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures / S.V. Morozov, D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, V.Ya. Aleshkin, Z.F. Krasilnik, B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova // Appl.Phys. Lett. – 2014. – V.104. – P.021108.

 

 2013 г.

Учебно-методическое пособие:

Павлов, Д.А. Эффект Холла. Практикум / Д.А. Павлов, С.М. Планкина, А.В. Кудрин // Фонд образовательных электронных ресурсов ННГУ, 2013. http://www.unn.ru/books/met_files/Hall%20Effect.pdf, регистрационный номер 576.13.05.

 

Статьи:

1.  Свойства гетероструктур MnSb/GaAs / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев. А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2013. – Т.77, в.1. – С.79-81.

2.  Compensation effect on the CW spin-polarization degree of Mn-based structures / M.A.G. Balanta, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, U.C. Mendes, J.A. Brum, M.Z. Maialle, Yu.A. Danilov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2013. – V.46. – N.215103. - P.1-6.

3.  Phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: microscopic modeling/ A.S. Vasin, O.V. Vikhrova, M.I. Vasilevskiy //Phys. Status Solidi C. - 2013. – V.10, n.4. - P.701-704.

4.  Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А.П. Горшков, Н.С. Волкова, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, И.А. Полова // Известия РАН. Серия физическая. – 2013. – Т.77, в.1. - С.61-63.

5.  Нелинейность и гистерезис в продольном переносе тока в осажденных из лазерной плазмы слоях сплава Ge:(Mn, Al)/GaAs / Е.С. Демидов, С.Н. Гусев, В.В. Карзанов, В.В. Сдобняков, Л.И. Бударин, А.А. Тронов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, Е.В. Скопин // Вестник ННГУ. - 2013. - В.2. – С.39-44.

6.  Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs / Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев, М.Н. Дроздов, С.И. Суродин // Вестник ННГУ. – 2013. – В.1. – С.48-52.

7.  Нелинейность и гистерезис в продольном переносе тока в осажденных из лазерной плазмы слоях сплава CoSi/GaAs / Е.С. Демидов, С.Н. Гусев, В.В. Подольский, В.П. Лесников, В.В. Сдобняков, Л.И. Бударин, А.А. Тронов, Е.В. Скопин // Физика твердого тела. - 2013. - Т.55, в.7. - C.1310-1314.

8.  Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs /Волкова Н.С., Горшков А.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н.// ФТП. 2013.- том 47, вып. 12.- C.1609-1612.

9.  Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb/А.И. Бобров, Е.Д. Павлова, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова //Физика и техника полупроводников.- 2013.- том 47, вып. 12.-C.1613-1616.

10. Фотоотражение структур с дельта <Mn>-легированным слоем / О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов // ПЖТФ, 2013, том 39, выпуск 22, с. 56-63.

 

 2012 г.

Учебно-методические пособия: 

  1. Дорохин М.В., Кудрин А.В. Гальваномагнитные и оптические методы исследования полупроводниковых наноструктур. Учебно-методическое пособие. Электронное издание ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2012. – 80 с. http://www.unn.ru/books/met_files/Posobie_Dorokhin-Kudrin.pdf
  2. Дорохин М.В., Кудрин А.В. Расчет и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером. Учебно-методическое пособие. Электронное издание ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2012. http://www.unn.ru/books/met_files/Dorokhin_Kudrin.pdf

 

Статьи:

1.         Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих электромагнитные включения / Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. // Изв.Рос.ак.наук. Сер.физическая. – 2012. – Т.76, № 2. – С.255.

2.         Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb / Дoрохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. // Письма в ЖТФ. – 2012. – Т.38, №16. – С.69-77.

3.         GaMnSb/InGaAs/GaAs heterostructure leds with a ferromagnetic injector layer / Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishev A.V., Danilov Y.A., Kudrin A.V. // Semiconductors – 2012 – V.46, I.12 P.1518-1523.

4.         A magnetically controlled LED with S-shaped current-voltage characteristic / Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Y.A. // Technical Physics Letters – 2012 – V.38, I.11 P.1045-1047.

5.         Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb ferromagnetic injector layer / Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokof'eva M.M., Zvonkov B.N. // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena – 2012 – V.190 P.89-92.

6.         Features of the formation of Mn doped InAs/GaAs quantum dots by vapor phase epitaxy / Dorokhin M.V., Zdoroveishev A.V., Malysheva E.I., Danilov Y.A., Zvonkov B.N., Sholina A.E // Journal of Surface Investigation – 2012 – V.6, I.3 P.511-514.

7.         Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники / Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, С.М. Планкина, В.С. Дунаев, А.В. Нежданов, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников // Изв. РАН. Сер. Физ. – 2012. – Т.76, в.2. – С.199-201.

8.         Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2012. – В.6. – С.51-54.

9.         Состав и структурное совершенство нанослоев (AIII,Mn)BV и MnBV, где A – Ga, In; B – Sb, As, P / В.С. Дунаев, Б.Н. Звонков, Ю.А. Данилов, О.В. Вихрова, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.И. Сучков // Неорганические материалы. – 2012. – Т.48, в.6. – С.643-648.

10.       Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью / Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1527-1531.

 

 2016 г.

Учебно-методические пособия: 

  

1. Измерение теплопроводности методом 3w: Авторы: Дорохин М.В., Ерофеева И.В., Кузнецов Ю.М. Практикум. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2016. – 18 c.

 

 Оборудование лаборатории спиновой и оптической электроники:

 

 

 

 

 

Премии и награды сотрудников лаборатории спиновой и оптической электроники:

2014г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Калентьева И.Л.

Диплом за лучший доклад на VII Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика материалов и наноструктур", 15-19 сентября 2014г., Рязань.

2.

Сайед С.

Диплом за лучший доклад на Двадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20), 27 марта - 3 апреля 2014г., Ижевск.

 

2013г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Ведь М.В.

Диплом за лучший доклад на всероссийской молодежной школе-семинаре «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г., Рязань.

2.

Сайед С.

Диплом за лучший доклад на всероссийской молодежной школе-семинаре «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г., Рязань.

 

2012г.

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Здоровейщев А.В.

Диплом за лучший доклад на V Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур – Нанодиагностика-2012». Рязань, РГРТУ, 2012г.

2.

Калентьева И.Л.

Диплом за лучший доклад на V Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур – Нанодиагностика-2012». Рязань, РГРТУ, 2012г.