18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Звонков Борис Николаевич

Звонков Б.Н.

 Ведущий научный сотрудник НИФТИ ННГУ, к.ф.-м.н. (1970 г.), с.н.с. (1985 г.)

 Дата рождения – 4 ноября 1940 года.

Область научных интересов: исследование процессов эпитаксиального выращивания нано-размерных гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками, разработка технологии создания лазеров и светодиодов на основе соединений А3В5.

            Под руководством Б.Н. Звонкова в 1986 г в НИФТИ ННГУ была образована лаборатория эпитаксиальной технологии. Благодаря усилиям и стараниям Б.Н. Звонкова была разработана и собрана уникальная установка эпитаксиального роста и  реализован новый метод создания наноструктур на основе полупроводников A3B5.  Указанный метод выращивания гетеронаноструктур A3B5 сочетает в себе МОС-гидридную эпитаксию и лазерное распыление вещества из твердой мишени в одном реакторе. Возможность введения широкого ряда примесей позволила получить конструкции лазерных наноструктур со свойствами, отвечающими последним мировым достижениям оптоэлектроники.  Начиная  с 1993 года, в лаборатории осуществляется изготовление опытных образцов многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетеронаноструктур InGaAs/GaAs/InGaP. Позднее была успешно реализована разработка лазеров с  одномодовым режимом генерации и узкой диаграммой направленности и предложены способы создания полупроводниковых лазерных источников дальнего ИК диапазона, для которого в  настоящее время очень мало эффективных излучателей. Так впервые была продемонстрирована принципиальная возможность генерации разностной частоты (соответствующей дальнему  ИК диапазону) на двухчиповом полупроводниковом лазере. В настоящее время  деятельность Б.Н. Звонкова посвящена  научным разработкам в направлении расширения частотного диапазона, улучшения «качества» излучения, увеличения мощности и надежности лазеров.

            Б.Н. Звонков внес важный вклад в развитие в НИФТИ такого актуального научного направления как спиновая электроника. Начиная с 2001 года в лаборатории эпитаксиальной технологии успешно ведутся работы по получению комбинированным методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления субмикронных слоев разбавленных магнитных полупроводников и исследованию их свойств.

            Б.Н. Звонков является соавтором более чем 230 научных работ. Под руководством Б.Н. Звонкова выполняются курсовые, дипломные работы и проводится лабораторная работа по МОС-гидридной эпитаксии для студентов старших курсов и магистрантов физического факультета ННГУ.

            Б.Н. Звонков пользуется заслуженным авторитетом у российских и зарубежных коллег и является наставником и учителем нескольких поколений научных сотрудников, работающих в НИФТИ ННГУ и других институтах. 

 

Основные публикации:

[1]. Легирование GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии из эрозионной лазерной плазмы/Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. // Высокочистые вещества.- 1993, №4.- C.114-121.

[2]. Лазеры с длиной волны излучения 0,98 мкм на основе гетероструктуры InGaP/GaAs/InGaAs, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии / И.А. Авруцкий, Л.М. Батуков, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, И.Г. Малкина, Л.В. Медведев, Т.Н. Янькова // Квантовая электроника. –  1994. – Т. 21, № 10. – С. 921-924.

[3]. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами / И.А. Авруцкий, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Н.Б. Звонков, И.Г. Малкина, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. -  1997. – Т.24, № 2. – С. 123-126.

[4]. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B.N.Zvonkov, A.A.Biryukov, A.V.Ershov, S.M.Nekorkin, V.Ya.Aleshkin, V.I.Gavrilenko, A.A.Dubinov, K.V.Maremyanin, S.V.Morozov, A.A.Belyanin, V.V.Kocharovsky, and Vl.V.Kocharovsky // Appl.Phys.Lett. -  2008. – Vol.92, - P. 021122.

[5]. Ферромагнетизм в слоях GaMnAs, нанесенных методом лазерной эпитаксии / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Б.Н. Звонков, В.И. Ковалев, З.Э. Кунькова, В.В. Подольский, М.В. Сапожников, А.И. Сучков, М.П. Темирязева // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2007. - Т.71, в.1. - С.37-39.

[6]. Circularly polarized electroluminescence in LED heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and Mn d-layer / S.V. Zaitsev, V.D. Kulakovskii, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Sapozhnikov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov // Physica E. – 2009. – V.41, n.4. – P.652-654.