В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с А.Михайловым, зав. лабораторией физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ

Читать далее
16.08.2018

В НИФТИ ННГУ с использованием ионной имплантации разработан уникальный УФ-детектор нечувствительный к солнцу (solar-blind photodetector)

Читать далее
14.08.2018

В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с М. Денисенко, зав. лабораторией Теории наноструктур НИФТИ ННГУ

Читать далее
07.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет аспирантов физического факультета ННГУ - сотрудников НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2018-2019 учебный год!

Читать далее
03.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет своих сотрудников - молодых кандидатов наук с победой в Президентской программе исследовательских проектов РНФ!

Читать далее
03.07.2018

Звонков Борис Николаевич

Звонков Б.Н.

 Ведущий научный сотрудник НИФТИ ННГУ, к.ф.-м.н. (1970 г.), с.н.с. (1985 г.)

 Дата рождения – 4 ноября 1940 года.

Область научных интересов: исследование процессов эпитаксиального выращивания нано-размерных гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками, разработка технологии создания лазеров и светодиодов на основе соединений А3В5.

            Под руководством Б.Н. Звонкова в 1986 г в НИФТИ ННГУ была образована лаборатория эпитаксиальной технологии. Благодаря усилиям и стараниям Б.Н. Звонкова была разработана и собрана уникальная установка эпитаксиального роста и  реализован новый метод создания наноструктур на основе полупроводников A3B5.  Указанный метод выращивания гетеронаноструктур A3B5 сочетает в себе МОС-гидридную эпитаксию и лазерное распыление вещества из твердой мишени в одном реакторе. Возможность введения широкого ряда примесей позволила получить конструкции лазерных наноструктур со свойствами, отвечающими последним мировым достижениям оптоэлектроники.  Начиная  с 1993 года, в лаборатории осуществляется изготовление опытных образцов многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетеронаноструктур InGaAs/GaAs/InGaP. Позднее была успешно реализована разработка лазеров с  одномодовым режимом генерации и узкой диаграммой направленности и предложены способы создания полупроводниковых лазерных источников дальнего ИК диапазона, для которого в  настоящее время очень мало эффективных излучателей. Так впервые была продемонстрирована принципиальная возможность генерации разностной частоты (соответствующей дальнему  ИК диапазону) на двухчиповом полупроводниковом лазере. В настоящее время  деятельность Б.Н. Звонкова посвящена  научным разработкам в направлении расширения частотного диапазона, улучшения «качества» излучения, увеличения мощности и надежности лазеров.

            Б.Н. Звонков внес важный вклад в развитие в НИФТИ такого актуального научного направления как спиновая электроника. Начиная с 2001 года в лаборатории эпитаксиальной технологии успешно ведутся работы по получению комбинированным методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления субмикронных слоев разбавленных магнитных полупроводников и исследованию их свойств.

            Б.Н. Звонков является соавтором более чем 230 научных работ. Под руководством Б.Н. Звонкова выполняются курсовые, дипломные работы и проводится лабораторная работа по МОС-гидридной эпитаксии для студентов старших курсов и магистрантов физического факультета ННГУ.

            Б.Н. Звонков пользуется заслуженным авторитетом у российских и зарубежных коллег и является наставником и учителем нескольких поколений научных сотрудников, работающих в НИФТИ ННГУ и других институтах. 

 

Основные публикации:

[1]. Легирование GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии из эрозионной лазерной плазмы/Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. // Высокочистые вещества.- 1993, №4.- C.114-121.

[2]. Лазеры с длиной волны излучения 0,98 мкм на основе гетероструктуры InGaP/GaAs/InGaAs, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии / И.А. Авруцкий, Л.М. Батуков, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, И.Г. Малкина, Л.В. Медведев, Т.Н. Янькова // Квантовая электроника. –  1994. – Т. 21, № 10. – С. 921-924.

[3]. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами / И.А. Авруцкий, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Н.Б. Звонков, И.Г. Малкина, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. -  1997. – Т.24, № 2. – С. 123-126.

[4]. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B.N.Zvonkov, A.A.Biryukov, A.V.Ershov, S.M.Nekorkin, V.Ya.Aleshkin, V.I.Gavrilenko, A.A.Dubinov, K.V.Maremyanin, S.V.Morozov, A.A.Belyanin, V.V.Kocharovsky, and Vl.V.Kocharovsky // Appl.Phys.Lett. -  2008. – Vol.92, - P. 021122.

[5]. Ферромагнетизм в слоях GaMnAs, нанесенных методом лазерной эпитаксии / О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Б.Н. Звонков, В.И. Ковалев, З.Э. Кунькова, В.В. Подольский, М.В. Сапожников, А.И. Сучков, М.П. Темирязева // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2007. - Т.71, в.1. - С.37-39.

[6]. Circularly polarized electroluminescence in LED heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and Mn d-layer / S.V. Zaitsev, V.D. Kulakovskii, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Sapozhnikov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov // Physica E. – 2009. – V.41, n.4. – P.652-654.