Область научных интересов: полупроводники A3B5, МОС-гидридная эпитаксия, гетероструктуры, квантово-размерные структуры, спинтроника (спиновые светоизлучающие диоды, разбавленные магнитные полупроводники).

Родился 16 октября 1990г. в Алтайском крае. В 2012г. окончил физический факультет ННГУ им. Н.И. Лобачевского с присвоением степени бакалавра техники и технологий по направлению "наноэлектроника". С 2012г. по настоящее время - студент магистратуры дневного отделения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского. В 2013г. принят на работу в НИФТИ ННГУ в лабораторию эпитаксиальной технологии.

Основные публикации:

Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/ М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, Б. Н. Звонков / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, - 2014, № 5, с.1–7.
Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAs<Mn> / А.В. Рыков, М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов / Вестник ННГУ. - поступила в редакцию.
Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов / М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев, А.В. Рыков, Б.Н. Звонков / Труды XVII Международного симпозиума. - Нижний Новгород, 2013, с.116.