Поздравляем студентов и аспирантов с успешным выступлением на XXVI Нижегородской сессии молодых ученых!

Читать далее
02.06.2021

Семинар Яковлевой Е.А. (ЦНИИ КМ Прометей) по материалам кандидатской диссертации (18.05.2021 г.)

Читать далее
17.05.2021

Опубликованы результаты исследований уникального полупроводника, выполненные коллективом НИФТИ ННГУ совместно с зарубежными партнерами

Читать далее
07.04.2021

Рыков Артем Владимирович

Рыков А.В.

Инженер лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ

 

Область научных интересов: полупроводники A3B5, МОС-гидридная эпитаксия, гетероструктуры, квантово-размерные структуры, спинтроника (спиновые светоизлучающие диоды, разбавленные магнитные полупроводники).

 

     Родился 16 октября 1990г. в Алтайском крае. В 2012г. окончил физический факультет ННГУ им. Н.И. Лобачевского с присвоением степени бакалавра техники и технологий по направлению "наноэлектроника". С 2012г.  по настоящее время - студент магистратуры дневного отделения кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского. В 2013г. принят на работу в НИФТИ ННГУ в лабораторию эпитаксиальной технологии.

 

Основные публикации:

  1. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/ М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, Б. Н. Звонков / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, - 2014, № 5, с.1–7.
  2. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAs<Mn> / А.В. Рыков, М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов / Вестник ННГУ. - поступила в редакцию.
  3. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов / М.В. Дорохин, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев, А.В. Рыков, Б.Н. Звонков / Труды XVII Международного симпозиума. - Нижний Новгород,  2013,  с.116.