Сводные данные о результатах СОУТ и перечень мероприятий по улучшению условий труда
Парк науки ННГУ "Лобачевский Lab" приглашает всех на научно-популярный фестиваль "Холодный Weekend" (23-24 января 2021 г.)
Поздравляем аспирантов и молодых ученых с получением Стипендий Президента РФ!
Поздравляем аспирантов с Разуваевскими стипендиями!
Поздравляем молодых кандидатов наук с грантами Президента РФ!
Модернизированная установка газофазной МОС-гидридной эпитаксии
полупроводниковых гетероструктур, модель LQ529A с импульсным Nd:YAG лазером со встроенным генератором второй гармоники
(Разработка НИФТИ).
Установка обладает возможностью лазерного распыления твердотельных мишеней и позволяет производить методом эпитаксии из металлорганических соединений выращивание квантоворазмерных гетеронаноструктур структур на основе твердых растворов InGaAsP, таких как структуры с квантовыми ямами InGaAs и структуры с квантовыми точками InAs. Источниками материалов служат: металлоорганические соединения TMGa (триметилгаллий), (TMIn) (триметилиндий), гидриды AsH3 (арсин), PH3 (фосфин). В качестве легирующей примеси p-типа используется Zn и C (источник CCl4), в качестве примеси n-типа используется Si.
Особенностью установки является возможность проведения лазерного распыления твердотельных мишеней. В частности, легирование структур атомами Zn и Si производится методом лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе эпитаксиального роста. Лазерное распыление можно применять не только для легирования, но и для введения основного материала выращиваемых структур. Например были получены квантовые ямы GaAsSb в матрице GaAs путем лазерного распыления сурьмы. Возможно проведение эпитаксиального роста высококачественных слоев GaAs путем лазерного распыления мишени GaAs в газовой атмосфере. Методом лазерного распыления полупроводниковой мишени и мишени металлического Mn были получены слои магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и структуры на основе GaAs с дельта слоями Mn. Возможно получение ферромагнитных полуметаллических слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления. В этом случае ростовой процесс осуществляется путем лазерного распыления мишени Mn в атмосфере AsH3 и PH3.
Возможно получение квантоворазмерных гетеронаноструктур комбинацией методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления.