Коллектив под руководством зав.лаб. Нохрина А.В. стал победителем конкурса РФФИ-Росатом

Читать далее
30.05.2020

Поздравляем зав. лаб. Нохрина А.В. с победой в конкурсе Российского научного фонда

Читать далее
10.04.2020

28 февраля 2020 года, в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится заседание Ученого совета НИФТИ ННГУ

Читать далее
26.02.2020

Зав. лаб. Болдин М.С. был награжден Почетной грамотой Министерства образования, науки и молодежной политики Нижегородской области за достигнутые результаты в развитии научно-образовательного комплекса Нижегородской области

Читать далее
11.02.2020

Модернизированная установка газофазной МОС-гидридной эпитаксии

полупроводниковых гетероструктур, модель LQ529A с импульсным Nd:YAG лазером со встроенным генератором второй гармоники
(Разработка НИФТИ).

 

Установка газофазной эпитаксии

 

     Установка обладает возможностью лазерного распыления твердотельных мишеней и позволяет производить методом эпитаксии из металлорганических соединений выращивание квантоворазмерных гетеронаноструктур структур на основе твердых растворов InGaAsP, таких как структуры с квантовыми ямами InGaAs и структуры с квантовыми точками InAs. Источниками материалов служат: металлоорганические соединения TMGa (триметилгаллий), (TMIn) (триметилиндий), гидриды AsH3 (арсин), PH3 (фосфин). В качестве легирующей примеси p-типа используется Zn и C (источник CCl4), в качестве примеси n-типа используется Si.

      Особенностью установки является возможность проведения лазерного распыления твердотельных мишеней. В частности, легирование структур атомами Zn и Si производится методом лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе эпитаксиального роста. Лазерное распыление можно применять не только для легирования, но и для введения основного материала выращиваемых структур. Например были получены квантовые ямы GaAsSb в матрице GaAs путем лазерного распыления сурьмы. Возможно проведение эпитаксиального роста высококачественных слоев GaAs путем лазерного распыления мишени GaAs в газовой атмосфере. Методом лазерного распыления полупроводниковой мишени и мишени металлического Mn были получены слои магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и структуры на основе GaAs с дельта слоями Mn. Возможно получение ферромагнитных полуметаллических слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления. В этом случае ростовой процесс осуществляется путем лазерного распыления мишени Mn в атмосфере AsH3 и PH3.
      Возможно получение квантоворазмерных гетеронаноструктур комбинацией методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления.