РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

Университет Лобачевского впервые вошел в международный рейтинг Times Higher Education Subject Rankings 2020 года по направлению "Инженерные науки и технологии"

Читать далее
17.10.2019

Заведующий лабораторией Михайлов А.Н. принял участие в международном форуме "Микроэлектроника 2019"

Читать далее
09.10.2019

Поздравляем инженеров отдела №5 НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение Стипендий Президента РФ и Правительства РФ на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
02.10.2019

Модернизированная установка газофазной МОС-гидридной эпитаксии

полупроводниковых гетероструктур, модель LQ529A с импульсным Nd:YAG лазером со встроенным генератором второй гармоники
(Разработка НИФТИ).

 

Установка газофазной эпитаксии

 

     Установка обладает возможностью лазерного распыления твердотельных мишеней и позволяет производить методом эпитаксии из металлорганических соединений выращивание квантоворазмерных гетеронаноструктур структур на основе твердых растворов InGaAsP, таких как структуры с квантовыми ямами InGaAs и структуры с квантовыми точками InAs. Источниками материалов служат: металлоорганические соединения TMGa (триметилгаллий), (TMIn) (триметилиндий), гидриды AsH3 (арсин), PH3 (фосфин). В качестве легирующей примеси p-типа используется Zn и C (источник CCl4), в качестве примеси n-типа используется Si.

      Особенностью установки является возможность проведения лазерного распыления твердотельных мишеней. В частности, легирование структур атомами Zn и Si производится методом лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе эпитаксиального роста. Лазерное распыление можно применять не только для легирования, но и для введения основного материала выращиваемых структур. Например были получены квантовые ямы GaAsSb в матрице GaAs путем лазерного распыления сурьмы. Возможно проведение эпитаксиального роста высококачественных слоев GaAs путем лазерного распыления мишени GaAs в газовой атмосфере. Методом лазерного распыления полупроводниковой мишени и мишени металлического Mn были получены слои магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и структуры на основе GaAs с дельта слоями Mn. Возможно получение ферромагнитных полуметаллических слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления. В этом случае ростовой процесс осуществляется путем лазерного распыления мишени Mn в атмосфере AsH3 и PH3.
      Возможно получение квантоворазмерных гетеронаноструктур комбинацией методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления.