Семинар проф. Я.Д. Сергеева "Численные вычисления с бесконечно-малыми и бесконечно-большими числами: методология и приложения" состоится 04 марта 2019 г. в конференц-зле НИФТИ ННГУ.
Начало: 15:00

Читать далее
04.03.2019

15 февраля 2019 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Перевислова С.Н. на тему "Материалы на основе карбида и нитрида кремния для изделий конструкционного назначения. Динамические свойства брони на основе карбида кремния и карбида бора".

Читать далее
13.02.2019

Семинар "Физика мемристоров в НИФТИ ННГУ" пройдет 14 февраля 2019 г. (четверг), в конференц-зале НИФТИ ННГУ.
Начало  - 15 часов.

Читать далее
11.02.2019

Издана юбилейная книга "НИФТИ ННГУ 85 лет: 1932-2017 г."

Читать далее
28.12.2018

27.12.2018 г., в 210 ауд., в 13:30 состоится семинар "Селективные ингибиторы BET-семейства белков - новый подход в эпигенетической терапии онкологических заболеваний".

Читать далее
25.12.2018

Модернизированная установка газофазной МОС-гидридной эпитаксии

полупроводниковых гетероструктур, модель LQ529A с импульсным Nd:YAG лазером со встроенным генератором второй гармоники
(Разработка НИФТИ).

 

Установка газофазной эпитаксии

 

     Установка обладает возможностью лазерного распыления твердотельных мишеней и позволяет производить методом эпитаксии из металлорганических соединений выращивание квантоворазмерных гетеронаноструктур структур на основе твердых растворов InGaAsP, таких как структуры с квантовыми ямами InGaAs и структуры с квантовыми точками InAs. Источниками материалов служат: металлоорганические соединения TMGa (триметилгаллий), (TMIn) (триметилиндий), гидриды AsH3 (арсин), PH3 (фосфин). В качестве легирующей примеси p-типа используется Zn и C (источник CCl4), в качестве примеси n-типа используется Si.

      Особенностью установки является возможность проведения лазерного распыления твердотельных мишеней. В частности, легирование структур атомами Zn и Si производится методом лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе эпитаксиального роста. Лазерное распыление можно применять не только для легирования, но и для введения основного материала выращиваемых структур. Например были получены квантовые ямы GaAsSb в матрице GaAs путем лазерного распыления сурьмы. Возможно проведение эпитаксиального роста высококачественных слоев GaAs путем лазерного распыления мишени GaAs в газовой атмосфере. Методом лазерного распыления полупроводниковой мишени и мишени металлического Mn были получены слои магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и структуры на основе GaAs с дельта слоями Mn. Возможно получение ферромагнитных полуметаллических слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления. В этом случае ростовой процесс осуществляется путем лазерного распыления мишени Mn в атмосфере AsH3 и PH3.
      Возможно получение квантоворазмерных гетеронаноструктур комбинацией методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления.