НИФТИ ННГУ приглашает Вас принять участие в работе VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», которая состоится с 7 по 9 ноября 2018 года в Нижегородском государственном университете имени Н.И. Лобачевского (ННГУ).
Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»
Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».
17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!
Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»
Маник Ирина Михайловна
Инженер лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ
Область научных интересов: полупроводники А3В5, гетероструктуры, постростовые технологии, лазерные диоды, фотоприемники.
Ирина Михайловна Маник родилась 21 марта 1986 г. в городе Ульяновске. В 2003-2008 гг. - студентка очного отделения химического факультета Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Нижегородский Государственный Технический Университет им. Р. Е. Алексеева». 2007 г. - диплом бакалавра техники и технологии по направлению «Химическая технология и биотехнология». 2008 г. - диплом инженера по специальности «Химическая технология органических веществ». В 2012 г. принята на работу в НИФТИ ННГУ на должность инженера лаборатории эпитаксиальной технологии. Основные обязанности связаны с технологией изготовления лазерных диодов и полупроводниковых фотоприемников, а также с измерением их основных характеристик.