11 декабря 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится заседание Ученого совета ННГУ, посвященное итогам реализации в 2018 году основных научных направлений.

Читать далее
07.12.2018

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2017-2018 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
21.11.2018

18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

Дикарева Наталья Васильевна

Дикарева Н.В.

Младший научный сотрудник НИФТИ ННГУ, аспирантка кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского

 

Область научных интересов: полупроводники A3B5, гетероструктуры , квантово-размерные структуры, полупроводниковые лазеры, нелинейные оптические эффекты.

Родилась 6 ноября 1989г. в г.Сергач.  В 2011г. окончила физический факультет ННГУ им. Н.И. Лобачевского с присвоением степени бакалавра техники и технологий по направлению "наноэлектроника". В 2013г. окончила магистратуру физфака ННГУ по научному направлению «электроника и наноэлектроника» с присвоением специального звания магистр-инженер (диплом с отличием). Тема магистреской диссетации «Исследование лазерных наногетероструктур нового типа, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии».  В настоящее время - аспирантка кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского. В 2011г. принята на работу в НИФТИ ННГУ в лабораторию эпитаксиальной технологии.

 

Достижения и награды:

Победитель конкурса «Участник молодежного научно-инновационного конкурса 2012»;

Победитель конкурса учебно-методических разработок, выполняемых по приоритетному направлению развития ННГУ как национального исследовательского университета, 2012;

Победитель конкурса научных работ аспирантов, выполняемых по приоритетному направлению развития ННГУ как национального исследовательского университета, 2013;

Является руководителем гранта РФФИ и проекта УМНИК, выступает в качестве исполнителя в научно-исследовательских работах и проектах, проводимых по тематике лаборатории. Проводит лабораторные работы по исследованию излучательных и электрофизических свойств полупроводниковых лазеров для студентов магистратуры физического  факультета. Является соавтором 28 публикаций, в том числе 7 статей в рецензируемых изданиях и двух учебно-методических пособий.

 

Основные публикации:

1.  Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb / Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. // Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, 2011,- С. 56 – 59 

2.     Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов // Квантовая Электроника. - 2012. - Т. 42, в.10. - С.931-933.

3.     Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs / Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева // ФТП, - 2013, - Т.47, - вып.9, - С.1231- 1235.

4.     Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs / В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин // Квантовая электроника, - 2013, - Т.43, - №5, - С.401-406

5.     GaAs/AlGaAs лазерная структура на Ge/Si подложке / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева,  А.А. Бирюков, В.Г., Шенгуров, С.А. Денисов, С.А. Матвеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, К.Е. Кудрявцев // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара, - 2013,- С.25