Сменар Малинкиной Ю.Ю. (ЦНИИ КМ Прометей) по материалам кандидатской диссертации (22.01.2021 г.)
Сводные данные о результатах СОУТ и перечень мероприятий по улучшению условий труда
Парк науки ННГУ "Лобачевский Lab" приглашает всех на научно-популярный фестиваль "Холодный Weekend" (23-24 января 2021 г.)
Поздравляем аспирантов и молодых ученых с получением Стипендий Президента РФ!
Поздравляем аспирантов с Разуваевскими стипендиями!
Байдусь Николай Владимирович
Старший научный сотрудник лаборатории эпитаксиальной технологии, к.ф.-м.н.
Область научных интересов: исследование процессов эпитаксиального выращивания нано-размерных гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками, разработка технологии создания лазеров и светодиодов на основе соединений А3В5.
Николай Владимирович Байдусь родился 25.09.1961г. В 1989г. окончил физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Работал научным сотрудником кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета.
В 1995 г. защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков. Тема диссертации «Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия».
В 1995-1998 гг. работал заведующим лабораторией и преподавателем физики в Волжской государственной академии водного транспорта. В 1998 г. был принят на работу в лабораторию эпитаксиальной технологии ННГУ на должность старшего научного сотрудника. По совместительству работал доцентом кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ. В 2003-2006 гг. работал в центре физики университета Миньо (Португалия). В настоящее время Байдусь Н.В. - старший научный сотрудник НИФТИ ННГУ, руководитель и исполнитель научно-исследовательских и хоздоговорных работ.
Основные направления исследований связаны с физикой и технологией квантово-размерных гетероструктур на основе полупроводников А3В5, созданием и исследованием гетероструктур приборного типа. Значительная часть работ посвящена созданию и исследованию люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, созданию светоизлучающего диода Шоттки на основе этих структур и исследованиям спиновой инжекции из ферромагнитного металла в полупроводник. В сотрудничестве с институтом физики НАН Украины (г.Киев) Байдусь Н.В. выполняет научно-исследовательскую работу по созданию гетероструктур с многопериодными туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs и GaAs/AlGaAs, исследованиями сильнополевого латерального транспорта и получения терагерцового излучения.
Байдусь Н.В. - соавтор главы в книге Trends in Nanotechnology Research, 60 статей в рецензируемых отечественных и зарубежных журналах, более 60 публикаций в сборниках и тезисах конференций. Активно участвует в работе отечественных и международных научных конференций. Осуществляет руководство курсовыми и дипломными работами.
Ключевые публикации:
- Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В, Планкина С.М.,Степихова М.В., Шилова М.В. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP //Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23. Вып.12. С. 2164-2170.
- Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Звонков Б.Н., Степихова М.В. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 27. № 10. С. 1736-1741.
- Бедный Б.И., Байдусь Н.В. Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30. № 2. С. 236-243.
- Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Применение квантово-размерных гетероструктур для исследования дефектообразования при ионной имплантации полупроводников // Известия Академии Наук, серия физическая. – 1994. - T.58. B.5. - C.213-218.
- B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morosov, Yu.Yu. Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs. // Nanotechnology, 2000v.11, p.221-226.
- Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O and Zdoroveishev A.V. “Morphology and photoelectronic properties of InAs/GaAs surface quantum dots grown by metal-organic vapour-phase epitaxy” // Nanotechnology 2001, 12, P.425–429.
- N.V. Baidus, I. F. Salakhutdinov, H.J.W.M. Hoekstra, B. N. Zvonkov, S. V. Nekorkin , and V. A. Sychugov. A compact tunable narrow band LD based on emission through the substrate and an external abnormal reflection mirror // IEEE Photonics Technology Letters, 2001, V.13, No.11, P 1155-1157.
- N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, S.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes and S.A. Filonovich, 1.3-1.5 µm electroluminescence from Schottky diodes made on Au-InAs/GaAs quantum-size heterostructures // Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) S469-S471.
- I.A. Karpovich, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus', S. V. Tikhov, and D. O. Filatov. Tuning the Energy Spectrum of the InAs/GaAs Quantum Dot Structures by Varying the Thickness and Composition of a Thin Double GaAs/InGaAs Cladding Layer //Trends in Nanotechnology Research ed. By Eugene V. Dirote. Nova Science Publisher, New York, 2004. pp. 173-208 (глава в книге).
- N.V. Baidus, A. Chahboun, M. J. M. Gomes, M. I. Vasilevskiy, P. B. Demina, E. A. Uskova, and B.N. Zvonkov. Suppression of the photoluminescence quenching effect in self-assembled InAs/GaAs quantum dots // Appl. Phys. Lett. 87, 53109 (2005).
- N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, V.D. Kulakovskii, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, and S.V. Zaitsev Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based on InGaAs–GaAs quantum well heterostructures // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V.89. - P.181118.
- Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, and B.N. Zvonkov. Further insight into the temperature quenching of photoluminescence from InAs/GaAs self-assembled quantum dots // Journal of Appl. Phys. - 2008. - V.103, n.8. - P. 083548.
- А.В. Здоровейщев, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина. Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на δ-легированном сурьмой буферном слое GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2011. – Т.75, в.1. – С. 31–33.
- N.V. Baidus, M. I. Vasilevskiy, S. V. Khasanova, B. N. Zvonkov, H. P. Van der Meulen, J. M. Calleja, and L. Vina. Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // Europhysics Letters, 98 27012 (2012).
- Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Е.П. Додин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Андронов «Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики» // Физика и техника полупроводников, 2012, том 46. Вып.12. С. 1593-1596.
- V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk , N.V. Baidus and B.N. Zvonkov. Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013. V. 16, N 2. P. 152-161.
- В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков. Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах // Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2014, т. 40, № 6, c. 685–691.
Учебно методические пособия:
1. Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Описание лаб. работы. -Нижний Новгород: Изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 1999. 16 с.
(http://window.edu.ru/resource/591/45591)
2. Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС Описание лаб. работы. - Нижний Новгород: Изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2001.