Байдусь Николай Владимирович

Старший научный сотрудник лаборатории эпитаксиальной технологии,  к.ф.-м.н.

Область научных интересов: исследование процессов эпитаксиального выращивания нано-размерных гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками, разработка технологии создания лазеров и светодиодов на основе соединений А³В⁵.

     Николай Владимирович Байдусь родился 25.09.1961г.  В 1989г. окончил физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Работал научным сотрудником кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета.

     В 1995 г. защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков. Тема диссертации «Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия».

     В 1995-1998 гг. работал заведующим лабораторией и  преподавателем физики в Волжской государственной академии водного транспорта. В 1998 г. был принят на работу в лабораторию эпитаксиальной технологии ННГУ на должность старшего научного сотрудника. По совместительству работал доцентом кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ. В 2003-2006 гг. работал в центре физики университета Миньо (Португалия). В настоящее время Байдусь Н.В. - старший научный сотрудник НИФТИ ННГУ, руководитель и исполнитель научно-исследовательских и хоздоговорных работ.

     Основные направления исследований связаны с физикой и технологией квантово-размерных гетероструктур на основе полупроводников А3В5,  созданием и исследованием гетероструктур приборного типа. Значительная часть работ посвящена созданию и исследованию люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, созданию светоизлучающего диода Шоттки на основе этих структур и исследованиям спиновой инжекции из  ферромагнитного металла в полупроводник. В сотрудничестве  с институтом физики НАН Украины (г.Киев) Байдусь Н.В. выполняет научно-исследовательскую  работу по созданию гетероструктур с многопериодными туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs и GaAs/AlGaAs,  исследованиями сильнополевого латерального транспорта и получения терагерцового излучения.

     Байдусь Н.В. - соавтор главы в книге Trends in Nanotechnology Research, 60 статей в рецензируемых отечественных и зарубежных журналах, более 60 публикаций в сборниках и тезисах конференций. Активно участвует в работе отечественных и международных научных конференций. Осуществляет руководство курсовыми и дипломными работами.

Ключевые публикации:

1. Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В, Планкина С.М.,Степихова М.В., Шилова М.В. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP //Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23. Вып.12.  С. 2164-2170.  
2. Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Звонков Б.Н., Степихова М.В. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 27. № 10. С. 1736-1741.
3. Бедный Б.И., Байдусь Н.В.  Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30. № 2. С. 236-243. 
4. Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Применение квантово-размерных гетероструктур для исследования дефектообразования при ионной имплантации полупроводников // Известия Академии Наук, серия физическая. – 1994. - T.58. B.5. - C.213-218.
5. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus,  D.O. Filatov, S.V. Morosov, Yu.Yu. Gushina. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs. // Nanotechnology, 2000v.11, p.221-226.
6. Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O and Zdoroveishev A.V. “Morphology and photoelectronic properties of InAs/GaAs surface quantum dots grown by metal-organic vapour-phase epitaxy” // Nanotechnology 2001, 12, P.425–429.
7. N.V. Baidus,  I. F. Salakhutdinov, H.J.W.M. Hoekstra, B. N. Zvonkov, S. V. Nekorkin  , and V. A. Sychugov. A compact tunable narrow band LD based on emission through the substrate and an external abnormal reflection mirror // IEEE Photonics Technology Letters, 2001, V.13, No.11, P 1155-1157.
8. N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, S.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes and S.A. Filonovich, 1.3-1.5 µm electroluminescence from Schottky diodes made on Au-InAs/GaAs quantum-size heterostructures // Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) S469-S471.
9. I.A. Karpovich, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus', S. V. Tikhov, and D. O. Filatov. Tuning the Energy Spectrum of the InAs/GaAs Quantum Dot Structures by Varying the Thickness and Composition of a Thin Double GaAs/InGaAs Cladding Layer //Trends in Nanotechnology Research ed. By Eugene V. Dirote. Nova Science Publisher, New York, 2004. pp. 173-208 (глава в книге).
10. N.V. Baidus, A. Chahboun, M. J. M. Gomes, M. I. Vasilevskiy, P. B. Demina, E. A. Uskova, and B.N. Zvonkov. Suppression of the photoluminescence quenching effect in self-assembled InAs/GaAs quantum dots // Appl. Phys. Lett. 87, 53109 (2005).
11. N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, V.D. Kulakovskii, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, and S.V. Zaitsev  Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based on InGaAs–GaAs quantum well heterostructures // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V.89. - P.181118.
12. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, and B.N. Zvonkov. Further insight into the temperature quenching of photoluminescence from InAs/GaAs self-assembled quantum dots // Journal of Appl. Phys. - 2008. - V.103, n.8. - P. 083548.
13. А.В. Здоровейщев, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина. Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на δ-легированном сурьмой буферном слое GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2011. – Т.75, в.1. – С. 31–33.
14. N.V. Baidus, M. I. Vasilevskiy, S. V. Khasanova, B. N. Zvonkov, H. P. Van der Meulen, J. M. Calleja, and L. Vina. Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // Europhysics Letters,  98 27012  (2012).
15. Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Е.П. Додин, Ю.Н. Дроздов,  М.Н. Дроздов, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Андронов  «Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики» // Физика и техника полупроводников, 2012, том 46. Вып.12. С. 1593-1596.
16. V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk , N.V.  Baidus  and B.N. Zvonkov.  Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013. V. 16, N 2. P. 152-161.
17. В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков. Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах // Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2014, т. 40, № 6, c. 685–691.

Учебно методические пособия:

 1. Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.  Описание лаб. работы. -Нижний Новгород: Изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 1999. 16 с.

 (http://window.edu.ru/resource/591/45591)

 2. Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС Описание лаб. работы. - Нижний Новгород: Изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2001.

 (http://window.edu.ru/resource/590/45590).