Российский научный фонд объявляет о начале приема заявок на конкурс отдельных научных групп и ведущих лабораторий мирового уровня
Сегодня в 16:00 состоится онлайн-встреча Елены Загайновой с трудовым коллективом, которая пройдёт на площадке YouTube.
Совет по грантам Президента Российской Федерации объявляет о начале приема заявок на получение стипендий Президента РФ и грантов для молодых ученых - кандидатов и докторов наук.
Установка AIX200RF для выращивания наногетероструктур на основе соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии
(производство компании Aixtron, Германия)
Назначение: осаждение монокристаллических пленок соединений А3В5.
Характеристики установки:
- температура роста: до 1100 0С
- давление в реакторе: от 40 до 1000 мбар с точностью ± 1 мбар
- используемые вещества: металлоорганические прекусоры TMGa, TMAl, TMIn, арсин, фосфин; легирующие примеси (Si, C, Zn)
Технология МОС-гидридной эпитаксии основана на подаче в ростовую зону исходных компонентов эпитаксиальных слоев в виде легколетучих простых веществ или соединений в потоке газа-носителя. В реакторе происходит разложение этих материалов, стимулированное термическим или иным путем, и идут химические реакции с их участием. При этом требуемые компоненты осаждаются на подложку, являющуюся основой полупроводникового прибора.
Технология позволяет получать монокристаллические слои AlGaInAsP и всевозможные их комбинации, предназначенные для создания полупроводниковых приборов на основе А3В5, а также получать квантовые ямы, квантовые точки и дельта слои примеси. Управляя параметрами роста, можно создавать комбинации слоев А3В5 с различными параметрами по легированию. Выращенные структуры используются для производства различных полупроводниковых приборов: полупроводниковые высокомощные и одномодовые лазеры (длины волн излучения от 600 нм до 1700 нм), фотоприемники высокой чувствительности на различные диапазоны длин волн, фотокатоды, солнечные элементы с высоким коэффициентом преобразования, приборы высокочастотной техники, структуры для научных исследований. В настоящее время проводятся работы по созданию полупроводниковых квантовокаскадных лазеров, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазоне.