Семинар проф. Я.Д. Сергеева "Численные вычисления с бесконечно-малыми и бесконечно-большими числами: методология и приложения" состоится 04 марта 2019 г. в конференц-зле НИФТИ ННГУ.
Начало: 15:00

Читать далее
04.03.2019

15 февраля 2019 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Перевислова С.Н. на тему "Материалы на основе карбида и нитрида кремния для изделий конструкционного назначения. Динамические свойства брони на основе карбида кремния и карбида бора".

Читать далее
13.02.2019

Семинар "Физика мемристоров в НИФТИ ННГУ" пройдет 14 февраля 2019 г. (четверг), в конференц-зале НИФТИ ННГУ.
Начало  - 15 часов.

Читать далее
11.02.2019

Издана юбилейная книга "НИФТИ ННГУ 85 лет: 1932-2017 г."

Читать далее
28.12.2018

27.12.2018 г., в 210 ауд., в 13:30 состоится семинар "Селективные ингибиторы BET-семейства белков - новый подход в эпигенетической терапии онкологических заболеваний".

Читать далее
25.12.2018

Установка AIX200RF для выращивания наногетероструктур на основе соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии

(производство компании  Aixtron, Германия)

 

Установка МОС-гидридной эпитаксии

 

Назначение: осаждение монокристаллических пленок соединений А3В5.

 

Характеристики установки:

-       температура роста: до 1100 0С

-       давление в реакторе: от 40 до 1000 мбар с точностью ± 1 мбар

-       используемые вещества: металлоорганические прекусоры TMGa, TMAl, TMIn, арсин, фосфин; легирующие примеси (Si, C, Zn)

 

     Технология МОС-гидридной эпитаксии основана на подаче в ростовую зону исходных компонентов эпитаксиальных слоев в виде легколетучих простых веществ или соединений в потоке газа-носителя. В реакторе происходит разложение этих материалов, стимулированное термическим или иным путем, и идут химические реакции с их участием. При этом требуемые компоненты осаждаются на подложку, являющуюся основой полупроводникового прибора.

     Технология позволяет получать монокристаллические слои AlGaInAsP и всевозможные их комбинации, предназначенные для создания полупроводниковых приборов на основе А3В5, а также получать квантовые ямы, квантовые точки и дельта слои примеси. Управляя параметрами роста, можно создавать комбинации слоев А3В5 с различными параметрами по легированию. Выращенные структуры используются для производства различных полупроводниковых приборов: полупроводниковые высокомощные и одномодовые лазеры (длины волн излучения от 600 нм до 1700 нм), фотоприемники высокой чувствительности на различные диапазоны длин волн, фотокатоды, солнечные элементы с высоким коэффициентом преобразования, приборы высокочастотной техники, структуры для научных исследований. В настоящее время проводятся работы по созданию полупроводниковых квантовокаскадных лазеров, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазоне.