18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Установка AIX200RF для выращивания наногетероструктур на основе соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии

(производство компании  Aixtron, Германия)

 

Установка МОС-гидридной эпитаксии

 

Назначение: осаждение монокристаллических пленок соединений А3В5.

 

Характеристики установки:

-       температура роста: до 1100 0С

-       давление в реакторе: от 40 до 1000 мбар с точностью ± 1 мбар

-       используемые вещества: металлоорганические прекусоры TMGa, TMAl, TMIn, арсин, фосфин; легирующие примеси (Si, C, Zn)

 

     Технология МОС-гидридной эпитаксии основана на подаче в ростовую зону исходных компонентов эпитаксиальных слоев в виде легколетучих простых веществ или соединений в потоке газа-носителя. В реакторе происходит разложение этих материалов, стимулированное термическим или иным путем, и идут химические реакции с их участием. При этом требуемые компоненты осаждаются на подложку, являющуюся основой полупроводникового прибора.

     Технология позволяет получать монокристаллические слои AlGaInAsP и всевозможные их комбинации, предназначенные для создания полупроводниковых приборов на основе А3В5, а также получать квантовые ямы, квантовые точки и дельта слои примеси. Управляя параметрами роста, можно создавать комбинации слоев А3В5 с различными параметрами по легированию. Выращенные структуры используются для производства различных полупроводниковых приборов: полупроводниковые высокомощные и одномодовые лазеры (длины волн излучения от 600 нм до 1700 нм), фотоприемники высокой чувствительности на различные диапазоны длин волн, фотокатоды, солнечные элементы с высоким коэффициентом преобразования, приборы высокочастотной техники, структуры для научных исследований. В настоящее время проводятся работы по созданию полупроводниковых квантовокаскадных лазеров, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазоне.