Поздравляем зав.лаб. технологии керамик Болдина М.С. с защитой кандидатской диссертации!

Читать далее
07.06.2019

Поздравляем сотрудников Отдела №2 с победой в конкурсе РФФИ (конкурс "мк", тема 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»)

Читать далее
03.06.2019

Поздравляем аспирантов Отдела №5 с победой на 24й Нижегородской сессии молодых ученых (технические, естественные, математические науки)

Читать далее
28.05.2019

Cеминар "Photonics at Skoltech – from fundamentals to applications" ("Фотоника в Сколтехе - от основ к приложениям") состоится 24 мая 2019 г., в 14 ч.

Читать далее
22.05.2019

Младший научный сотрудник Юрий Кузнецов стал победителем фестиваля "Иннобизнес: Умные технологии", проводившегося 14 мая 2019 г. в ННГУ.

Читать далее
16.05.2019

Установка AIX200RF для выращивания наногетероструктур на основе соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии

(производство компании  Aixtron, Германия)

 

Установка МОС-гидридной эпитаксии

 

Назначение: осаждение монокристаллических пленок соединений А3В5.

 

Характеристики установки:

-       температура роста: до 1100 0С

-       давление в реакторе: от 40 до 1000 мбар с точностью ± 1 мбар

-       используемые вещества: металлоорганические прекусоры TMGa, TMAl, TMIn, арсин, фосфин; легирующие примеси (Si, C, Zn)

 

     Технология МОС-гидридной эпитаксии основана на подаче в ростовую зону исходных компонентов эпитаксиальных слоев в виде легколетучих простых веществ или соединений в потоке газа-носителя. В реакторе происходит разложение этих материалов, стимулированное термическим или иным путем, и идут химические реакции с их участием. При этом требуемые компоненты осаждаются на подложку, являющуюся основой полупроводникового прибора.

     Технология позволяет получать монокристаллические слои AlGaInAsP и всевозможные их комбинации, предназначенные для создания полупроводниковых приборов на основе А3В5, а также получать квантовые ямы, квантовые точки и дельта слои примеси. Управляя параметрами роста, можно создавать комбинации слоев А3В5 с различными параметрами по легированию. Выращенные структуры используются для производства различных полупроводниковых приборов: полупроводниковые высокомощные и одномодовые лазеры (длины волн излучения от 600 нм до 1700 нм), фотоприемники высокой чувствительности на различные диапазоны длин волн, фотокатоды, солнечные элементы с высоким коэффициентом преобразования, приборы высокочастотной техники, структуры для научных исследований. В настоящее время проводятся работы по созданию полупроводниковых квантовокаскадных лазеров, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазоне.