Поздравляем зав.лаб. технологии керамик Болдина М.С. с защитой кандидатской диссертации!

Читать далее
07.06.2019

Поздравляем сотрудников Отдела №2 с победой в конкурсе РФФИ (конкурс "мк", тема 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»)

Читать далее
03.06.2019

Поздравляем аспирантов Отдела №5 с победой на 24й Нижегородской сессии молодых ученых (технические, естественные, математические науки)

Читать далее
28.05.2019

Cеминар "Photonics at Skoltech – from fundamentals to applications" ("Фотоника в Сколтехе - от основ к приложениям") состоится 24 мая 2019 г., в 14 ч.

Читать далее
22.05.2019

Младший научный сотрудник Юрий Кузнецов стал победителем фестиваля "Иннобизнес: Умные технологии", проводившегося 14 мая 2019 г. в ННГУ.

Читать далее
16.05.2019

Ахлестина Светлана Александровна

Ахлестина С.А.

Ведущий электроник  лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ

 

Область научных интересов: полупроводники А3В5, гетероструктуры,  постростовые технологии, лазерные диоды, полупроводниковые фотоприемники.

 

     Родилась  29 ноября 1964 г. в г.Горьком. В 1989 г. окончила радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского и получила диплом по специальности «радиофизика и электроника» (присвоена квалификация «радиофизик»). В 1984 г. была принята на работу в НИФТИ ННГУ на должность лаборанта. В настоящее время работает в качестве ведущего электроника. Основные обязанности связаны с технологией изготовления лазерных диодов и полупроводниковых фотоприемников, а также с измерением их основных характеристик. В 2010 г. награждена Почетной грамотой министерства образования и науки РФ.

 

Ключевые научные публикации:

1. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью / И.А. Авруцкий, С.А. Ахлестина, Е.М. Дианов, Н.Б. Звонков, Е.Р. Линькова, Г.А. Максимов // Квантовая электроника. – 1996. – Т.23, № 8. – С.701-703.

2. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами / Н.Б. Звонков,  С.А. Ахлестина, А.В. Ершов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. – 1999. – Т.26, № 3. – С. 217-218.

3. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации / С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин //Письма в Журнал Технической Физики. – 2010. - Т.36, в.4. - С.81-87.

4. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения/ С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин // ФТП.- 2010.- Т. 44, в. 11.-1494-1497.