18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Ахлестина Светлана Александровна

Ахлестина С.А.

Ведущий электроник  лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ

 

Область научных интересов: полупроводники А3В5, гетероструктуры,  постростовые технологии, лазерные диоды, полупроводниковые фотоприемники.

 

     Родилась  29 ноября 1964 г. в г.Горьком. В 1989 г. окончила радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского и получила диплом по специальности «радиофизика и электроника» (присвоена квалификация «радиофизик»). В 1984 г. была принята на работу в НИФТИ ННГУ на должность лаборанта. В настоящее время работает в качестве ведущего электроника. Основные обязанности связаны с технологией изготовления лазерных диодов и полупроводниковых фотоприемников, а также с измерением их основных характеристик. В 2010 г. награждена Почетной грамотой министерства образования и науки РФ.

 

Ключевые научные публикации:

1. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью / И.А. Авруцкий, С.А. Ахлестина, Е.М. Дианов, Н.Б. Звонков, Е.Р. Линькова, Г.А. Максимов // Квантовая электроника. – 1996. – Т.23, № 8. – С.701-703.

2. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами / Н.Б. Звонков,  С.А. Ахлестина, А.В. Ершов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. – 1999. – Т.26, № 3. – С. 217-218.

3. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации / С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин //Письма в Журнал Технической Физики. – 2010. - Т.36, в.4. - С.81-87.

4. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения/ С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин // ФТП.- 2010.- Т. 44, в. 11.-1494-1497.