Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
16.11.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

 

Читать далее
16.11.2016

17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!

Читать далее
16.06.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
26.04.2016

Ахлестина Светлана Александровна

Ахлестина С.А.

Ведущий электроник  лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ

 

Область научных интересов: полупроводники А3В5, гетероструктуры,  постростовые технологии, лазерные диоды, полупроводниковые фотоприемники.

 

     Родилась  29 ноября 1964 г. в г.Горьком. В 1989 г. окончила радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского и получила диплом по специальности «радиофизика и электроника» (присвоена квалификация «радиофизик»). В 1984 г. была принята на работу в НИФТИ ННГУ на должность лаборанта. В настоящее время работает в качестве ведущего электроника. Основные обязанности связаны с технологией изготовления лазерных диодов и полупроводниковых фотоприемников, а также с измерением их основных характеристик. В 2010 г. награждена Почетной грамотой министерства образования и науки РФ.

 

Ключевые научные публикации:

1. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью / И.А. Авруцкий, С.А. Ахлестина, Е.М. Дианов, Н.Б. Звонков, Е.Р. Линькова, Г.А. Максимов // Квантовая электроника. – 1996. – Т.23, № 8. – С.701-703.

2. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами / Н.Б. Звонков,  С.А. Ахлестина, А.В. Ершов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. – 1999. – Т.26, № 3. – С. 217-218.

3. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации / С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин //Письма в Журнал Технической Физики. – 2010. - Т.36, в.4. - С.81-87.

4. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения/ С.А. Ахлестина, В.К. Васильев, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин // ФТП.- 2010.- Т. 44, в. 11.-1494-1497.