11 декабря 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится заседание Ученого совета ННГУ, посвященное итогам реализации в 2018 году основных научных направлений.

Читать далее
07.12.2018

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2017-2018 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
21.11.2018

18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

Лаборатория эпитаксиальной технологии

Лаборатория эпитаксиальной технологии

 

      Лаборатория эпитаксиальной технологии была организована в 1985 году на базе лаборатории тонких плёнок. С момента основания лаборатории до 2009 года её возглавлял ведущий специалист эпитаксиальной технологии Борис Николаевич Звонков, затем с 2009 года по февраль 2014 года структурным подразделением руководил Юрий Александрович Данилов.  С целью реализации Программы повышения конкурентоспособности ННГУ, развития перспективных научных направлений и эффективного выполнения исследований в марте 2014 года «Лаборатория эпитаксиальной технологии» была реорганизована, и на её базе были созданы две лаборатории: «Лаборатория эпитаксиальной технологии» и «Лаборатория спиновой и оптической электроники». С 1 марта 2014 года Лабораторию эпитаксиальной технологии возглавляет Сергей Михайлович Некоркин.

     С момента образования лаборатории эпитаксиальной технологии, а также после ее реорганизации основной темой научной деятельности является развитие технологии газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений и гидридов (ГФЭ МОС) для изготовления сложных гетероструктур на основе полупроводников А3В5.     

     В своей научной и научно-педагогической работе лаборатория тесно связана с кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ, а также рядом других кафедр физического факультета  и лабораториями НИФТИ ННГУ.

 

 

 

 

Основные направления научных исследований лаборатории эпитаксиальной технологии:

1) Разработка технологии создания полупроводниковых устройств на основе полупроводников А3В5 и A4. Это направление включает в себя разработку и исследование лазерных и светоизлучающих диодов ближнего и среднего ИК диапазонов, фотоприемных и резистивных элементов; разработку оптических пар.

2) Исследование нелинейных оптических явлений в волноводах гетеролазеров на основе полупроводников А3В5. Это направление включает разработку конструкций лазерных диодов, пригодных для наблюдения смешения излучения различных частот, разработку методик введения излучения в планарные волноводы,  наблюдения таких явлений, как генерация суммарной и разностной частот, образование голографических решеток в волноводе и т.п.

3) Исследование оптических и электронных свойств гетероструктур на основе полупроводников А3В5 и A4 с наноразмерными слоями (квантовыми ямами, квантовыми точками). Это направление включает развитие технологии изготовления гетероструктур и легирования их различными примесями, разработка приборных структур на основе таких гетероструктур, развитие методов их анализа и контроля.

 

 

 

 

 

Кадровый состав лаборатории эпитаксиальной технологии 

Некоркин С.М. -  заведующий лабораторией, к.ф.м.н.

Звонков Б.Н. - ведущий научный сотрудник, к.ф.м.н., с.н.с.

Байдусь Н.В. - старший научный сотрудник, к.ф.м.н.

Ершов А.В. - старший научный сотрудник, к.ф.м.н., доцент

Чигинева А.Б. - научный сотрудник, к.ф.м.н.

Ахлестина С.А. - ведущий электроник

Карабанова И.А. - ведущий электроник

Дикарева Н.В. - младший научный сотрудник, к.ф.м.н.

Маник И.М. - инженер

Рыков А.В. - инженер, аспирант

Веселов О.А. - инженер

Самарцев И.В. - м.н.с., аспирант

Пашенькин И.Ю. - инженер

 

 

 

 

 

Основные научные проекты лаборатории эпитаксиальной технологии 

 

№ п/п

Название темы, шифр

Наименование работы

Руководитель темы

Срок выполнения

нач. / оконч.

1.

Физические принципы роста кристаллических полупроводниковых структур для создания солнечных фотопреобразователей и термо-электрических преобразователей (ФТ-4)

Задание №3423 на выполнение государственных работ в сфере научной деятельности в рамках базовой части государственного задания Минобрнауки России, код проекта: 3423

 

Шенгуров В.Г.

2014 – 2016

2.

 Физические принципы создания перспективных полупроводни-ковых и оксидных микро- и наноматериалов комбинирован-ными методами осаждения, термообработки и ионной имплантации

(ФТП-01)

Задание № 3.285.2014/K на выполнение НИР в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности

 

Тетельбаум Д.И.

2014 – 2016

3.

Исследование полупроводниковых наногетероструктур 2-го рода с легированными магнитной примесью слоями для создания приборов спинтроники

(ФТП-02)

Задание № 8.1054.2014/K на выполнение НИР в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности

 

Данилов Ю.А.

2014 – 2016

4.

Разработка оптоэлектронных компонентов для волоконно-оптических систем передачи энергии

Грант № 0021977 по программе “УМНИК” Фонда содействия развитию малых форм предпри-ятий в научно-технической сфере

 

Самарцев И.В.

2016 – 2017

5.

Разработка эффективных преобразователей солнечной энергии на основе гетерострук-тур полупроводников А3В5

Грант № 0021929 по программе “УМНИК” Фонда содействия развитию малых форм предпри-ятий в научно-технической сфере

 

Рыков А.В.

2016 – 2017

6.

Цикл хоздоговорных работ по тематике лаборатории с ведущими научно-производственными центрами и организациями

хоздоговора

Некоркин С.М.

Ежегодно

 

 

 

 

 

Основные публикации лаборатории эпитаксиальной технологии 

 

2013 год

  1. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs / Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева // ФТП, - 2013, - Т.47, - вып.9, - С.1231- 1235.
  2. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs / В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин // Квантовая электроника, - 2013, - Т.43, - №5, - С.401-406.
  3. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0−1.2мкм /С.В. Морозов, Д.И. Крыжков, В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, О.И. Вихрова // ФТП.- 2013.-том 47, вып. 11.- C.1517-1520.
  4. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs /Волкова Н.С., Горшков А.П., Здоровейщев А.В.,Вихрова О.В., Звонков Б.Н.// ФТП. 2013.- том 47, вып. 12.- C.1609-1612.
  5. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs / .Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, К.Е.Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин // ФТП, - 2013, - Т.47,- вып.11, - С. 1486.

  6. GaAs/AlGaAs лазерная структура на Ge/Si подложке / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева,  А.А. Бирюков, В.Г., Шенгуров, С.А. Денисов, С.А. Матвеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, К.Е. Кудрявцев // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара, - 2013,- С.25.

  7. Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells / V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk , N.V.  Baidus  and B.N. Zvonkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013. V. 16, N 2. P. 152-161

 

2014 год

1.    Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков// Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2014, т. 40, № 6, c. 685–691.

2.    Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур n-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции / П.А. Белёвский, М.Н Винославский , В.Н. Порошин, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков // ФТП, 2014, том 48, вып. 5. Стр. 643-647

3.    Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью / Н.В. Дикарева, С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Б.Н. Звонков, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, А.А. Афоненко // Квантовая электроника, - 2014, - Т. 44, №4, С. 286 -288.

4.    Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку / С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Б.Н., Дикарева Н.В.,  Звонков, В.Я. Алешкин // ПЖТФ, - 2014, - Т. 40, вып. 10, С. 52.

 

2015 год

1. Interband and intraband radiation from the n-InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells under the conditions of injection in high lateral electric fields / Belevskii P.A., Vinoslavskii M.N., Poroshin V.N., Baidus N.V., Zvonkov B.N// Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2015. – V. 74. – P. 328-333.

2. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb/InGaAs / Н. В.Дикарева, О.В. Вихрова, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, С.М. Некоркин, А.В. Пирогов, Д.А. Павлов// ФТП. – 2015. – Т.49, В.1. – C.11-14.

(Перевод) Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer / N.V. Dikareva, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, N.V. Malekhonova, S.M. Nekorkin, A.V. Pirogov, D.A. Pavlov // Semiconductors. – 2015. – V.49, I.1. – P.9-12.

3. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке / В.Я. Алёшкин, Н.В. Дикарева,  А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, З.Ф.Красильник, С.М. Некоркин // ПЖТФ. – 2015. – Т.41, вып. 6. – С.105-110.

(Перевод) Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates / V.Ya. Aleshkin, N.V. Dikareva, A.A. Dubinov, B.N. Zvonkov, Z.F. Krasilnik, S.M. Nekorkin // Technical Physics Letters. – 2015. - V.41, №3. – P. 304-306.

4. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами / В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин // ФТП. – 2015. – Т. 49, вып. 2. – С.175-178.

(Перевод) An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells / V. Ya. Aleshkin, N.V. Dikareva, A.A. Dubinov, B.N. Zvonkov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin // Semiconductors. – 2015. – V.49, №2. – P. 170-173.

5. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs лазере на Ge подложке / Н.В. Дикарева, С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков,В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов // Квантовая электроника. – 2015. – Т.45, вып.3. – С.204-206.

(Перевод) Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate / N.V. Dikareva,  S.M. Nekorkin, B.N. Zvonkov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov // Quantum Electronics. – 2015. – V.45, №3. – P. 204-206.

6. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку / Д.А. Колпаков, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов // ФТП. – 2015. – Т.49, вып. 11. – С.1489-1491.

(Перевод) On a semiconductor laser with a p-n tunnel junction with radiation emission through the substrate / D.A. Kolpakov, B.N. Zvonkov, S.M. Nekorkin, N.V. Dikareva, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov // Semiconductors. – 2015. – V.49, №11. – P. 1440-1442.

7. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в GaAs структуре на Si подложке с Ge буферным слоем / В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов // ПЖТФ. – 2015. – Т.41, вып. 13. – С.72-78.

(Перевод) The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer / V. Ya. Aleshkin, N.V. Dikareva, A.A. Dubinov, B.N. Zvonkov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, P.A. Yunin, D.V. Yurasov // Technical Physics Letters. – 2015. – V. 41, №7. – P. 648-650.

8. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами / И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин // ФТП. – 2015. – Т.49, вып.12. – С.1619-1622.

(Перевод) Optimization of InGaP/GaAs/InGaAs heterolasers with tunnel-coupled waveguides / I. V. Samartsev , V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, D. A. Kolpakov, S. M. Nekorkin // Semiconductors. – 2015. – V. 49, I. 12. – Р. 1571-1574.

9. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием / Д.А. Павлов, Н.В. Байдусь, А.И. Бобров, О.В. Вихрова, Е.И. Волкова, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Д.С. Сорокин // ФТП. – 2015. – Т.49, В.1. – C.3-5.

(Перевод) Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium / D.A. Pavlov, N.V. Bidus, A.I. Bobrov, O.V. Vikhrova, E.I. Volkova, B.N. Zvonkov, N.V. Malekhonova, D.S. Sorokin // Semiconductors. – 2015. – V.49, I.1. – P.1-3.

10. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами / Н.В. Байдусь, О.В. Вихрова, Б.Н. Звонков, Е.И. Малышева, А.Н. Труфанов // ФТП. – 2015. – Т.49, В.3. – C.370-375.

(Перевод) Emission Properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with Quantum Wells and Dots after Irradiation with Neutrons / N.V. Baidus, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, E.I. Malysheva, A.N. Trufanov // Semiconductors. – 2015. – V.49, I.3. – P.358-363.

11. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения / В.А. Кукушкин, Н.В. Байдусь, А.В. Здоровейщев // ФТП. – 2015. – Т.49, вып. 6. – С. 804-809.

(Перевод)Diagnostics of the efficiency of surface plasmon-polariton excitation by quantum dots via polarization measurements of the output radiation./ Kukushkin V.A., Baidus N.V., Zdoroveishchev A.V.// Semiconductors. – 2015. – V.49, I.6. – P. 785-790.

12. Обменное усиление g-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP / Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Калинин К.П., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Байдусь Н. В., Звонков Б.Н. // ФТП. – 2015. – Т.49, вып. 2. – С. 196-202.

(Перевод)Exchange enhancement of the electron g factor in strained InGaAs/InP heterostructures/ Krishtopenko S. S., Maremyanin K. V., Kalinin K. P., Spirin K. E., Gavrilenko V. I.,  Baidus N. V., Zvonkov B. N.// Semiconductors. – 2015. – V.49, I.2. – P. 191-198.

 

2016 год

 

1. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate / Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Fefelov A.G., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskiy A.N., Yunin P.A., and Yurasov D.V. // Applied Physics Letters. – 2016. – V.109. – P.0611111-(1-5). DOI10.1063/1.4961059.

2. СтимулированноеизлучениеизобъемногометаморфногослояGaAsSb наGaAs-подложке / АлешкинВ.Я., ДубиновА.А., КудрявцевК.Е., ЮнинП.А., ДроздовМ.Н., ВихроваО.В., НекоркинС.М., ЗвонковБ.Н. // ФТП. – 2016. – Т.50, вып.5. – C.596-599.

(Перевод) StimulatedEmissionFromaMetamorphicGaAsSbBulkLayerOnaGaAsSubstrate / AleshkinV.Y., DubinovA.A., KudryavtsevK.E., YuninP.A., DrozdovM.N., VikhrovaO.V., NekorkinS.M., ZvonkovB.N. // Semiconductors. – 2016. – V.50, I.5. – P. 586-589. DOI10.1134/S106378261605002X.

3. МетодуменьшенияшириныдиаграммынаправленностиInGaAs/GaAs/AlGaAs многоямногогетеролазера / БайдусьН.В., НекоркинС.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. // ФТП. – 2016. – Т.50, вып.11. – C.1509-1512. DOI10.21883/ftp.2016.11.43782.14.

(Перевод) Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser / Baydus N. V., Nekorkin S. M., Kolpakov D. A., Ershov A. V., Aleshkin V. Ya., Dubinov A. A., Afonenko A. A. // Semiconductors. – 2016. – V.50, I. 11. – P.1488-1492. DOI: 10.1134/S1063782616110038.

4. CтимулированноеизлучениевгетероструктурахсдвойнымиквантовымиямамиInGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенныхнаподложкахGaAs иGe/Si(001) / ЯблонскийА.Н., МорозовС.В., ГапоноваД.М., АлешкинВ.Я., ШенгуровВ.Г., ЗвонковБ.Н., ВихроваО.В., БайдусьН.В., КрасильникЗ.Ф. // ФТП. – 2016. – Т.50, вып.11. – C.1455-1458. DOI10.21883/ftp.2016.11.43772.4.

(Перевод) Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates / Yablonsky A. N., Morozov S. V., Gaponova D. M., Aleshkin V. Ya., Shengurov V. G., Zvonkov B. N., Vikhrova O. V., Baidus’ N. V., Krasil’nik Z. F. // Semiconductors. – 2016. – V.50, I.11. – P. 1435–1438. DOI: 10.1134/S1063782616110269.

5. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки / Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. // ФТП. – 2016. – Т.50, вып.11. – C.1576-1582. DOI10.21883/ftp.2016.11.43794.26.

(Перевод) Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes / Baidus N. V., Kukushkin V. A., Zvonkov B. N., Nekorkin S. M. // Semiconductors. – 2016. – V.50, I. 11. – P.1554–1560. DOI: 10.1134/S1063782616110026.

 

 

 

 

 

 

 

Оборудование лаборатории эпитаксиальной технологии

1) Установка AIX200RF для выращивания наногетероструктур на основе  соединений A3B5 методом МОС-гидридной эпитаксии (производство компании  Aixtron, Германия)

2) Модернизированная установка газофазной МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, модель LQ529A с импульсным Nd:YAG лазером со встроенным генератором второй гармоники (Разработка НИФТИ)

3) Субмикронная монтажная станция FinePlaсer Lambda  предназначена для выполнения прецизионного монтажа полупроводниковых кристаллов (чипов) на теплоотвод

4) Установка микросварки проволокой и лентой HB16.

5) Установка измерения фотолюминесценции Nanometrics RPM 200.

6) Универсальный измерительный комплекс для проведения исследований характеристик полупроводниковых эпитаксиальных структур и приборов на их основе.

 

 

 

 

Премии, награды лаборатории эпитаксиальной технологии

 

Премии, награды в 2015г.

 

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Звонков Б.Н.

Почетное звание «Почетный работник науки и техники Российской Федерации» присвоено за заслуги в области науки и техники. Приказ Минобрнауки России от 09.11.2015г.

2.

Дикарева Н.В.

Специальная стипендия Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского «Научная смена» для аспирантов и магистрантов в 2015 году

3.

Дикарева Н.В.

Победитель конкурса научных работ аспирантов ННГУ 2015г.

4.

Самарцев И.В.

Победитель конкурса научных работ аспирантов ННГУ 2015г.

5.

Рыков А.В.

Победитель конкурса научных работ аспирантов ННГУ 2015г.

 

 

 

Премии, награды в 2016г.

 

 

ФИО

Конкурс, награда

1.

Некоркин С.М.

Благодарственное письмо Правительства Нижегородской области за многолетний добросовестный труд, высокие достижения в профессиональной деятельности. Распоряжение Правительства Нижегор.обл. от 13.04.2016г. № 450-р

2.

Некоркин С.М.

Благодарственное письмо ННГУ за высокий профессионализм, плодотворный труд и  в связи со 100-летием со дня образования университета

3.

Ахлестина С.А.

Благодарственное письмо ННГУ за высокий профессионализм, плодотворный труд и  в связи со 100-летием со дня образования университета

 

 

 

 

 

 

 

 

 Патенты, ноу-хау лаборатории эпитаксиальной технологии

 

№ п/п

Наименование объекта интеллектуальной собственности

Авторы

Вид объекта

Дата приори-тета

Территория (страна) и срок действия

Охранный документ (патент, свидетельство о регистрации)

дата выдачи

1.

Полупроводниковый лазер (варианты)

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Дубинов А.А., Алешкин В.Я.

Изобретение, охраняемое патентом

4 июля 2012г.

Россия,  04.07.2032

2529450

01.08.2014

2.

Полупроводниковый лазер

Токарев В.А., Крюков А.В., Шаврин А.Г., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Некоркин С.М., Звонков Б.Н.

Изобретение, охраняемое патентом

4 июня 2013г.

Россия,  04.06.2033

2535649

15.10.2014

3.

Способ получения лазерного излучения с малой расходимостью и диодный лазер для его осуществления

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В.

Ноу-хау

10 октября 2016г.

Россия

Приказ ректора ННГУ № 438-ОД

10.10.2016

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2011 год

1.                  Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на δ-легированном сурьмой буферном слое GaAs / А.В. Здоровейщев, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2011. – Т.75, в.1. – С. 31–33.

2.                  Одновременная генерация мод TE1 и TE2 с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом / В.Я. Алешкин, Т.С. Бабушкина, А.А. Бирюков, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, С.М. Некоркин // ФТП. – 2011. – Т.45, в.5. – С.652-656.

3.                  Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям // А.А. Бирюков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, Т.С. Бабушкина, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов // ЖТФ. – 2011. – Т.81, в.7. – С.149-151.

4.                  Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb / Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. // Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, 2011,- С. 56 – 59 

 

2012 год

1.                  Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с delta-легированными квантовыми ямами / Н.В. Байдусь, В.В. Вайнберг, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин, О.Г. Сарбей // ФТП. – 2012. – Т.46, в.5. – С.649-654.

2.                  Рост и свойства пленок GaAs, GaNи низкоразмерных структур GaAs/QWsInGaAsна подложках Siс буферным слоем Ge / Ю.Н. Бузынин, В.Г. Шенгуров, Б.Н. Звонков, А.Н. Бузынин, О.И. Хрыкин, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, С.А. Денисов // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2012. – Т.76, в.9. – С.1153-1157.

3.                  Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы / С.В. Морозов, Д.И. Крыжков, В.И. Гавриленко, А.Н. Яблонский, Д.И. Курицын, Д.М. Гапонова, Ю.Г. Садофьев, Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова // ФТП. – 2012. – Т.46, в.11. – С.1402-1407.

4.                  Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр / С.В. Хазанова, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.А. Павлов, Н.В. Малехонова, В.Е. Дегтярев, Д.С. Смотрин, А.И. Бобров // ФТП. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1510-1514.

5.                  Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP / С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, В.Е. Дегтярев // ФТП. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1561-1565.

6.                  Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики / Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Е.П. Додин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Андронов // ФТП. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1593-1596.

7.                  Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении / В.В. Вайнберг, В.М. Васецкий, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков // ФТП. – 2012. – Т.46, в.12. – С.1609-1612.

8.                  Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов // Квантовая электроника. - 2012. - Т. 42, в.10. - С.931-933.

9.                  Мощный полупроводниковый лазер с улучшенными пространственными и энергетическими характеристиками / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, Н.В. Дикарева, В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов // Вестник ННГУ, - 2012, - Т.1, - вып.1,- С.30-32.

10.              Эффект поля как метод  контроля качества гетеронаноструктур на основе i-InP c двумерным электронным газом / C.В.Тихов, Н.В.Байдусь, А.А.Бирюков, Б.Н.Звонков, Ю.А.Дроздов, Д.С.Смотрин, В.Г.Тестов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. № 5.  

11.              Долговременная релаксация фотопроводимости  в n- InGaAs/GaAs гетероструктурах со связанными квантовыми ямами при зонно-зонном возбуждении / В.В.Вайнберг, В.М.Васецкий, Ю.Н. Гуденко, В.Н Порошин, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков // ФТП, 2012, том 46. Вып.12. С. 1609-1612. 

12.              Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWsInGaAs на подложках Si с буферным слоем Ge / Ю.Н. Бузынин, В.Г. Шенгуров, Б.Н. Звонков, А.Н. Бузынин, О.И. Хрыкин, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, С.А. Денисов // Известия РАН. Сер. Физическая. – 2012. – Т.76, в.9. – С.1153-1157.

13.              Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact / N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khazanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina, // EPL (Europhysics Letters). – 2012. – V.98, n.2. – P.27012.

 

2013 год

1.                  Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSbInGaAs)/GaAs / Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева // ФТП, - 2013, - Т.47, - вып.9, - С.1231- 1235.

2.                  Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs / В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин // Квантовая электроника, - 2013, - Т.43, - №5, - С.401-406.

3.                   Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs / .Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, К.Е.Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин // ФТП, - 2013, - Т.47,- вып.11, - С. 1486. 

4.                  GaAs/AlGaAs лазерная структура на Ge/Si подложке / С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева,  А.А. Бирюков, В.Г., Шенгуров, С.А. Денисов, С.А. Матвеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, К.Е. Кудрявцев // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара, - 2013,- С.25. 

5.                  Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells / V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk , N.V.  Baidus  and B.N. Zvonkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013. V. 16, N 2. P. 152-161 

6.                  Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.01.2мкм /С.В. Морозов, Д.И. Крыжков, В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, О.И. Вихрова // ФТП.- 2013.-том 47, вып. 11.- C.1517-1520.

7.                  Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs /Волкова Н.С., Горшков А.П., Здоровейщев А.В.,Вихрова О.В., Звонков Б.Н.// ФТП. 2013.- том 47, вып. 12.- C.1609-1612.

2014 год

1.    Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков // Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2014, т. 40, № 6, c. 685–691. 

2.    Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур n-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции / П.А. Белёвский, М.Н Винославский , В.Н. Порошин, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков // ФТП, 2014, том 48, вып. 5. Стр. 643-647 

3.    Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью / Н.В. Дикарева, С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Б.Н. Звонков, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, А.А. Афоненко // Квантовая электроника, - 2014, - Т. 44, №4, С. 286 -288. 

4.    Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку / С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Б.Н., Дикарева Н.В.,  Звонков, В.Я. Алешкин // ПЖТФ, - 2014, - Т. 40, вып. 10, С. 52.