Поздравляем студентов и аспирантов с успешным выступлением на XXVI Нижегородской сессии молодых ученых!

Читать далее
02.06.2021

Семинар Яковлевой Е.А. (ЦНИИ КМ Прометей) по материалам кандидатской диссертации (18.05.2021 г.)

Читать далее
17.05.2021

Опубликованы результаты исследований уникального полупроводника, выполненные коллективом НИФТИ ННГУ совместно с зарубежными партнерами

Читать далее
07.04.2021

Поздравляем победителей конкурса РНФ!

Читать далее
31.03.2021

Сверхвысоковакуумная установка для молекулярно-лучевой эпитаксии

(разработка НИФТИ)

Сверхвысоковакуумная установка для МЛЭ

Сверхвысоковакуумная установка для МЛЭ

 

Назначение: выращивание многослойных структур со слоями кремния и твердого раствора Si-Ge заданного состава (как нелегированных, так и легированных донорными и акцепторными примесями, а также эрбием). Выращивание структурно-совершенных слоев кремния на подложке сапфира диаметром до 100 мм.

 

Получаемые материалы: гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si (100) для микро-, нано- и оптоэлектроники; эпитаксиальные слои кремния толщиной  от 0,3 до 50 мкм на подложке сапфира диаметром до 100 мм для радиационно-стойких интегральных схем, солнечных батарей и др.

 

Характеристики установки:

-       базовое давление остаточных газов в ростовой камере: ≤ 5×10-9 Торр

-       температура эпитаксиального роста: 400 – 700 0С

-       температура нагрева подложки: 300-1250 °С (для Si), 300-1450 °С (для сапфира)

-       температура сублимирующих источников паров кремния и легирующей примеси: 1250 – 1380 0С

-       напуск газа (GeH4) в камеру роста до давления: 10-3 – 10-6 Торр.

 

     Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Испаренное вещество с относительно высокой скоростью переносится в условиях вакуума на подложку. Низкое давление паров кремния и легирующей примеси гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Перед эпитаксиальным наращиванием проводится термическая обработка подложки с целью удаления с ее поверхности естественного окисла и других загрязнений. Легирование слоев кремния проводится как путем соиспарения примеси, имеющейся в сублимирующем источнике кремния, так и из независимого источника. Для выращивания слоев твердого раствора Si-Ge вместе с потоком атомов Si из сублимирующего кремниевого источника формируют поток Ge при разложении германа (GeH4) на нагретом источнике.