Пресс-релиз Индикатор.ру и сайта ННГУ о результатах совместных исследований НИФТИ ННГУ и АО "ОКБМ Африкантов" по разработке новых титановых сплавов для атомного машиностроения
Аспиранты и молодые ученые НИФТИ ННГУ стали победителями конкурса на получение стипендий Президента РФ молодым ученым и аспирантам, осуществляющим исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики на 2019-2021 годы.
Поздравляем зав.лаб. технологии керамик Болдина М.С. с защитой кандидатской диссертации!
Поздравляем сотрудников Отдела №2 с победой в конкурсе РФФИ (конкурс "мк", тема 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»)
Поздравляем аспирантов Отдела №5 с победой на 24й Нижегородской сессии молодых ученых (технические, естественные, математические науки)
Сверхвысоковакуумная установка для молекулярно-лучевой эпитаксии
(разработка НИФТИ)
Назначение: выращивание многослойных структур со слоями кремния и твердого раствора Si-Ge заданного состава (как нелегированных, так и легированных донорными и акцепторными примесями, а также эрбием). Выращивание структурно-совершенных слоев кремния на подложке сапфира диаметром до 100 мм.
Получаемые материалы: гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si (100) для микро-, нано- и оптоэлектроники; эпитаксиальные слои кремния толщиной от 0,3 до 50 мкм на подложке сапфира диаметром до 100 мм для радиационно-стойких интегральных схем, солнечных батарей и др.
Характеристики установки:
- базовое давление остаточных газов в ростовой камере: ≤ 5×10-9 Торр
- температура эпитаксиального роста: 400 – 700 0С
- температура нагрева подложки: 300-1250 °С (для Si), 300-1450 °С (для сапфира)
- температура сублимирующих источников паров кремния и легирующей примеси: 1250 – 1380 0С
- напуск газа (GeH4) в камеру роста до давления: 10-3 – 10-6 Торр.
Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Испаренное вещество с относительно высокой скоростью переносится в условиях вакуума на подложку. Низкое давление паров кремния и легирующей примеси гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Перед эпитаксиальным наращиванием проводится термическая обработка подложки с целью удаления с ее поверхности естественного окисла и других загрязнений. Легирование слоев кремния проводится как путем соиспарения примеси, имеющейся в сублимирующем источнике кремния, так и из независимого источника. Для выращивания слоев твердого раствора Si-Ge вместе с потоком атомов Si из сублимирующего кремниевого источника формируют поток Ge при разложении германа (GeH4) на нагретом источнике.