Семинар проф. Я.Д. Сергеева "Численные вычисления с бесконечно-малыми и бесконечно-большими числами: методология и приложения" состоится 04 марта 2019 г. в конференц-зле НИФТИ ННГУ.
Начало: 15:00
15 февраля 2019 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Перевислова С.Н. на тему "Материалы на основе карбида и нитрида кремния для изделий конструкционного назначения. Динамические свойства брони на основе карбида кремния и карбида бора".
Семинар "Физика мемристоров в НИФТИ ННГУ" пройдет 14 февраля 2019 г. (четверг), в конференц-зале НИФТИ ННГУ.
Начало - 15 часов.
Издана юбилейная книга "НИФТИ ННГУ 85 лет: 1932-2017 г."
27.12.2018 г., в 210 ауд., в 13:30 состоится семинар "Селективные ингибиторы BET-семейства белков - новый подход в эпигенетической терапии онкологических заболеваний".
Сверхвысоковакуумная установка для молекулярно-лучевой эпитаксии
(разработка НИФТИ)
Назначение: выращивание многослойных структур со слоями кремния и твердого раствора Si-Ge заданного состава (как нелегированных, так и легированных донорными и акцепторными примесями, а также эрбием). Выращивание структурно-совершенных слоев кремния на подложке сапфира диаметром до 100 мм.
Получаемые материалы: гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si (100) для микро-, нано- и оптоэлектроники; эпитаксиальные слои кремния толщиной от 0,3 до 50 мкм на подложке сапфира диаметром до 100 мм для радиационно-стойких интегральных схем, солнечных батарей и др.
Характеристики установки:
- базовое давление остаточных газов в ростовой камере: ≤ 5×10-9 Торр
- температура эпитаксиального роста: 400 – 700 0С
- температура нагрева подложки: 300-1250 °С (для Si), 300-1450 °С (для сапфира)
- температура сублимирующих источников паров кремния и легирующей примеси: 1250 – 1380 0С
- напуск газа (GeH4) в камеру роста до давления: 10-3 – 10-6 Торр.
Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Испаренное вещество с относительно высокой скоростью переносится в условиях вакуума на подложку. Низкое давление паров кремния и легирующей примеси гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Перед эпитаксиальным наращиванием проводится термическая обработка подложки с целью удаления с ее поверхности естественного окисла и других загрязнений. Легирование слоев кремния проводится как путем соиспарения примеси, имеющейся в сублимирующем источнике кремния, так и из независимого источника. Для выращивания слоев твердого раствора Si-Ge вместе с потоком атомов Si из сублимирующего кремниевого источника формируют поток Ge при разложении германа (GeH4) на нагретом источнике.