18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Сверхвысоковакуумная установка для молекулярно-лучевой эпитаксии

(разработка НИФТИ)

Сверхвысоковакуумная установка для МЛЭ

Сверхвысоковакуумная установка для МЛЭ

 

Назначение: выращивание многослойных структур со слоями кремния и твердого раствора Si-Ge заданного состава (как нелегированных, так и легированных донорными и акцепторными примесями, а также эрбием). Выращивание структурно-совершенных слоев кремния на подложке сапфира диаметром до 100 мм.

 

Получаемые материалы: гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si (100) для микро-, нано- и оптоэлектроники; эпитаксиальные слои кремния толщиной  от 0,3 до 50 мкм на подложке сапфира диаметром до 100 мм для радиационно-стойких интегральных схем, солнечных батарей и др.

 

Характеристики установки:

-       базовое давление остаточных газов в ростовой камере: ≤ 5×10-9 Торр

-       температура эпитаксиального роста: 400 – 700 0С

-       температура нагрева подложки: 300-1250 °С (для Si), 300-1450 °С (для сапфира)

-       температура сублимирующих источников паров кремния и легирующей примеси: 1250 – 1380 0С

-       напуск газа (GeH4) в камеру роста до давления: 10-3 – 10-6 Торр.

 

     Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Испаренное вещество с относительно высокой скоростью переносится в условиях вакуума на подложку. Низкое давление паров кремния и легирующей примеси гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Перед эпитаксиальным наращиванием проводится термическая обработка подложки с целью удаления с ее поверхности естественного окисла и других загрязнений. Легирование слоев кремния проводится как путем соиспарения примеси, имеющейся в сублимирующем источнике кремния, так и из независимого источника. Для выращивания слоев твердого раствора Si-Ge вместе с потоком атомов Si из сублимирующего кремниевого источника формируют поток Ge при разложении германа (GeH4) на нагретом источнике.