Коллектив молодых ученых под руководством д.ф.-м.н. Дорохина М.В. стал победителем конкурса РФФИ ("Стабильность")

Читать далее
03.12.2019

Объявление о семинаре М.А. Моховикова (Белорусский государственный университет)

Читать далее
25.11.2019

Молодые ученые НИФТИ ННГУ стали лауреатами Стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
22.11.2019

РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

Светлов Сергей Петрович

Светлов С.П.

Старший научный сотрудник лаборатории полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.

 

Родился 02.03.1939. Окончил физический факультет Горьковского ун-та в 1962 г. по специальности "физика" и принят на работу в ГИФТИ ННГУ на должность м.н.с. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию посвященную эпитаксии кремния в вакууме. С 1978 г. работает в должности старшего научного сотрудника лаборатории.

 

Область научных интересов:  техника и технология получения в вакууме эпитаксиальных структур кремния, германия и их твердых растворов.

 

Опубликовал в соавторстве около 100 научных работ. Статьи опубликованы в журналах: "Известия РАН", Письма в ЖЭТФ, "Кристаллография", "Physica Status Solidi" и др.

Имеет 3 авторских свидетельства и 2 патента.

Ключевые публикации:

1. В.А.Толомасов, Р.А.Рубцова, С.П.Светлов, А.В.Корнаухов, А.Д.Гудкова.

«Гетероэпитаксия слоев GexSi1-x на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4».

Известия ВУЗов. Серия "Цветная металлургия" 1994, №1-2, стр. 172-175

2. Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., «Степихова М.В., Павлов Д.А., Павлова Т.В., Шиляев П.А., Хохлов А.Ф.

Структура и свойства эпитаксиальных слоёв кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Материалы электронной техники».

Изв. вузов.-2003.-№ 2.-С. 27-30.

3. М.В.Степихова, Д.М.Жигунов, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Тимошенко, Л.В.Красильникова, В.Ю.Чалков, С.П.Светлов, О.А.Шалыгина, П.К.Кашкаров З.Ф.Красильник.

«Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия».

Письма в ЖЭТФ, 2005, т. 81, вып. 10, с.614-617.