18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Светлов Сергей Петрович

Светлов С.П.

Старший научный сотрудник лаборатории полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.

 

Родился 02.03.1939. Окончил физический факультет Горьковского ун-та в 1962 г. по специальности "физика" и принят на работу в ГИФТИ ННГУ на должность м.н.с. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию посвященную эпитаксии кремния в вакууме. С 1978 г. работает в должности старшего научного сотрудника лаборатории.

 

Область научных интересов:  техника и технология получения в вакууме эпитаксиальных структур кремния, германия и их твердых растворов.

 

Опубликовал в соавторстве около 100 научных работ. Статьи опубликованы в журналах: "Известия РАН", Письма в ЖЭТФ, "Кристаллография", "Physica Status Solidi" и др.

Имеет 3 авторских свидетельства и 2 патента.

Ключевые публикации:

1. В.А.Толомасов, Р.А.Рубцова, С.П.Светлов, А.В.Корнаухов, А.Д.Гудкова.

«Гетероэпитаксия слоев GexSi1-x на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4».

Известия ВУЗов. Серия "Цветная металлургия" 1994, №1-2, стр. 172-175

2. Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., «Степихова М.В., Павлов Д.А., Павлова Т.В., Шиляев П.А., Хохлов А.Ф.

Структура и свойства эпитаксиальных слоёв кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Материалы электронной техники».

Изв. вузов.-2003.-№ 2.-С. 27-30.

3. М.В.Степихова, Д.М.Жигунов, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Тимошенко, Л.В.Красильникова, В.Ю.Чалков, С.П.Светлов, О.А.Шалыгина, П.К.Кашкаров З.Ф.Красильник.

«Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия».

Письма в ЖЭТФ, 2005, т. 81, вып. 10, с.614-617.