18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)
2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).
20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"
Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!
24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.
Кузнецов Виктор Павлович
Старший научный сотрудник лаборатории полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.
Родился 28.09.1935 г. Окончил физико-математический факультет Горьковского педагогического института в 1958 г. по специальности "учитель физики и основ производства". Кандидат физ.-мат. наук (1974 г.), ст. науч. сотр. НИФТИ ННГУ (1970 г.).
Тема кандидатской диссертации "Исследование свойств эпитаксиальных слоев кремния, выращенных сублимацией в вакууме при низких температурах".
Область научных интересов: процессы роста и легирования слоев кремния при молекулярно-лучевой эпитаксии.
В настоящее время занимается исследованием процессов формирования профилей легирования эрбием при росте структур А4В4, которые могут быть использованы для создания оптоэлектронных излучателей ИК диапазона.
Опубликовал в соавторстве более 150 научных работ. Статьи опубликованы в журналах: "Известия АН СССР", "Кристаллография", "Physica Status Solidi" и др.
Ключевые публикации:
1. Кузнецов В.П., Рубцова Р.А.
Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si
ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, 519
2. Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А.
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, 868-875.