Кузнецов Виктор Павлович

Старший научный сотрудник лаборатории полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.

Родился 28.09.1935 г. Окончил физико-математический факультет Горьковского педагогического института в 1958 г. по специальности "учитель физики и основ производства". Кандидат физ.-мат. наук (1974 г.), ст. науч. сотр. НИФТИ ННГУ (1970 г.).

Тема кандидатской диссертации "Исследование свойств эпитаксиальных слоев кремния, выращенных сублимацией в вакууме при низких температурах".

Область научных интересов: процессы роста и легирования слоев кремния при молекулярно-лучевой эпитаксии.

В настоящее время занимается исследованием процессов формирования профилей легирования эрбием при росте структур А₄В₄, которые могут быть использованы для создания оптоэлектронных излучателей ИК диапазона.

Опубликовал в соавторстве более 150 научных работ. Статьи опубликованы в журналах: "Известия АН СССР", "Кристаллография", "Physica Status Solidi" и др.

Ключевые публикации:

1. Кузнецов В.П., Рубцова Р.А.

Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si

ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, 519

2. Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А.

Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, 868-875.