В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с А.Михайловым, зав. лабораторией физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ

Читать далее
16.08.2018

В НИФТИ ННГУ с использованием ионной имплантации разработан уникальный УФ-детектор нечувствительный к солнцу (solar-blind photodetector)

Читать далее
14.08.2018

В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с М. Денисенко, зав. лабораторией Теории наноструктур НИФТИ ННГУ

Читать далее
07.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет аспирантов физического факультета ННГУ - сотрудников НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2018-2019 учебный год!

Читать далее
03.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет своих сотрудников - молодых кандидатов наук с победой в Президентской программе исследовательских проектов РНФ!

Читать далее
03.07.2018

Корнаухов Александр Васильевич

Корнаухов А.В.

Заведующий лабораторией полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.

 

 Родился 21.01.1948 г. Окончил радио-физический факультет Горьковского государственного университета в 1971 г. по специальности "радиофизика и электроника". В этом  же году поступил на работу в Горьковский Исследовательский Физико-Технический Институт при Горьковском Государственном Университете (ГИФТИ) на должность м.н.с. Последовательно прошел все ступени от инженера до зам. Директора НИФТИ ННГУ по научной работе. В 1986 году защитил кандидатскую диссертацию «Электрические свойства многослойных эпитаксиальных структур с р-п переходом, полученных методом сублимации кремния в вакууме».

     Корнаухов А.В. имеет более 150 опубликованных работ, несколько авторских свидетельств и патентов на изобретения. Он является одним из основных авторов разработки уникальных по своим характеристикам лавинно-пролетных диодов (ЛПД) миллиметрового диапазона, а также генераторов и умножителей частоты на основе диодов с накоплением заряда (ДНЗ), отличающихся от лучших мировых аналогов более коротким (примерно в 2 раза) фронтом формируемого перепада напряжения; полупроводниковых шумовых диодов (ДШ) и широкополосных генераторов шума на их основе, имеющих спектральную плотность мощности шума (СПМШ) на 2-4 порядка превышающую лучшие мировые достижения в этой области и в 1,5 – 2 раза превосходящие аналоги по максимальной частоте генерации.

Результаты указанных разработок имеют практическое применение в виде внедренний в серийное производство. Например, с использованием ДШ выпускаются аппараты КВЧ‑терапии «Амфит-0,2/10-01», сертифицированные для широкого круга заболеваний, в том числе, социально значимых и распространенных (ОРВИ, пневмония, в том числе, атипичная), а так же особо тяжелых и резистентных к другим методам лечения (онкологические, СПИД и другие).

В настоящее время Корнаухов А.В. работает в НИФТИ ННГУ в должности зав. лабораторией полупроводниковой электроники СВЧ.

Основные области научных интересов:

- физика сверхбыстрых электронных процессов в многослойных полупроводниковых (в первую очередь на основе кремния) эпитаксиальных диодных структурах,

- физика и технология СВЧ-полупроводниковых приборов,

- оптоэлектронные свойства многослойных эпитаксиальных структур кремния легированных эрбием,

- эффекты взаимодействие низкоинтенсивного электромагнитного излучения КВЧ диапазона с биологическими средами.

Ключевые публикации:

1. Корнаухов А.В. «Электрические свойства многослойных структур с p-n переходом, полученных методом сублимации кремния в вакууме» Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Горький 1986, 175с.

2. А.В.Корнаухов, Н.А.Алябина, Н.Г.Горшенин, Д.Г.Ревин, Р.А.Рубцова, А.А.Чернов «Генерация миллиметровых волн гетероструктурой GexSi1-x/Si с барьером Шотки» Вестник ННГУ, сер. Материалы, процессы и технологии электронной техники 1994, с.157.

3. Балчугов В.А., Полякова А.Г., Анисимов С.И., Ефимов Е.И., Корнаухов А.В.  КВЧ-терапия низкоинтенсивным шумовым излучением. – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2002. - 192 с.

4. Князев Д.Г., Корнаухов А.В., Овсянников М.И., «Полупроводниковый переключательный диод СВЧ» Патент СССР №18/6409 от 11.10.1992 г.

4. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si:Er/n++. // ФТП. 2007. Т.41. В.11. С.1329-1332.