18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

Корнаухов Александр Васильевич

Корнаухов А.В.

Заведующий лабораторией полупроводниковой СВЧ-электроники, к.ф.м.н.

 

 Родился 21.01.1948 г. Окончил радио-физический факультет Горьковского государственного университета в 1971 г. по специальности "радиофизика и электроника". В этом  же году поступил на работу в Горьковский Исследовательский Физико-Технический Институт при Горьковском Государственном Университете (ГИФТИ) на должность м.н.с. Последовательно прошел все ступени от инженера до зам. Директора НИФТИ ННГУ по научной работе. В 1986 году защитил кандидатскую диссертацию «Электрические свойства многослойных эпитаксиальных структур с р-п переходом, полученных методом сублимации кремния в вакууме».

     Корнаухов А.В. имеет более 150 опубликованных работ, несколько авторских свидетельств и патентов на изобретения. Он является одним из основных авторов разработки уникальных по своим характеристикам лавинно-пролетных диодов (ЛПД) миллиметрового диапазона, а также генераторов и умножителей частоты на основе диодов с накоплением заряда (ДНЗ), отличающихся от лучших мировых аналогов более коротким (примерно в 2 раза) фронтом формируемого перепада напряжения; полупроводниковых шумовых диодов (ДШ) и широкополосных генераторов шума на их основе, имеющих спектральную плотность мощности шума (СПМШ) на 2-4 порядка превышающую лучшие мировые достижения в этой области и в 1,5 – 2 раза превосходящие аналоги по максимальной частоте генерации.

Результаты указанных разработок имеют практическое применение в виде внедренний в серийное производство. Например, с использованием ДШ выпускаются аппараты КВЧ‑терапии «Амфит-0,2/10-01», сертифицированные для широкого круга заболеваний, в том числе, социально значимых и распространенных (ОРВИ, пневмония, в том числе, атипичная), а так же особо тяжелых и резистентных к другим методам лечения (онкологические, СПИД и другие).

В настоящее время Корнаухов А.В. работает в НИФТИ ННГУ в должности зав. лабораторией полупроводниковой электроники СВЧ.

Основные области научных интересов:

- физика сверхбыстрых электронных процессов в многослойных полупроводниковых (в первую очередь на основе кремния) эпитаксиальных диодных структурах,

- физика и технология СВЧ-полупроводниковых приборов,

- оптоэлектронные свойства многослойных эпитаксиальных структур кремния легированных эрбием,

- эффекты взаимодействие низкоинтенсивного электромагнитного излучения КВЧ диапазона с биологическими средами.

Ключевые публикации:

1. Корнаухов А.В. «Электрические свойства многослойных структур с p-n переходом, полученных методом сублимации кремния в вакууме» Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Горький 1986, 175с.

2. А.В.Корнаухов, Н.А.Алябина, Н.Г.Горшенин, Д.Г.Ревин, Р.А.Рубцова, А.А.Чернов «Генерация миллиметровых волн гетероструктурой GexSi1-x/Si с барьером Шотки» Вестник ННГУ, сер. Материалы, процессы и технологии электронной техники 1994, с.157.

3. Балчугов В.А., Полякова А.Г., Анисимов С.И., Ефимов Е.И., Корнаухов А.В.  КВЧ-терапия низкоинтенсивным шумовым излучением. – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2002. - 192 с.

4. Князев Д.Г., Корнаухов А.В., Овсянников М.И., «Полупроводниковый переключательный диод СВЧ» Патент СССР №18/6409 от 11.10.1992 г.

4. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si:Er/n++. // ФТП. 2007. Т.41. В.11. С.1329-1332.