Закончил с золотой медалью среднюю школу № 2 г. Н. Новгорода в 1999 г. и поступил на физический факультет Нижегородского государственного университета. В 2005 г. окончил с красным дипломом магистратуру физического факультета по направлению «физика» и поступил в аспирантуру на кафедре теоретической физики. С 2005 по 2008 год проходил обучение в аспирантуре, окончив которую, в 2008 году, защитил кандидатскую диссертацию по теме «Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями». С января 2011 г. является научным сотрудником лаборатории «Теория наноструктур» НИФТИ ННГУ.

Область научных интересов: оптические и транспортные свойства низкоразмерных полупроводниковых структур, моделирование динамики экситонов в массивах нанокристаллов.

Премии, гранты:

2004-2005 – стипендия фонда «Династия» для студентов.

2007 – стипендии им. академика Г.А.Разуваева.

2008 – стипендия президента РФ для аспирантов.

2008-2009 – стипендия фонда «Династия» для молодых учёных без степени.

2009-2010 – грант президента РФ для молодых кандидатов наук.

2005 – по настоящее время – руководитель и исполнитель грантов РФФИ и Министерства образования и науки РФ, государственных контрактов, выполняемых по федеральной целевой программе «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России».

Основные работы:

1) V.A.Belyakov, V.A.Burdov, “Chemical-shift Enhancement for Strongly Confined Electrons in Silicon Nanocrystals”, Phys. Lett. A v. 367, p. 128-134 (2007)

2) V.A.Belyakov, V.A.Burdov, “Valley-Orbit Splitting in Doped Nanocrystalline Silicon: k-p calculations”, Phys. Rev. B v. 76, p. 045335-1-045335-12 (2007)

3) V.A.Belyakov, V.A.Burdov, “Anomalous splitting of the hole states in silicon quantum dot with shallow acceptor”, J. Phys.: Condens. Matter v. 20, p. 025213-1-025213-13 (2008)

4) V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, A. Meldrum, “Silicon Nanocrystals: Fundamental Theory and Implications for Stimulated Emission”, Adv. Opt. Tech. v. 2008, p. 279502-1-279502-32 (2008)

5) V.A.Belyakov, V.A.Burdov, “Improvement of the photon generation efficiency in phosphorus-doped silicon nanocrystals: Г–X mixing of the confined electron states””, J. Phys.: Condens. Matter v. 21, p. 045803-1-045803-5 (2009)

6) V.A.Belyakov, V.A.Burdov, “Г-X Mixing in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals: Improvement of the Photon Generation Efficiency”, Phys. Rev. B v. 79, p. 035302 (2009)