Российский научный фонд объявляет о начале приема заявок на конкурс отдельных научных групп и ведущих лабораторий мирового уровня

Читать далее
01.10.2020

Сегодня в 16:00 состоится онлайн-встреча Елены Загайновой с трудовым коллективом, которая пройдёт на площадке YouTube.

Читать далее
09.09.2020

Совет по грантам Президента Российской Федерации объявляет о начале приема заявок на получение стипендий Президента РФ и грантов для молодых ученых - кандидатов и докторов наук.

Читать далее
03.09.2020

Вакуумная система MSS-3G-2

для получения тонких пленок и наноструктур методом магнетронного распыления (производство Torr International, США)

 

Вакуумная установка для получения тоникх пленок методом магнетронного распыления

 

Назначение: получение тонких пленок и наноструктур на различных подложках.

 

Получаемые материалы: тонкие пленки GeO2, SiO2, ZrO2, серебра и меди.

 

Характеристики установки:

-       максимальный вакуум: 10-7 Торр

-       рабочие газы: сухой N2, технический N2, Ar, O2

-       рабочее давление атмосферы  распыления: 10-3 - 10-2 Торр

-       максимальная мощность ВЧ-генератора: 300 Вт

-       диаметр магнетрона: 50,8 мм (2”)

-       максимальная температура подложки: 500 0С.

-       предусмотрены вращение и нагрев подложек.

 

     В магнетронной распылительной системе производится распыление мишени ионами рабочего газа. Ионизацию этого газа осуществляют электроны, движущиеся в скрещенных электрическом и магнитном полях по замкнутым траекториям вблизи поверхности мишени.

    Наиболее важными параметрами процесса осаждения, оказывающими сильное влияние на свойства получаемых пленок, являются: мощность разряда, давление и состав рабочего газа, время осаждения, температура подложки и ее материал, а также напряжение смещения, подаваемое на пластины в процессе осаждения. Изменением этих параметров можно регулировать качество пленки.