Вакуумная система MSS-3G-2

для получения тонких пленок и наноструктур методом магнетронного распыления (производство Torr International, США)

Назначение: получение тонких пленок и наноструктур на различных подложках.

Получаемые материалы: тонкие пленки GeO₂, SiO₂, ZrO₂, серебра и меди.

Характеристики установки:

-       максимальный вакуум: 10^-7 Торр

-       рабочие газы: сухой N₂, технический N₂, Ar, O₂

-       рабочее давление атмосферы  распыления: 10^-3 - 10^-2 Торр

-       максимальная мощность ВЧ-генератора: 300 Вт

-       диаметр магнетрона: 50,8 мм (2”)

-       максимальная температура подложки: 500 ⁰С.

-       предусмотрены вращение и нагрев подложек.

     В магнетронной распылительной системе производится распыление мишени ионами рабочего газа. Ионизацию этого газа осуществляют электроны, движущиеся в скрещенных электрическом и магнитном полях по замкнутым траекториям вблизи поверхности мишени.

    Наиболее важными параметрами процесса осаждения, оказывающими сильное влияние на свойства получаемых пленок, являются: мощность разряда, давление и состав рабочего газа, время осаждения, температура подложки и ее материал, а также напряжение смещения, подаваемое на пластины в процессе осаждения. Изменением этих параметров можно регулировать качество пленки.