РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

Университет Лобачевского впервые вошел в международный рейтинг Times Higher Education Subject Rankings 2020 года по направлению "Инженерные науки и технологии"

Читать далее
17.10.2019

Заведующий лабораторией Михайлов А.Н. принял участие в международном форуме "Микроэлектроника 2019"

Читать далее
09.10.2019

Поздравляем инженеров отдела №5 НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение Стипендий Президента РФ и Правительства РФ на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
02.10.2019

Вакуумная система MSS-3G-2

для получения тонких пленок и наноструктур методом магнетронного распыления (производство Torr International, США)

 

Вакуумная установка для получения тоникх пленок методом магнетронного распыления

 

Назначение: получение тонких пленок и наноструктур на различных подложках.

 

Получаемые материалы: тонкие пленки GeO2, SiO2, ZrO2, серебра и меди.

 

Характеристики установки:

-       максимальный вакуум: 10-7 Торр

-       рабочие газы: сухой N2, технический N2, Ar, O2

-       рабочее давление атмосферы  распыления: 10-3 - 10-2 Торр

-       максимальная мощность ВЧ-генератора: 300 Вт

-       диаметр магнетрона: 50,8 мм (2”)

-       максимальная температура подложки: 500 0С.

-       предусмотрены вращение и нагрев подложек.

 

     В магнетронной распылительной системе производится распыление мишени ионами рабочего газа. Ионизацию этого газа осуществляют электроны, движущиеся в скрещенных электрическом и магнитном полях по замкнутым траекториям вблизи поверхности мишени.

    Наиболее важными параметрами процесса осаждения, оказывающими сильное влияние на свойства получаемых пленок, являются: мощность разряда, давление и состав рабочего газа, время осаждения, температура подложки и ее материал, а также напряжение смещения, подаваемое на пластины в процессе осаждения. Изменением этих параметров можно регулировать качество пленки.