Приглашаем принять участие в работе Международной конференции "Материаловедение будущего" ННГУ.
Российский научный фонд объявляет о начале приема заявок на конкурс отдельных научных групп и ведущих лабораторий мирового уровня
Сегодня в 16:00 состоится онлайн-встреча Елены Загайновой с трудовым коллективом, которая пройдёт на площадке YouTube.
Ионно-лучевая установка ИЛУ-200 (разработка НИФТИ)
Назначение: модификация приповерхностных свойств твердых тел и тонких пленок, легирование полупроводников, ионно-лучевой синтез захороненных сплошных слоев и наноструктур, инженерия дефектов, а также формирование приборных слоев и структур микро-, нано- и оптоэлектроники.
Характеристики установки:
- имплантируемые примеси: H, He, B, C, N, F, Ne, Si, P, Ar, As, Ga, Ge.
- рабочее вещество для получения ионов: газ, твердое тело.
- максимальная масса иона: до 75 а.е.
- энергия ионов: 50-160 кэВ.
- ионный ток: до 500 мкА в зависимости от энергии и типа ионов.
- облучаемая площадь: до 30×30 мм2.
- однородность легирования: не хуже 10%.
- возможность загрузки до 5 пластин диаметром 30 мм.
- пределы концентраций: от 10-6 ат.% до 30 ат.%.
- контроль профилей распределения с помощью выбора энергий ионов.
- оснащена спектроскопической системой PGT Quantum System 4004X с детектором мягкого рентгеновского излучения IGX50129 (спектральный диапазон 180 эВ – 100 кэВ, разрешение 129 эВ при 5,9 кэВ), что позволяет исследовать химический состав, структуру и дефекты в кристаллах и упорядоченных системах непосредственно при ионном облучении.
Атомы внедряемой примеси ионизируются в источнике ионов, позволяющем получить пучки ионов различных веществ. Экстрагированный из источника и сфокусированный электростатической линзой ионный пучок ускоряется полем секционной трубки и разделяется по массам электромагнитным анализатором. Взаимодействуя с атомами мишени, ионы многократно рассеиваются, теряют энергию и останавливаются на некотором расстоянии от поверхности, обычно на глубинах 0,01-1 мкм.
В последние годы получены наноматериалы, представляющие собой тонкие пленки оксидных диэлектриков (SiO2, SiO2-GeO2, Al2O3, ZrO2), содержащие массивы полупроводниковых нанокластеров или нанокристаллов (Si, SixC, SixGey), сформированные путем имплантации в исходный материал фазообразующих ионов и последующего отжига при температураз 500-1200 0С. Спектр оптического излучения материалов в видимом и ближнем ИК-диапазоне зависит от размеров нанокластеров, химического состава оксидной матрицы, и управляется путем вариации параметров ионной имплантации и отжига. Впервые установлена возможность улучшения люминесценции квантовых точек Si при ионном легировании фосфором. Предложен принципиально новый способ ионно-лучевого формирования люминесцирующих наноструктур путем облучения кремния ионами в области доз, переходных к аморфизации. Наноматериалы могут быть применены при создании устройств интегральной оптики, опто- и наноэлектроники, фотовольтаики а также в медицине.