Лаборатория физики и технологии тонких плёнок

     Лаборатория физики и технологии тонких пленок была создана в 1978 г. в результате реорганизации лабораторий отдела №2 электроники твердого тела. Ее возглавляли Э.В. Шитова (до 1989 г.), затем А.Н. Копасов (до 1991 г.), О.Н Горшков (до марта 2012 г.) и А.Н. Михайлов (по настоящее время). С момента образования лаборатории ее научная деятельность в основном была связана с разработкой новых технологий создания тонкопленочных материалов и структур для микро- и оптоэлектроники, оптоволоконной и интегральной оптики. В апреле 2012 года коллектив лаборатории был объединен с группой сотрудников НИФТИ, представляющих ведущую научную школу в области физики и техники ионной имплантации под руководством в.н.с. НИФТИ, профессора Д.И. Тетельбаума. Это привело к расширению и углублению научной тематики лаборатории. В своих исследованиях лаборатория тесно сотрудничает с кафедрами физического факультета ННГУ и подразделениями НОЦ «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ.

•  Основные направления научных исследований
•  Кадровый состав
•  Основные научные проекты
•  Основные публикации
•  Оборудование
•  Премии, награды
• Патенты
•  Защиты диссертаций
• Материалы на электронных носителях

Основные направления научных исследований лаборатории физики и технологии тонких пленок:

1)       Разработка новых научно-технологических решений по созданию тонкопленочных материалов и приборов для интегральной оптики, опто- и наноэлектроники

- Создание и исследование свойств планарных волноводных структур.

2)      Разработка физических и физико-химических основ ионно-лучевого синтеза и ионного легирования наноструктур на основе диэлектрических материалов с нанокластерами полупроводников и металлов 

-  Формирование наноразмерных включений элементов IV группы (кремния, германия, углерода и их соединений), полупроводников A₃B₅ (GaN, InN) и металлов (Au, Ag, Zr) в оксидных матрицах.

3)      Разработка физических принципов ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния

-  Ионно-лучевая модификация функциональных характеристик новых материалов, сформированных с помощью самых разнообразных подходов.

4)      Разработка физических принципов модификации свойств твердых тел ионными и фотонными пучками

- Накопление дефектов и аморфизация полупроводников при ионной имплантации, вторичное дефектообразование, эффект дальнодействия.

 5)     Разработка научно-технологических решений по созданию принципиально новой, универсальной энергонезависимой памяти – резистивной памяти, а также нейроимитирующих электронных устройств на основе мемристоров

- Создание и исследование свойств мемристивных наноструктур, демонстрирующих эффект резистивного переключения и синаптическое поведение.

Кадровый состав лаборатории физики и технологии тонких пленок

Михайлов Алексей Николаевич - заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.

Горшков Олег Николаевич - научный руководитель лаборатории, заведующий отделом твердотельной электроники и оптоэлектроники НИФТИ, к.ф.-м.н, доцент

Тетельбаум Давид Исаакович - научный руководитель лаборатории, ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н, профессор, почетный работник науки и техники РФ

Камин Виктор Александрович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с., главный инженер НИФТИ

Касаткин Александр Петрович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

Чигиринский Юрий Исаакович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

Гусейнов Давуд Вадимович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Белов Алексей Иванович - научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Шушунов Андрей Николаевич - младший научный сотрудник

Антонов Иван Николаевич - младший научный сотрудник

Шенина Мария Евгеньевна - научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Шарапов Александр Николаевич - младший научный сотрудник

Сидоренко Кирилл Викторович - младший научный сотрудник

Королев Дмитрий Сергеевич - младший научный сотрудник, ассистент кафедры электроники твердого тела ННГУ

Васильев Валерий Константинович - ведущий инженер

Дудин Юрий Аркадьевич - ведущий инженер

Основные научные проекты лаборатории физики и технологии тонких пленок

Основные публикации лаборатории физики и технологии тонких пленок

2013 г.

1. Ионное легирование кремния / В.В. Карзанов, Д.С. Королев // Практикум, электронное издание. – Нижний Новгород: Фонд компьютерных изданий ННГУ, 2013. – рег. № 568.13.05. – 21 с.
2. The ways of silicon carbide usage in field-emission devices: the technological aspect / N. Shelepin, I. Matyushkin, S. Orlov, A. Ermakov, K. Svechkarev, P. Bobovnikov, A. Mikhaylov, A. Belov // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 – Conference Proceedings. – P.177-180. ISBN: 978-1-4673-4669-6. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6552068
3. Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, легированным Er и Yb / М.В. Карзанова,  Е.С. Демидов, Ю.И. Чигиринский, А.Н. Шушунов, И.Н. Антонов, К.В. Сидоренко // Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, №2. – С.265-269. [Physics of the Solid State. – 2013. – Vol.55, №2. – С.301-305.]
4. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния / Д.С. Королев, А.Б. Костюк, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Ю.А. Дудин, А.И. Бобров, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, №11. – С.2243-2249. [Physics of the Solid State. – 2013. – Vol.55, №11. – С.2361-2367.]
5. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO₂ /А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум, А.И. Машин, Д.А. Павлов, А.В. Нежданов, А.И. Бобров, Д.А. Грачев // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т.47, №4. – С.460-465. [Semiconductors. – 2013. – Vol.47, №4. – P.481-486.]
6. Моноизотопный кремний ²⁸Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, А.В. Гусев, В.А. Гава, N.V. Abrosimov, H. Riemann, С.А. Попков // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т.47, №2. – С.168-173. [Semiconductors. – 2013. – Vol.47, №2. – P.203-208.]
7. Особенности пиннинга уровня ферми на границе раздела Al_0.3Ga_0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина // Письма в Журнал технической физики. – 2013. – Т.39, №23. – С.72-79. [Technical Physics Letters. – 2013. – Vol.39, №12. – P.1064-1067.]
8. Визуализация ИК излучения фторидной керамикой / А.П. Савикин, А.В. Будруев, А.Н. Шушунов, И.А. Гришин, Е.Л. Тихонова // Журнал прикладной химии. – 2013. – Т.86, №9. – С.1493-1496. [Russian Journal of Applied Chemistry. – 2013. – Vol.86, №9. – P.1459-1462.]
9. Ап-конверсионный люминофор Са₃(РО₄)₂:Er³⁺,Yb³⁺ для живых систем / А.И. Орлова, С.Н. Плескова, Н.В. Маланина, А.Н. Шушунов, Е.Н. Горшкова, Е.Е. Пудовкина, О.Н. Горшков // Неорганические материалы. – 2013. – Т.49, №7. – С.745-750. [Inorganic Materials. – 2013. – Vol.49, №7. – P.696-700.]
10. Synthesis, luminescence, and biocompatibility of calcium- and lanthanide-containing NaZr₂(PO₄)₃-type compounds / A.I. Orlova, A.E. Kanunov, E.N. Gorshkova, A.N. Shushunov, S.N. Pleskova, E.R. Mikheeva, D.O. Savinykh, E.S. Leonov // Inorganic Materials. – 2013. – Vol.49, №1. – P.89-94.
11. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами / Н.Н. Герасименко, А.Н. Михайлов, В.В. Козловский, О.А. Запорожан, Н.А. Медетов, Д.И. Смирнов, Д.А. Павлов, А.И. Бобров // Перспективные материалы. – 2013. – №8. – С.18-23. [Inorganic Materials: Applied Research. – 2014. – V.5, No.2. – P.133-137. DOI: 10.1134/S2075113314020063]
12. Эффект волновода для гиперзвука в кремнии с дислокациями / В.Л. Левшунова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №4. – С.61-65. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.2. – P.351-355.]
13. Роль оксидного слоя в эффекте дальнодействия при облучении кремния светом и ионами средних энергий / Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, А.А. Пяткина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №7. – С.31-36. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.4. – P.631-636.]
14. Влияние низкотемпературного (20-60°С) нагрева кремния на его микротвердость / Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Г.П. Похил, А.А. Кузьмина (Пяткина) // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №11. – С.102-106. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.6. – P.1110-1113.]
15. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния / С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.А. Бурдов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, Д.И. Тетельбаум // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2013. – №2. – С.68-73. [Russian Microelectronics. – 2014. – V.43, No.8. – P.575-580. DOI: 10.1134/S1063739714080101]
16. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор / П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов // Известия вузов. Электроника. – 2013. – №4(102). – С.3-12.
17. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий / П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов // Известия вузов. Электроника. – 2013. – №5(103). – С.3-13.
18. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO₂:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения / В.А. Терехов, Д.И. Тетельбаум, С.Ю. Турищев, Д.Е. Спирин, К.Н. Панков, Д.Н. Нестеров, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2013. – Т.15, №1. – С.48-53.
19. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiO_x, имплантированных углеродом / Д.Е. Спирин, В.А. Терехов, А.В. Анисимов, Д.Н. Нестеров, Б.А. Агапов, Н.А. Степанова, И.Е. Занин, О.В. Сербин, С.А. Солдатенко, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, А.Н. Михайлов // Вестник ВГУ. Серия: Физика. Математика. – 2013. – №2. – С.83-90.
20. Физические модели квантовых ям в курсе атомной физики / Э.В. Доброхотов, А.П. Касаткин // Преподаватель XXI ВЕК. – 2013. – №1. – С.207-211.
21. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок / А.В. Степанов, Г.М. Филиппов, А.Н. Михайлов, Д.В. Гусейнов, В.К. Васильев, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.39-45.
22. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO₂ методами электронной спектроскопии / А.В. Боряков, Д.Е. Николичев, С.И. Суродин, И.А. Чугров, М.А. Семерухин, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, А.В. Ершов, Е.И. Теруков, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.52-57.
23. Диагностика влияния облучения ионами бора на состояние поверхности медно-никелевой фольги в наномасштабе / А.А. Новоселов, В.Я. Баянкин, Д.О. Филатов, А.А. Смирнов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.12-16.
24. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO₂/Si методом комбинированной СТМ/АСМ / Д.А. Антонов, Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, А.Ю. Дудин, А.Н. Шарапов, А.В. Зенкевич, Ю.А. Матвеев // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.17-21.
25. Влияние деформаций на спектры ЭПР донорных центров лития и железа в моноизотопном ²⁸Si / А.А. Ежевский, С.А. Попков, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, В.А. Гавва, А.В. Гусев, Д.Г. Зверев, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С. 79-87.
26. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.П. Касаткин, С.В. Тихов, М.Е. Шенина, М.Н. Коряжкина // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №5(1). – C.51-54.

 2014 г.

1. Investigation of resistive switching in the nanocomposite zirconia films by tunneling atomic force microscopy / D.O. Filatov,D.A. Antonov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, D.A. Pavlov, V.N. Trushin, I.A. Antonov and M.E. Shenina // Atomic Force Microscopy (AFM): Principles, Modes of Operation and Limitations / Hongshun Yang (Eds.) – New York: Nova Science Publishers, Inc., 2014. – 359 p. – P.335-357. ISBN: 978-1-63117-172-7.
2. Imaging and Spectroscopy of the Au Nanoclusters in the YSZ Films by Ballistic Electron/Hole Emission Microscopy / D.O. Filatov, D.V. Guseinov, I.A. Antonov, O.N. Gorshkov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov // Nanotechnology 2014: Graphene, CNTs, Particles, Films & Composites – CRC Press, 2014. – Vol. 1, Chapter 6: Nanoscale Materials Characterization – 552 p. – P.432-435. ISBN: 978-1-4822-5826-4.
3. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals / V. Terekhov, D. Tetelbaum, D. Spirin, K. Pankov, A. Mikhailov, A. Belov, A. Ershov, S. Turishchev // Journal of Synchrotron Radiation. – 2014. – V.21, №1. – P.209-214. DOI: 10.1107/S1600577513030026
4. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures / D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 2014. – V.326. – P.41-44. DOI: 10.1016/j.nimb.2013.10.067
5. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes / V.A. Belyakov, K.V. Sidorenko, A.A. Konakov, A.V. Ershov, I.A. Chugrov, D.A. Grachev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, V.A. Burdov // Journal of Luminescence. – 2014. – V.155. – P.1-6. DOI: 10.1016/j.jlumin.2014.05.038
6. Monoisotopic ²⁸Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors / A.A. Ezhevskii, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.A. Konakov, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol.205-206. – P.191-200.
7. Thermophysical properties of Ca₂GeO₄ over the temperature range between (6 and 350) K / A.N. Shushunov, O.N. Gorshkov, N.N. Smirnova, N.V. Somov, Yu.I. Chigirinskiy, A.B. Bykov, A.V. Nezhdanov // The Journal of Chemical Thermodynamics. – 2014. – Vol.78.  – P.58-68.
8. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria stabilized zirconia films by Ballistic Electron/Hole Emission Microscopy / D. Filatov, D. Guseinov, I. Antonov, A. Kasatkin,O. Gorshkov // RSC Advances. – 2014. – V.4. – P. 57337-57342. DOI: 10.1039/c4ra10236c
9. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb / Е.С. Демидов, М.В. Карзанова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, Д.С. Королев, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, О.Н. Горшков, Н.Е. Демидова, Ю.И. Чигиринский // Физика твердого тела. – 2014. – Т.56, №3. – С.607-610. [Physics of the Solid State. – 2014. – Vol.56, No.3. – P.631-634. DOI: 10.1134/S1063783414030093]
10. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO_x/ZrO₂, содержащей нанокластеры кремния / А.В. Ершов, Д.А. Павлов, Д.А. Грачев, А.И. Бобров, И.А. Карабанова, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т.48, №1. – С.44-48. [Semiconductors. – 2014. – Vol.48, No.1. – P.42-45. DOI: 10.1134/S1063782614010114]
11. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si⁺ / А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, А.О. Тимофеева, В.К. Васильев, А.Н. Шушунов, А.И. Бобров, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Шек // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т.48, №2. – С.212-216. [Semiconductors. – 2014. – Vol.48, No.2. – P.199-203. DOI: 10.1134/S1063782614020183]
12. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №3. – С.12-19. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.2. – P.101–103. DOI: 10.1134/S1063785014020084]
13. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота / С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №9. – С.9-16. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.5. – P.369-371. DOI: 10.1134/S1063785014050137]
14. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл – диэлектрик − полупроводник / С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №19. – С.18-26. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.10. – P.837-840. DOI: 10.1134/S1063785014100137]
15. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций / С.П. Молодняков, В.В. Треушников, В.М. Треушников, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, М.Е. Шенина, А.Н. Шушунов, А.В. Круглов, В.В. Семенов // Журнал прикладной химии. – 2014. – Т.87, №3. – С.367-371. [Russian Journal of Applied Chemistry. – 2014. – Vol.87, No.3. – P.331-335. DOI: 10.1134/S1070427214030148]
16. New fluorine-containing alkoxysilane with branched cyclic substituent for preparing protective coatings with lowrefractive index / E.Yu. Ladilina, T.S. Lyubova, Yu.P. Klapshin, K.V. Sidorenko, V.V. Semenov, G.A. Domrachev // Doklady Physical Chemistry. – 2014. – Vol.456, No.2. – P.90-93.
17. Fluoride and tellurite glasses for thin-film IR viewers / A.P. Savikin, A.V Budruev, A.N. Shushunov, E.L. Tikhonova, K.V. Shastin, I.A. Grishin // Inorganic Materials. – 2014. – Vol.50, No.11. – P.1169-1173.
18. Ионно-пролётная модель имплантации, сформулированная на языке клеточных автоматов / И.В. Матюшкин, С.В. Коробов, А.Н. Михайлов, Д.В. Гусейнов // Электронная техника. Микроэлектроника. – 2014. – Вып.1(156). – С.59-67.
19. Исследование эффекта дальнодействия по изменению ширины линий Кикучи / В.В. Козловский, В.Л. Левшунова, Е.А. Питиримова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. – 2014. – №11. – С.82-85. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2014. – Vol.8, №6. – P.1165-1167.]
20. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO₂ / Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.Б. Костюк, М.В. Карзанова, А.В. Ершов, Е.С. Демидов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2014. – №1(2). – С.74-79.
21. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония / М.Н. Коряжкина, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Н.В. Малехонова, М.Е. Шенина // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2014. – №1(2). – С.80-83.
22. Синтез и спектроскопическое исследование эрбий- и иттербийсодержащих ортофосфатов со структурой лангбейнита / А.Е. Канунов, А.Н. Шушунов, Е.Н. Горшкова // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского. – 2014. – №3(1). – С.31-36.
23. Влияние межмолекулярных водородных связей на качество фоторезистных масок / В.И. Лебедев, В.Е. Котомина, С.В. Зеленцов, Е.C. Леонов, К.В. Сидоренко // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского. – 2014. – №4(1). – C.178-182.

2015 г.

1. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping / D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.N. Shushunov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov, E.I. Shek, N.A. Sobolev // Phys. Stat. Sol. C. – 2015. – V.12, No.1-2. – P.84-88. DOI: 10.1002/pssc.201400099
2. Point defects and interference effects in electron emission of SiO₂:Li,Na,K structures / E. Buntov, A. Zatsepin, A. Slesarev, A. Mikhailovich, A. Mikhaylov // Phys. Stat. Sol. A. – 2015. – В печати. DOI: 10.1002/pssa.201532446
3. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor / A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov // Mat. Sci. Eng. B. – 2015. – V.194. – P.48-54. DOI: 10.1016/j.mseb.2014.12.029
4. Resistive switching and impedance spectroscopy in SiO_x-based metal-oxide-metal trilayers down to helium temperatures / C.M.M. Rosário, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, I.A. Antonov, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, N.A. Sobolev // Vacuum. – 2015. – V.122. – P.293-299. DOI: 10.1016/j.vacuum.2015.05.007
5. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiO_x-based thin-film structures / D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, V.A. Sergeev, I.N. Antonov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum // Journal of Physics: Conference Series. – 2015. – Vol.643. – P.012094. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012094
6. Ion-beam synthesis of GaN in silicon / V.A. Sergeev, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, V.K. Vasiliev, A.E. Smirnov, D.E. Nikolitchev, S.I. Surodin, D.V. Guseinov, A.V. Nezhdanov, A.S. Markelov, V.N. Trushin, A.V. Pirogov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum // Journal of Physics: Conference Series. – 2015. – Vol.643. – P.012082. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012082
7. Thermodynamic properties and low-temperature X-ray diffraction of vitamin B3 / A.V. Knyazev, N.N. Smirnova, A.S. Shipilova, А.N. Shushunov, E.V Gusarova, S.S. Knyazeva // Thermochimica Acta. – 2015. – V.604. – P.115-121. DOI: 10.1016/j.tca.2015.01.012
8. Spin Relaxation Times of Donor Centers Associated with Lithium in Monoisotopic ²⁸Si / A.A. Ezhevskii, A.P. Detochenko, S.A. Popkov, A.A. Konakov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, D.G. Zverev, G.V. Mamin, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2015. – V.242. – P.322-326. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.322
9. The Impurity Spin-Dependent Scattering Effects in the Transport and Spin Resonance of Conduction Electrons in Bismuth Doped Silicon / A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.V. Kudrin, S.A. Popkov, A.P. Detochenko, A.V. Koroleva, A.A. Ezhevskii, A.A. Konakov, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2015. – V.242. – P.327-331. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.327
10. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge / Д.О. Филатов, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, Д.В. Гусейнов, Н.А. Алябина, М.М. Иванова, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т.49, №3. – С.399-405. [Semiconductors. – 2015. – Vol.49, No.3. – P.387-393. DOI: 10.1134/S1063782615030082]
11. Si:Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре / Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.241-244.
12. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN/ Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.К. Васильев, Д.В. Гусейнов, Е.В. Окулич, А.А. Шемухин, С.И. Суродин, Д.Е. Николичев, А.В. Нежданов, А.В. Пирогов, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.274-278.
13. Влияние облучения ионами H⁺ и Ne⁺ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiO_x / А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.С. Королев, В.А. Сергеев, Е.В. Окулич, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Е.Г. Грязнов, А.П. Ятманов, О.Н. Горшков, Д.И. Тетельбаум // Письма в Журнал технической физики. – 2015. – Т.41, №19. – С.81-89. [Technical Physics Letters. – 2015. – Vol.41, No.10. – P.957-960. DOI: 10.1134/S106378501510003X]
14. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П.Касаткин // Письма в Журнал технической физики. – 2016. – Т.42, №3. – С.52-60.
15. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO₂ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия / О.П. Гуськова, В.М. Воротынцев, Н.Д. Абросимова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Е.Л. Шоболов // Физика твердого тела. – 2015. – Т.57, №11. – С.2106-2111. [Physics of the Solid State. – 2015. – Vol.57, No.11. – P.2164-2169. DOI: 10.1134/S106378341511013X]
16. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.О. Филатов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров // Письма в Журнал технической физики. – 2016. – Т.42, №1. – С.72-79.
17. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiO_x / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Д.С. Королев, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Журнал технической физики. – 2015. – В печати.
18. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si⁺, и модель фотолюминесценции / С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, А.Н. Шушунов, А.И. Бобров, Д.А. Павлов, Е.И. Шек // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2015. – В печати.
19. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_7-d методом ионной имплантации / С.А. Королев, Д.В. Мастеров, А.И. Охапкин, С.А. Павлов, А.Е. Парафин, П.А. Юнин, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, В.К. Васильев, Д.И. Тетельбаум //  Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. – 2015. – В печати.

Оборудование лаборатории физики и технологии тонких пленок

1. Ионно-лучевая установка ИЛУ-200 (разработка НИФТИ)
2. Ионно-лучевая установка ИЛУ-3 (производство Курчатовского института)
3. Комбинированные вакуумные установки Torr International Inc.
4. Модернизированные установки на базе ВУ, УВН, ВУП
5. ИК-Фурье спектрометр Varian 4100 Excalibur с рамановской приставкой Synergy FT-Raman (Varian, США)
6. Cпектрофотометр Varian Cary 6000i (Varian, США)
7. Спектроскопический эллипсометр MicroPhotonics PHE-102 UV/VIS/NIR (Micro Photonic Inc.)
8. Анализатор параметров полупроводниковых приборов Agilent B1500A (Agilent Technologies, США)

Премии, награды, полученные сотрудниками лаборатории физики и технологии тонких пленок

2013 год

2014 год

2015 год

Патенты, ноу-хау лаборатории физики и технологии тонких пленок

Защиты диссертаций сотрудниками лаборатории физики и технологии тонких пленок

Научно-образовательные курсы и научно-популярные материалы
на электронных носителях

С использованием научно-технических результатов, полученных при поддержке Министерства образования и науки РФ, разработаны научно-образовательные курсы на электронных носителях по новейшим направлениям науки и технологий, а также научно-популярные материалы для школьников и школьных учителей.