В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с А.Михайловым, зав. лабораторией физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ

Читать далее
16.08.2018

В НИФТИ ННГУ с использованием ионной имплантации разработан уникальный УФ-детектор нечувствительный к солнцу (solar-blind photodetector)

Читать далее
14.08.2018

В еженедельнике "Аргументы и факты" (АиФ-Нижний Новгород) вышло интервью с М. Денисенко, зав. лабораторией Теории наноструктур НИФТИ ННГУ

Читать далее
07.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет аспирантов физического факультета ННГУ - сотрудников НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2018-2019 учебный год!

Читать далее
03.08.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет своих сотрудников - молодых кандидатов наук с победой в Президентской программе исследовательских проектов РНФ!

Читать далее
03.07.2018

Лаборатория физики и технологии тонких плёнок

 

 

     Лаборатория физики и технологии тонких пленок была создана в 1978 г. в результате реорганизации лабораторий отдела №2 электроники твердого тела. Ее возглавляли Э.В. Шитова (до 1989 г.), затем А.Н. Копасов (до 1991 г.), О.Н Горшков (до марта 2012 г.) и А.Н. Михайлов (по настоящее время). С момента образования лаборатории ее научная деятельность в основном была связана с разработкой новых технологий создания тонкопленочных материалов и структур для микро- и оптоэлектроники, оптоволоконной и интегральной оптики. В апреле 2012 года коллектив лаборатории был объединен с группой сотрудников НИФТИ, представляющих ведущую научную школу в области физики и техники ионной имплантации под руководством в.н.с. НИФТИ, профессора Д.И. Тетельбаума. Это привело к расширению и углублению научной тематики лаборатории. В своих исследованиях лаборатория тесно сотрудничает с кафедрами физического факультета ННГУ и подразделениями НОЦ «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ.

 

 

 

 

 

Основные направления научных исследований лаборатории физики и технологии тонких пленок:

 

1)       Разработка новых научно-технологических решений по созданию тонкопленочных материалов и приборов для интегральной оптики, опто- и наноэлектроники

- Создание и исследование свойств планарных волноводных структур.

2)      Разработка физических и физико-химических основ ионно-лучевого синтеза и ионного легирования наноструктур на основе диэлектрических материалов с нанокластерами полупроводников и металлов 

-  Формирование наноразмерных включений элементов IV группы (кремния, германия, углерода и их соединений), полупроводников A3B5 (GaN, InN) и металлов (Au, Ag, Zr) в оксидных матрицах.

3)      Разработка физических принципов ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния

-  Ионно-лучевая модификация функциональных характеристик новых материалов, сформированных с помощью самых разнообразных подходов.

4)      Разработка физических принципов модификации свойств твердых тел ионными и фотонными пучками

- Накопление дефектов и аморфизация полупроводников при ионной имплантации, вторичное дефектообразование, эффект дальнодействия.

 5)     Разработка научно-технологических решений по созданию принципиально новой, универсальной энергонезависимой памяти – резистивной памяти, а также нейроимитирующих электронных устройств на основе мемристоров

- Создание и исследование свойств мемристивных наноструктур, демонстрирующих эффект резистивного переключения и синаптическое поведение.

  

 


 

Кадровый состав лаборатории физики и технологии тонких пленок

 

Михайлов Алексей Николаевич - заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.

 

Горшков Олег Николаевич - научный руководитель лаборатории, заведующий отделом твердотельной электроники и оптоэлектроники НИФТИ, к.ф.-м.н, доцент

 

Тетельбаум Давид Исаакович - научный руководитель лаборатории, ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н, профессор, почетный работник науки и техники РФ

 

Камин Виктор Александрович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с., главный инженер НИФТИ

 

Касаткин Александр Петрович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

 

Чигиринский Юрий Исаакович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н., с.н.с.

  

Гусейнов Давуд Вадимович - старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

 

Белов Алексей Иванович - научный сотрудник, к.ф.-м.н.

 

Шушунов Андрей Николаевич - младший научный сотрудник

 

Антонов Иван Николаевич - младший научный сотрудник

 

Шенина Мария Евгеньевна - научный сотрудник, к.ф.-м.н.

 

Шарапов Александр Николаевич - младший научный сотрудник

 

Сидоренко Кирилл Викторович - младший научный сотрудник

 

Королев Дмитрий Сергеевич - младший научный сотрудник, ассистент кафедры электроники твердого тела ННГУ

 

Васильев Валерий Константинович - ведущий инженер

 

Дудин Юрий Аркадьевич - ведущий инженер

 


 

Основные научные проекты лаборатории физики и технологии тонких пленок

 

№ 

Название темы 

Наименование работы 

Руководи-тель темы 

Срок выполнения 

Начало 

 

Оконч. 

 1.

Физические принципы создания перспективных полупроводниковых и оксидных микро- и наноматериалов комбинированными методами осаждения, термообработки и ионной имплантации

Задание № 3.285.2014/K на выполнение научно-исследовательской работы в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности, код проекта: 285

Тетельбаум Д.И.

2014

2016

 2.

Плазмонно-индуцированная электропроводность в системах взаимодействующих металлических наночастиц в оксидных диэлектрических матрицах

Задание № 3.2441.2014/K на выполнение научно-исследовательской работы в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности, код проекта: 2441

Горшков О.Н.

2014

2016

3. 

Исследование структурных и электрофизических свойств тонкопленочных оксидных наноматериалов для структур мемристоров

Задание №2014/134 на выполнение государственных работ в сфере научной деятельности в рамках базовой части государственного задания Минобрнауки России, код проекта: 2591

Касаткин А.П.

2014

2016

4. 

Разработка технологических принципов изготовления и исследование приборных характеристик элементов энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти для интеграции в спецстойкий КМОП КНД процесс»

ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», мероприятие 1.2, уникальный идентификатор прикладных научных исследований RFMEFI57514X0029, Соглашение о предоставлении субсидии № 14.575.21.0029

Горшков О.Н.

2014

2016

 5.

Исследование ионно-лучевого синтеза и свойств систем на основе нанокристаллов нитрида галлия, внедренных в кремний-совместимые матрицы, для применений в фотодетекторах и источниках излучения нового поколения»

ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», мероприятие 2.1, уникальный идентификатор прикладных научных исследований RFMEFI58414X0008, Соглашение о предоставлении субсидии № 14.584.21.0008 от 22 октября 2014 г.

Тетельбаум Д.И.

2014

2016

6. 

Исследование влияния технологических режимов ионно-лучевой обработки на свойства кремний-углеродных структур в окнах катодных ячеек

Договор № ФТ-1501-2.1 от 30.10.2014 г. с АО «НПП «Алмаз»

Тетельбаум Д.И.

2014

2015

7. 

Влияние ионного облучения на характеристики резистивного переключения тонкопленочных структур на основе SiOx

Грант Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых, № МК-3714.2015.2

Белов А.И.

2015

2016

8. 

Разработка ионно-лучевой технологии создания элементов энергонезависимой резистивной памяти на основе кремния

Грант по программе “УМНИК” Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере, договор № 6095ГУ2/2015 от 19.06.2015

Королев Д.С.

2015

2016

9. 

Разработка научно-технологических решений по созданию мемристивных устройств на основе тонкопленочных оксидных наноструктур с электрическими параметрами, обеспечивающими способность имитировать ключевые функции синапсов в электронных моделях искусственных нейронных сетей

Грант на выполнение НИР в рамках Программы 5-100, Соглашение от 27 августа 2013 г. № 02.В.49.21.0003 между МОН РФ и ННГУ, приказ ректора ННГУ об открытии темы № 14-414 от 27.10.2015

Горшков О.Н.

2015

2015

 

 

Основные публикации лаборатории физики и технологии тонких пленок

2013 г.

  1. Ионное легирование кремния / В.В. Карзанов, Д.С. Королев // Практикум, электронное издание. – Нижний Новгород: Фонд компьютерных изданий ННГУ, 2013. – рег. № 568.13.05. – 21 с.
  2. The ways of silicon carbide usage in field-emission devices: the technological aspect / N. Shelepin, I. Matyushkin, S. Orlov, A. Ermakov, K. Svechkarev, P. Bobovnikov, A. Mikhaylov, A. Belov // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 – Conference Proceedings. – P.177-180. ISBN: 978-1-4673-4669-6. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6552068
  3. Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, легированным Er и Yb / М.В. Карзанова,  Е.С. Демидов, Ю.И. Чигиринский, А.Н. Шушунов, И.Н. Антонов, К.В. Сидоренко // Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, №2. – С.265-269. [Physics of the Solid State. – 2013. – Vol.55, №2. – С.301-305.]
  4. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния / Д.С. Королев, А.Б. Костюк, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Ю.А. Дудин, А.И. Бобров, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, №11. – С.2243-2249. [Physics of the Solid State. – 2013. – Vol.55, №11. – С.2361-2367.]
  5. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 /А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум, А.И. Машин, Д.А. Павлов, А.В. Нежданов, А.И. Бобров, Д.А. Грачев // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т.47, №4. – С.460-465. [Semiconductors. – 2013. – Vol.47, №4. – P.481-486.]
  6. Моноизотопный кремний 28Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, А.В. Гусев, В.А. Гава, N.V. Abrosimov, H. Riemann, С.А. Попков // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т.47, №2. – С.168-173. [Semiconductors. – 2013. – Vol.47, №2. – P.203-208.]
  7. Особенности пиннинга уровня ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина // Письма в Журнал технической физики. – 2013. – Т.39, №23. – С.72-79. [Technical Physics Letters. – 2013. – Vol.39, №12. – P.1064-1067.]
  8. Визуализация ИК излучения фторидной керамикой / А.П. Савикин, А.В. Будруев, А.Н. Шушунов, И.А. Гришин, Е.Л. Тихонова // Журнал прикладной химии. – 2013. – Т.86, №9. – С.1493-1496. [Russian Journal of Applied Chemistry. – 2013. – Vol.86, №9. – P.1459-1462.]
  9. Ап-конверсионный люминофор Са3(РО4)2:Er3+,Yb3+ для живых систем / А.И. Орлова, С.Н. Плескова, Н.В. Маланина, А.Н. Шушунов, Е.Н. Горшкова, Е.Е. Пудовкина, О.Н. Горшков // Неорганические материалы. – 2013. – Т.49, №7. – С.745-750. [Inorganic Materials. – 2013. – Vol.49, №7. – P.696-700.]
  10. Synthesis, luminescence, and biocompatibility of calcium- and lanthanide-containing NaZr2(PO4)3-type compounds / A.I. Orlova, A.E. Kanunov, E.N. Gorshkova, A.N. Shushunov, S.N. Pleskova, E.R. Mikheeva, D.O. Savinykh, E.S. Leonov // Inorganic Materials. – 2013. – Vol.49, №1. – P.89-94.
  11. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами / Н.Н. Герасименко, А.Н. Михайлов, В.В. Козловский, О.А. Запорожан, Н.А. Медетов, Д.И. Смирнов, Д.А. Павлов, А.И. Бобров // Перспективные материалы. – 2013. – №8. – С.18-23. [Inorganic Materials: Applied Research. – 2014. – V.5, No.2. – P.133-137. DOI: 10.1134/S2075113314020063]
  12. Эффект волновода для гиперзвука в кремнии с дислокациями / В.Л. Левшунова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №4. – С.61-65. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.2. – P.351-355.]
  13. Роль оксидного слоя в эффекте дальнодействия при облучении кремния светом и ионами средних энергий / Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, А.А. Пяткина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №7. – С.31-36. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.4. – P.631-636.]
  14. Влияние низкотемпературного (20-60°С) нагрева кремния на его микротвердость / Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Г.П. Похил, А.А. Кузьмина (Пяткина) // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2013. – №11. – С.102-106. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2013. – Vol.7, No.6. – P.1110-1113.]
  15. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния / С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.А. Бурдов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, Д.И. Тетельбаум // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2013. – №2. – С.68-73. [Russian Microelectronics. – 2014. – V.43, No.8. – P.575-580. DOI: 10.1134/S1063739714080101]
  16. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор / П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов // Известия вузов. Электроника. – 2013. – №4(102). – С.3-12.
  17. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий / П.Г. Бобовников, А.С. Ермаков, И.В. Матюшкин, С.Н. Орлов, К.П. Свечкарев, Н.А. Шелепин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов // Известия вузов. Электроника. – 2013. – №5(103). – С.3-13.
  18. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения / В.А. Терехов, Д.И. Тетельбаум, С.Ю. Турищев, Д.Е. Спирин, К.Н. Панков, Д.Н. Нестеров, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2013. – Т.15, №1. – С.48-53.
  19. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiOx, имплантированных углеродом / Д.Е. Спирин, В.А. Терехов, А.В. Анисимов, Д.Н. Нестеров, Б.А. Агапов, Н.А. Степанова, И.Е. Занин, О.В. Сербин, С.А. Солдатенко, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, А.Н. Михайлов // Вестник ВГУ. Серия: Физика. Математика. – 2013. – №2. – С.83-90.
  20. Физические модели квантовых ям в курсе атомной физики / Э.В. Доброхотов, А.П. Касаткин // Преподаватель XXI ВЕК. – 2013. – №1. – С.207-211.
  21. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок / А.В. Степанов, Г.М. Филиппов, А.Н. Михайлов, Д.В. Гусейнов, В.К. Васильев, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.39-45.
  22. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии / А.В. Боряков, Д.Е. Николичев, С.И. Суродин, И.А. Чугров, М.А. Семерухин, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, А.В. Ершов, Е.И. Теруков, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.52-57.
  23. Диагностика влияния облучения ионами бора на состояние поверхности медно-никелевой фольги в наномасштабе / А.А. Новоселов, В.Я. Баянкин, Д.О. Филатов, А.А. Смирнов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.12-16.
  24. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO2/Si методом комбинированной СТМ/АСМ / Д.А. Антонов, Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, А.Ю. Дудин, А.Н. Шарапов, А.В. Зенкевич, Ю.А. Матвеев // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С.17-21.
  25. Влияние деформаций на спектры ЭПР донорных центров лития и железа в моноизотопном 28Si / А.А. Ежевский, С.А. Попков, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, В.А. Гавва, А.В. Гусев, Д.Г. Зверев, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №2(2). – С. 79-87.
  26. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.П. Касаткин, С.В. Тихов, М.Е. Шенина, М.Н. Коряжкина // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2013. – №5(1). – C.51-54.

 

 2014 г.

  1. Investigation of resistive switching in the nanocomposite zirconia films by tunneling atomic force microscopy / D.O. Filatov,D.A. Antonov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, D.A. Pavlov, V.N. Trushin, I.A. Antonov and M.E. Shenina // Atomic Force Microscopy (AFM): Principles, Modes of Operation and Limitations / Hongshun Yang (Eds.) – New York: Nova Science Publishers, Inc., 2014. – 359 p. – P.335-357. ISBN: 978-1-63117-172-7.
  2. Imaging and Spectroscopy of the Au Nanoclusters in the YSZ Films by Ballistic Electron/Hole Emission Microscopy / D.O. Filatov, D.V. Guseinov, I.A. Antonov, O.N. Gorshkov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov // Nanotechnology 2014: Graphene, CNTs, Particles, Films & Composites – CRC Press, 2014. – Vol. 1, Chapter 6: Nanoscale Materials Characterization – 552 p. – P.432-435. ISBN: 978-1-4822-5826-4.
  3. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals / V. Terekhov, D. Tetelbaum, D. Spirin, K. Pankov, A. Mikhailov, A. Belov, A. Ershov, S. Turishchev // Journal of Synchrotron Radiation. – 2014. – V.21, №1. – P.209-214. DOI: 10.1107/S1600577513030026
  4. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures / D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 2014. – V.326. – P.41-44. DOI: 10.1016/j.nimb.2013.10.067
  5. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes / V.A. Belyakov, K.V. Sidorenko, A.A. Konakov, A.V. Ershov, I.A. Chugrov, D.A. Grachev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, V.A. Burdov // Journal of Luminescence. – 2014. – V.155. – P.1-6. DOI: 10.1016/j.jlumin.2014.05.038
  6. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors / A.A. Ezhevskii, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.A. Konakov, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol.205-206. – P.191-200.
  7. Thermophysical properties of Ca2GeO4 over the temperature range between (6 and 350) K / A.N. Shushunov, O.N. Gorshkov, N.N. Smirnova, N.V. Somov, Yu.I. Chigirinskiy, A.B. Bykov, A.V. Nezhdanov // The Journal of Chemical Thermodynamics. – 2014. – Vol.78.  – P.58-68.
  8. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria stabilized zirconia films by Ballistic Electron/Hole Emission Microscopy / D. Filatov, D. Guseinov, I. Antonov, A. Kasatkin,O. Gorshkov // RSC Advances. – 2014. – V.4. – P. 57337-57342. DOI: 10.1039/c4ra10236c
  9. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb / Е.С. Демидов, М.В. Карзанова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, Д.С. Королев, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, О.Н. Горшков, Н.Е. Демидова, Ю.И. Чигиринский // Физика твердого тела. – 2014. – Т.56, №3. – С.607-610. [Physics of the Solid State. – 2014. – Vol.56, No.3. – P.631-634. DOI: 10.1134/S1063783414030093]
  10. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx/ZrO2, содержащей нанокластеры кремния / А.В. Ершов, Д.А. Павлов, Д.А. Грачев, А.И. Бобров, И.А. Карабанова, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т.48, №1. – С.44-48. [Semiconductors. – 2014. – Vol.48, No.1. – P.42-45. DOI: 10.1134/S1063782614010114]
  11. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ / А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, А.О. Тимофеева, В.К. Васильев, А.Н. Шушунов, А.И. Бобров, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Шек // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т.48, №2. – С.212-216. [Semiconductors. – 2014. – Vol.48, No.2. – P.199-203. DOI: 10.1134/S1063782614020183]
  12. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №3. – С.12-19. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.2. – P.101–103. DOI: 10.1134/S1063785014020084]
  13. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота / С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №9. – С.9-16. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.5. – P.369-371. DOI: 10.1134/S1063785014050137]
  14. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл – диэлектрик − полупроводник / С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина // Письма в Журнал технической физики. – 2014. – Т.40, №19. – С.18-26. [Technical Physics Letters. – 2014. – Vol.40, No.10. – P.837-840. DOI: 10.1134/S1063785014100137]
  15. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций / С.П. Молодняков, В.В. Треушников, В.М. Треушников, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, М.Е. Шенина, А.Н. Шушунов, А.В. Круглов, В.В. Семенов // Журнал прикладной химии. – 2014. – Т.87, №3. – С.367-371. [Russian Journal of Applied Chemistry. – 2014. – Vol.87, No.3. – P.331-335. DOI: 10.1134/S1070427214030148]
  16. New fluorine-containing alkoxysilane with branched cyclic substituent for preparing protective coatings with lowrefractive index / E.Yu. Ladilina, T.S. Lyubova, Yu.P. Klapshin, K.V. Sidorenko, V.V. Semenov, G.A. Domrachev // Doklady Physical Chemistry. – 2014. – Vol.456, No.2. – P.90-93.
  17. Fluoride and tellurite glasses for thin-film IR viewers / A.P. Savikin, A.V Budruev, A.N. Shushunov, E.L. Tikhonova, K.V. Shastin, I.A. Grishin // Inorganic Materials. – 2014. – Vol.50, No.11. – P.1169-1173.
  18. Ионно-пролётная модель имплантации, сформулированная на языке клеточных автоматов / И.В. Матюшкин, С.В. Коробов, А.Н. Михайлов, Д.В. Гусейнов // Электронная техника. Микроэлектроника. – 2014. – Вып.1(156). – С.59-67.
  19. Исследование эффекта дальнодействия по изменению ширины линий Кикучи / В.В. Козловский, В.Л. Левшунова, Е.А. Питиримова, Г.П. Похил, Д.И. Тетельбаум // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. – 2014. – №11. – С.82-85. [Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2014. – Vol.8, №6. – P.1165-1167.]
  20. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 / Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.Б. Костюк, М.В. Карзанова, А.В. Ершов, Е.С. Демидов, Д.И. Тетельбаум // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2014. – №1(2). – С.74-79.
  21. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония / М.Н. Коряжкина, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Н.В. Малехонова, М.Е. Шенина // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. – 2014. – №1(2). – С.80-83.
  22. Синтез и спектроскопическое исследование эрбий- и иттербийсодержащих ортофосфатов со структурой лангбейнита / А.Е. Канунов, А.Н. Шушунов, Е.Н. Горшкова // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского. – 2014. – №3(1). – С.31-36.
  23. Влияние межмолекулярных водородных связей на качество фоторезистных масок / В.И. Лебедев, В.Е. Котомина, С.В. Зеленцов, Е.C. Леонов, К.В. Сидоренко // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского. – 2014. – №4(1). – C.178-182.

 

2015 г.

  1. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping / D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.N. Shushunov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov, E.I. Shek, N.A. Sobolev // Phys. Stat. Sol. C. – 2015. – V.12, No.1-2. – P.84-88. DOI: 10.1002/pssc.201400099
  2. Point defects and interference effects in electron emission of SiO2:Li,Na,K structures / E. Buntov, A. Zatsepin, A. Slesarev, A. Mikhailovich, A. Mikhaylov // Phys. Stat. Sol. A. – 2015. – В печати. DOI: 10.1002/pssa.201532446
  3. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor / A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov // Mat. Sci. Eng. B. – 2015. – V.194. – P.48-54. DOI: 10.1016/j.mseb.2014.12.029
  4. Resistive switching and impedance spectroscopy in SiOx-based metal-oxide-metal trilayers down to helium temperatures / C.M.M. Rosário, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, I.A. Antonov, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, N.A. Sobolev // Vacuum. – 2015. – V.122. – P.293-299. DOI: 10.1016/j.vacuum.2015.05.007
  5. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures / D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, V.A. Sergeev, I.N. Antonov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum // Journal of Physics: Conference Series. – 2015. – Vol.643. – P.012094. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012094
  6. Ion-beam synthesis of GaN in silicon / V.A. Sergeev, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, V.K. Vasiliev, A.E. Smirnov, D.E. Nikolitchev, S.I. Surodin, D.V. Guseinov, A.V. Nezhdanov, A.S. Markelov, V.N. Trushin, A.V. Pirogov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum // Journal of Physics: Conference Series. – 2015. – Vol.643. – P.012082. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012082
  7. Thermodynamic properties and low-temperature X-ray diffraction of vitamin B3 / A.V. Knyazev, N.N. Smirnova, A.S. Shipilova, А.N. Shushunov, E.V Gusarova, S.S. Knyazeva // Thermochimica Acta. – 2015. – V.604. – P.115-121. DOI: 10.1016/j.tca.2015.01.012
  8. Spin Relaxation Times of Donor Centers Associated with Lithium in Monoisotopic 28Si / A.A. Ezhevskii, A.P. Detochenko, S.A. Popkov, A.A. Konakov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, D.G. Zverev, G.V. Mamin, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2015. – V.242. – P.322-326. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.322
  9. The Impurity Spin-Dependent Scattering Effects in the Transport and Spin Resonance of Conduction Electrons in Bismuth Doped Silicon / A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.V. Kudrin, S.A. Popkov, A.P. Detochenko, A.V. Koroleva, A.A. Ezhevskii, A.A. Konakov, N.V. Abrosimov, H. Riemann // Solid State Phenomena. – 2015. – V.242. – P.327-331. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.327
  10. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge / Д.О. Филатов, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, Д.В. Гусейнов, Н.А. Алябина, М.М. Иванова, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т.49, №3. – С.399-405. [Semiconductors. – 2015. – Vol.49, No.3. – P.387-393. DOI: 10.1134/S1063782615030082]
  11. Si:Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре / Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.241-244.
  12. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN/ Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.К. Васильев, Д.В. Гусейнов, Е.В. Окулич, А.А. Шемухин, С.И. Суродин, Д.Е. Николичев, А.В. Нежданов, А.В. Пирогов, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.274-278.
  13. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx / А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.С. Королев, В.А. Сергеев, Е.В. Окулич, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Е.Г. Грязнов, А.П. Ятманов, О.Н. Горшков, Д.И. Тетельбаум // Письма в Журнал технической физики. – 2015. – Т.41, №19. – С.81-89. [Technical Physics Letters. – 2015. – Vol.41, No.10. – P.957-960. DOI: 10.1134/S106378501510003X]
  14. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П.Касаткин // Письма в Журнал технической физики. – 2016. – Т.42, №3. – С.52-60.
  15. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO2 при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия / О.П. Гуськова, В.М. Воротынцев, Н.Д. Абросимова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Е.Л. Шоболов // Физика твердого тела. – 2015. – Т.57, №11. – С.2106-2111. [Physics of the Solid State. – 2015. – Vol.57, No.11. – P.2164-2169. DOI: 10.1134/S106378341511013X]
  16. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления / О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.О. Филатов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров // Письма в Журнал технической физики. – 2016. – Т.42, №1. – С.72-79.
  17. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx / C.B. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, Д.С. Королев, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Журнал технической физики. – 2015. – В печати.
  18. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции / С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, А.Н. Шушунов, А.И. Бобров, Д.А. Павлов, Е.И. Шек // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2015. – В печати.
  19. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации / С.А. Королев, Д.В. Мастеров, А.И. Охапкин, С.А. Павлов, А.Е. Парафин, П.А. Юнин, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, В.К. Васильев, Д.И. Тетельбаум //  Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. – 2015. – В печати.

 

 

 

 

 

Оборудование лаборатории физики и технологии тонких пленок

  1. Ионно-лучевая установка ИЛУ-200 (разработка НИФТИ)
  2. Ионно-лучевая установка ИЛУ-3 (производство Курчатовского института)
  3. Комбинированные вакуумные установки Torr International Inc.
  4. Модернизированные установки на базе ВУ, УВН, ВУП
  5. ИК-Фурье спектрометр Varian 4100 Excalibur с рамановской приставкой Synergy FT-Raman (Varian, США)
  6. Cпектрофотометр Varian Cary 6000i (Varian, США)
  7. Спектроскопический эллипсометр MicroPhotonics PHE-102 UV/VIS/NIR (Micro Photonic Inc.)
  8. Анализатор параметров полупроводниковых приборов Agilent B1500A (Agilent Technologies, США)

 

 

Премии, награды, полученные сотрудниками лаборатории физики и технологии тонких пленок

2013 год

 

 

ФИО

Конкурс, награда

1. 

Михайлов А.Н.

Почетная грамота Министерства образования Нижегородской области за достигнутые результаты в развитии научно-образовательного комплекса Нижегородской области

2. 

Королев Д.С.

Диплом за доклад на Форуме молодых ученых Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (Н. Новгород, 16-18 сентября, 2013)

3. 

Королев Д.С.

Диплом победителя программы «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» («УМНИК») Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере

4. 

Костюк А.Б.

Стипендия Президента Российской Федерации аспирантам государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования на 2012/2013 учебный год

 5. 

Костюк А.Б.

Стипендия администрации Нижегородской области имени академика Г.А. Разуваева для аспирантов на 2012/2013 учебный год

 

2014 год

 

 

ФИО

Конкурс, награда

1. 

Королев Д.С.

Диплом I степени IV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина" (Минск, 7-10 октября 2014 г.)

2. 

Королев Д.С.

Диплом 19 Нижегородской сессии молодых ученых. Естественные и математические науки (Нижний Новгород)

3. 

Королев Д.С.

Победитель совместного (регионального) конкурса проектов по разработке и освоению новых видов наукоемкой продукции и технологий в номинации «У.М.Н.И.К.-НН-14»

4. 

Королев Д.С.

Стипендия Президента Российской Федерации аспирантам государственных образовательных учреждений высшего образования на 2014/2015 учебный год

5. 

Королев Д.С.

Стипендия администрации Нижегородской области имени академика Г.А. Разуваева для аспирантов на 2014/2015 учебный год

6. 

Королев Д.С.

Специальная стипендия Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского «Научная смена» для аспирантов и магистрантов в 2014 году

7. 

Королев Д.С.

Победа в конкурсе научных работ аспирантов исследовательской школы «Наноматериалы и нанотехнологии»

8. 

Коряжкина М.Н.

Победа в конкурсе научных работ аспирантов исследовательской школы «Наноматериалы и нанотехнологии»

9. 

Коряжкина М.Н.

Стипендия исследовательской школы ННГУ «Наноматериалы и нанотехнологии»

 

2015 год

 

 

ФИО

Конкурс, награда

1. 

Сергеев В.А.

Диплом за лучший доклад на школе-конференции с международным участием SPb OPEN 2015 (Санкт-Петербург)

2. 

Королев Д.С.

Стипендия Президента Российской Федерации аспирантам государственных образовательных учреждений высшего образования на 2015/2016 учебный год

3. 

Коряжкина М.Н.

Стипендия Правительства Российской Федерации аспирантам государственных образовательных учреждений высшего образования на 2015/2016 учебный год

4. 

Королев Д.С.

Стипендия Президента Российской Федерации для аспирантов, обучающихся по приоритетным направлениям модернизации и технологического развития российской экономики, на 2015/2016 учебный год

5. 

Королев Д.С.

Специальная стипендия Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского «Научная смена» для аспирантов и магистрантов в 2015 году

6. 

Королев Д.С.

Победа в конкурсном отборе заявок на получение стимулирующих выплат штатным молодым преподавателям ННГУ, не имеющим ученой степени и ведущим активную научно-педагогическую деятельность, в 2015 году

 

 

 


 

Патенты, ноу-хау лаборатории физики и технологии тонких пленок

 

№ п/п

Наименование объекта интеллектуальной собственности

Вид объекта

Дата приоритета

Территория (страна) и срок действия

Охранный документ (патент, свидетельство о регистрации)

Поставлен на бух. учет (ДА/НЕТ)

дата выдачи

1. 

Состав для скрытой графической знаковой записи информации на документах и изделиях и способ считывания ее

 

Изобретение, охраняемое патентом

08 августа 2000г.

Россия,  08.08.2020

2174173

27.09.2001

да

2. 

Элемент резистивной энергонезависимой памяти на основе стабилизированного диоксида циркония

 

Ноу-хау

02 декабря 2011г.

Россия

Приказ ректора ННГУ № 1053-ОП

02.12.2011

да

3. 

Элемент резистивной энергонезависимой памяти

Полезные модели

01.08.2014

Россия

149246

27.12.2014

да

4. 

Катод-мишень с внешним магнитным блоком

Полезные модели

22.12.2014

Россия

153424

27.07.2015

нет

5. 

Узел магнетронного распыления

Полезные модели

22.12.2014

Россия

153586

27.07.2015

нет

6. 

Узел магнетронного распыления

Полезные модели

16.02.2015

Россия

153588

27.07.2015

нет

 

 

 

 

Защиты диссертаций сотрудниками лаборатории физики и технологии тонких пленок

 

 

ФИО

Название работы

Степень

Специальность

Дата защиты

 1.

 Белов А. И.

 Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации

 К.ф.-м.н.

 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

 

 12.10.2011

 2.

 Чугров И.А.

 Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике

 

 К.ф.-м.н.

 01.04.10 – Физика полупроводников,

 03.10.2012

3.

Шенина М.Е.

Особенности формирования наноразмерных металлических частиц методом ионной имплантации в стабилизированном диоксиде циркония и исследование его оптических и электронных свойств

К.ф.-м.н.

01.04.07 – Физика конденсированного состояния

25.12.2013

 

 

 

 

 

Научно-образовательные курсы и научно-популярные материалы
на электронных носителях

С использованием научно-технических результатов, полученных при поддержке Министерства образования и науки РФ, разработаны научно-образовательные курсы на электронных носителях по новейшим направлениям науки и технологий, а также научно-популярные материалы для школьников и школьных учителей.

 

 Название курса/материала

 

Краткое описание курса/материала

 

   Курс лекций «Физические основы ионно-лучевого формирования и обработки кремниевых наноструктур»

 

      В курсе лекций изложены процессы, лежащие в основе применения ионных пучков (ионной имплантации и ионного облучения) для создания  светоизлучающих структур на базе кремния и оксида кремния, а также для управления их характеристиками. Излагаются механизмы фото- и электролюминесценции нанокристаллов кремния. Описаны основы методов ионно-лучевого синтеза и ионно-лучевой обработки нанокристаллов в диэлектриках. Рассмотрены применения ионной имплантации для формирования на основе кремния устройств, излучающих в актуальной для коммуникационной техники инфракрасной области спектра. Рассмотрены физические основы применения кремниевых наноструктур в запоминающих устройствах, в том числе в элементах памяти нового поколения RRAM, солнечных элементах и др. Цель и задачи курса состоят в ознакомлении студентов физических факультетов ВУЗов с одним из новейших направлений микро- и наноэлектроники. Содержание курса связано с актуальными для индустрии наносистем исследованиями и отражает новые подходы, на разработку которых направлен данный проект.

 

 

   Лабораторный практикум «Ионное легирование кремния»

 

      Целью настоящего лабораторного практикума является ознакомление с технологией ионной имплантации, освоение физических основ технологического процесса и овладение навыками расчета распределений ионов в твердых телах с помощью программы компьютерного моделирования методом Монте-Карло. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 210100 – «Электроника и наноэлектроника», 222900 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

 

 

   Научно-популярная статья для школьников и школьных учителей «Ионная имплантация и революция в микроэлектронике»

 

      Дано популярное изложение физики ионной имплантации, её применений как универсального метода в сфере микро-, опто- и наноэлектроники. Изложение материала увязано с обоснованием необходимости нового революционного скачка в развитии полупроводниковой электроники. Цель статьи состоит в том, чтобы стимулировать интерес школьников к данному направлению, а также вооружить учителей необходимыми в преподавании физики знаниями в рассматриваемой области науки и техники.