Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
16.11.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

 

Читать далее
16.11.2016

17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!

Читать далее
16.06.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
26.04.2016

2010

1.

Наименование результата:

Разработаны спиновые светоизлучающие диоды нового типа на основе квантово-размерных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с инжекторами, выполненными в виде ферромагнитных полуметаллических соединений (MnSb, MnAs, MnP). Такие диоды могут быть использованы в качестве источников циркулярно-поляризованного излучения. Рост структур осуществлялся оригинальным методом, сочетающим МОС-гидридную эпитаксию и лазерное нанесение в едином ростовом цикле. Изготовленные структуры содержали активную область с квантовой ямой InGaAs/GaAs и полуметаллические слои  (MnSb, MnAs, MnP). Исследования гальваномагнитных свойств показали, что соединения MnSb, MnAs и MnP  сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Исследования показали наличие циркулярно-поляризованной электролюминесценции изготовленных структур при низких температурах (2 К), степень поляризации в поле 0.7 Т – порядка 7%. В перспективе возможно получение циркулярно-поляризованного излучения при комнатной температуре. Полуметаллические ферромагнитные соединения MnSb, MnAs, MnP при использовании их в качестве инжекторов обладают лучшей совместимостью с полупроводниковыми структурами по сравнению с ферромагнитными металлами. Гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и полуметаллическими слоями MnSb, MnAs, MnP  являются перспективными для создания спиновых светоизлучающих диодов - приборов, позволяющих кодировать информацию с помощью ориентации спина носителей заряда и преобразовывать ее в циркулярно-поляризованное излучение  для последующей передачи.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

Стадия готовности к практическому использованию

Апробирован оригинальный  метод получения гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и полуметаллическими слоями MnSb, MnAs, MnP, являющихся перспективными для создания  спиновых светоизлучающих диодов.

Авторы:

Б.Н. Звонков, М.В. Дорохин, Ю.А.Данилов, А.В. Кудрин

Публикации:

 

 

 

2.

Наименование результата:

Разработан полупроводниковый лазерный диод на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP  с выводом излучения в подложку. Предложенная конструкция лазерного диода позволила получить значительный выход излучения в узком угловом интервале (около 1-2 град) и достичь энергии излучения 170 мкДж в режиме накачки одиночным импульсом тока величиной 88 А и длительностью 5 мкс в лазере с длиной 0.8 мм и шириной 360 мкм.

Назначение: Создание источников когерентного излучения повышенной мощности для  ИК-диапазона.

Область применения: Разработка лазерных дальномеров.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Разработан опытный образец.

 

Авторы:

Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, А.А.Бирюков

 

Публикации:

 

 

 

 

3.

Наименование результата:

Разработана феноменологическая модель объемной самодиффузии и диффузии атомов внедрения в области высоких (выше температуры Дебая) и низких температур (ниже температуры Дебая). Показано, что механизмы диффузии в области высоких и низких температур существенно отличаются. В области высоких температур диффузия обеспечивается флуктуациями, которые могут быть описаны в терминах локального плавления - образования «жидкого диффузионного коридора». В области низких температур, когда плавление в силу ряда причин затруднено, диффузия осуществляется путем флуктуационного образования "полого диффузионного коридора». Расчет энергии активации указанных процессов для случая самодиффузии дает хорошее соответствие с экспериментом в области температур выше температуры Дебая и показывает существенное повышение энергии активации при температурах ниже температуры Дебая. Расчет для энергии активации диффузии атомов внедрения в ОЦК металлах дает хорошее согласие с экспериментом во всем температурном интервале и позволяет объяснить эффект снижения энергии активации диффузии при низких температурах.

Разработанная теория позволяет провести численный расчет диффузионных характеристик (предэкспоненциальный множитель, энергия активации само- и гетеродиффузии) твердых тел при температурах ниже температуры Дебая, при которой наблюдается существенное изменение фундаментальных характеристик твердых тел (теплоемкости, коэффициента теплового расширения и др.).

Новая теория предназначена для описания диффузионно-контролируемых процессов в твердых телах (особенности процессов спекания керамик, процессов окисления при коррозии наноструктурированных металлов, процессов старения трубных сталей при комнатной температуре и др.).

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С.

Публикации:

1. Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С. О механизмах объемной диффузии при «высоких» и «низких» температурах - Доклады академии наук, 2010, т.430, вып.4, с.479-483.

2. Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С. Механизмы объемной диффузии при «высоких» и «низких» температурах – Физика твердого тела, 2011, т.53, №4, с. 727-732.

3. Chuvil’deev V.N., Smirnova E.S. Mechanisms of bulk diffusion at high and low temperatures – Doklady Physics, 2010, v. 55, №2, pp. 47-51.

 

4.

Наименование результата:

Разработаны новые высоконадежные нанодисперсные керамические композиционные материалы с повышенными физико-механическими свойствами (прочность, трещиностойкость, износостойкость), используемые при изготовлении пар трения радиально-упорного подшипника скольжения (керамического подпятника), обладающего повышенными эксплуатационными характеристиками, ресурсом и надежностью, для нового поколения газовых центрифуг надкритического типа.

Указанные элементы газовых центрифуг – керамические подпятники – относятся к наиболее ответственным деталям, от которых во многом зависит работоспособность и долговечность (ресурс) центрифуг надкритического типа, используемых при решении задач по разделению изотопов урана. Керамические подпятники в процессе работы газовой центрифуги (особенно в условиях разгона и останова при прохождении резонансных частот) подвергаются значительной механической нагрузке при сверхвысоких скоростях вращения в условиях бедной смазки или ее полного отсутствия. Недостаточная эксплуатационная надежность в динамических режимах керамического подпятника ограничивает ресурс опоры и, как следствие, ресурс самой газовой центрифуги, а возможности совершенствования традиционных технологий изготовления указанных опорных узлов практически исчерпались, что существенно тормозит разработку центрифуг нового поколения.

Исследования, проведенные ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород» совместно с Нижегородским государственным университетом им. Н.И. Лобачевского (ННГУ) в рамках выполнения совместных НИР и хоздоговорных работ, показали, что разрабатываемые в ННГУ наноструктурированные композиционные керамические материалы с использованием ряда новых нанотехнологий (среди которых особо следует выделить технологию высокоскоростного электроимпульсного плазменного спекания нанопорошков – в иностранной литературе используется термин «Spark Plasma Sintering», SPS-technology) обнаруживают существенные перспективы по повышению надежности и ресурса керамического подпятника для перспективных газовых центрифуг. Разрабатываемые в ННГУ композиционные керамические наноматериалы на основе оксида алюминия (керамические нанокомпозиты Al2O3-SiC, Al2O3-ZrO2 и др.) обладают характеристиками твердости и трещиностойкости (определяющими ресурс радиально-упорного подшипника скольжения газовых центрифуг) превосходящими аналогичные параметры как лейкосапфира, широко используемого в настоящее время для изготовления керамического подпятника, так и для его современных аналогов, получаемых с использованием традиционных технологий порошковой металлургии (горячего прессования, термоактивированного спекания и др.).

Стендовые испытания разработанных в ННГУ нанокомпозиционных керамических материалов, проведенные ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород», свидетельствует о повышенной надежности и ресурсе динамических пар трения газовых центрифуг, изготавливаемых из разрабатываемых наноматериалов, а также о перспективности предлагаемых решений, основанных на использовании новых нанотехнологий.

Разработанные нанокомпозиционные керамики на основе оксида алюминия обладают характеристиками трещиностойкости (определяющими ресурс пары трения газовой центрифуги) не менее чем в два раза превосходящими аналогичные параметры для стандартных керамических материалов зарубежных поставщиков, используемых в настоящее время в конструкции газовой центрифуги.

Важно отметить, что разработанные нанокерамики планируется использовать также при изготовлении пар трения в супермаховичных накопителях энергии, которые позволяют обеспечить эффективное решение задач энергосбережения для ряда отраслей отечественной промышленности.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов.

Стадия готовности к практическому использованию

Изготовлена опытная серия образцов, которые переданы для проведения эксплуатационных испытаний в ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород» (структурное подразделение ОАО «ТВЭЛ», входящего в ОАО «Росатом»)

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Нохрин А.В., Москвичева А.В., Болдин М.С., Котков Д.Н.

Публикации:

 

 

 

 

 

 

5.

Наименование результата:

Экспериментально обнаружен эффект увеличения интенсивности электролюминесценции (IEL) на длине волны 1,5 мкм при введении акцепторной примеси (B, Al, Ga) в слой n-Si:Er структуры p+‑Si/n‑Si:Er/n+-Si, выращенной методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ).

Наибольшее увеличение IEL в 1,5 раза превышает достигнутое ранее значение в туннельно-пролетных структурах в режиме пробоя обратно смещенного p/n–перехода и соответствует уровню компенсации донорной примеси, близкому к максимальному.

Обнаружено также наличие максимума в токовой зависимости IEL. Замечено, что данная особенность имеет место как в режиме постоянного тока, так и в режиме импульсного смещения. При этом значение IEL имеет максимум в зависимости от длительности импульса. Расчетным путем показано, что максимум IEL имеет место при одной и той же температуре p/n–перехода для всех рассмотренных структур и режимов смещения.

Правовая защита: Объект авторского права

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Корнаухов А.В., Кузнецов В.П., Алябина Н.А., Боженкин В.А., Марычев М.О., Щипкова Л.Т.

Публикации:

1. Кузнецов В.П., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Кудрявцев К.Е., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1,5мкм в диодных структурах Si:Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B. // ФТП, 2010, т.44, в.12, с.1645.

 

6.

Наименование результата:

Предложена новая физическая модель процесса электролюминесценции (ЭЛ) на длине волны 1,5 мкм в выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) p+-Si/n-Si:Er/n+-Si – структурах в режиме пробоя p/n–перехода при обратном смещении. Модель предполагает, что электролюминесценция обусловлена излучательными переходами в 4f-оболочке ионов Er3+, возбуждаемыми в результате передачи им энергии, освобождаемой при безызлучательном переходе электронов с уровней глубоких доноров центров Er на уровни мелких акцепторов в области пространственного заряда p/n–перехода. Предполагается, что деионизация глубоких доноров и мелких акцепторов основана на туннелировании электронов в сильном поле p/n–перехода из V зоны p+-слоя, а также с уровней мелких акцепторов на глубокие донорные состояния. Отмечено, что предлагаемая модель находится в качественном согласии с совокупностью основных результатов экспериментальных исследований электрофизических и оптоэлектронных характеристик рассматриваемых объектов.

В отличие от применяемой в настоящее время модели ударного возбуждения ЭЛ предлагаемая модель позволяет объяснить изменение интенсивности ЭЛ от температуры, от концентрации ионизованных доноров в n-Si:Er слое, а также от толщины слаболегированного n-слоя в плоскости p/n–перехода известными закономерностями процесса туннелирования без привлечения дополнительных предположений об уменьшении длины свободного пробега электронов в С-зоне с уменьшением температуры, а также развития неоднородности пробоя по площади p/n–перехода при снижении концентрации ионизованных доноров.

Правовая защита: Объект авторского права.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Корнаухов А.В., Филатов Д.О., Ежевский А.А.

Публикации:

1. Филатов Д.O., Зимовец И.А., Исаков M.A., Кузнецов В.П., Корнаухов A.В. О механизме электролюминесценции Er примесных комплексов в p+-Si/n-Si:(Er,B) диодах при обратном смещении. // «Научная сессия НИЯУ МИФИ – 2011», Аннот.докл., т2, С.69.

2. Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p/n переходом в режиме пробоя при обратном смещении, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. // ФТП, 2011, том 45, вып. 1, с.87-92.

 

7.

Наименование результата:

Обнаружена зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе p-n структур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа, от условий формирования островков.

Установлено, что понижение температуры осаждения Ge от 700 0С до 600 0С приводит к сдвигу красной границы рабочего спектрального диапазона указанных фотодиодов от 1.45 мкм до 1.9 мкм и к увеличению примерно в 10 раз фотоотклика на длине волны 1,55 мкм, что связано с увеличением доли Ge в твёрдом растворе GeSi и с увеличением поверхностной плотности островков.

Правовая защита: Объект авторского права.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Шенгуров В.Г., Корнаухов А.В., Филатов Д.О., А.П.Горшков, Н.А.Алябина.

Публикации:

1. Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров Д.В. Установка и вакуумный метод эпитаксиального выращивания многослойных структур, содержащих слои  Si, Ge и SiGe. // Вакуумная техника и технология. 2011. – Т.21, №1. – С.45-48.

 

 

 

8.

Наименование результата:

Предложена методика определения энергии ионизации глубоких центров, связанных с примесью Er в Si, методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии (БЭЭС).

Метод БЭЭС был впервые применён для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В БЭЭС спектрах меза-диодов на основе p+n+ Si структур с тонким (~ 30 нм) поверхностным слоем p+‑Si:Er в области энергий баллистических электронов еVt, меньших энергии края зоны проводимости Ec в слое p+-Si:Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое p+-Si:Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к p+n+ переходу и/или прямым туннелированием в последний. Определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si Еd~Ес–0,27 эВ.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Филатов Д.О., Корнаухов А.В., Кузнецов В.П.

Публикации:

1. Филатов Д.O., Зимовец И.А., Исаков M.A., Кузнецов В.П., Корнаухов A.В. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии. // ФТП, 2011, т. 45, с.1153-1158.

 

9.

Наименование результата:

Обнаружен эффект аномально слабого гашения фотолюминесценции нанокристаллов (НК) кремния, сформированных в многослойных структурах, при облучении ионами золота.

Фотолюминесценция нанокристаллов кремния обычно крайне чувствительна к радиационным дефектам. Образование даже единичного точечного дефекта в НК или на его границе с матрицей приводит к сильной деградации люминесцентных свойств. Обнаруженный эффект заключается в том, что при облучении ионами золота многослойных нанопериодических структур SiOx/SiO2/SiOx …, в которых НК Si сформированы термическим распадом слоев SiOx, наблюдается аномально слабое гашение люминесценции НК Si даже при дозах, создающих до ~103 смещений на атом. Такая высокая радиационная стойкость присуща только многослойным структурам: при облучении однослойной системы SiO2 с НК Si фотолюминесценция НК Si гаснет уже при сравнительно малых дозах. Данный эффект важен при формировании смешанных ансамблей НК Si и нанокластеров Au для создания устройств нанофотоники и плазмоники, использующих взаимодействие плазмонов и квантовых точек в диэлектрических матрицах. О новизне полученного результата свидетельствует отсутствие сообщений аналогичного характера в мировой литературе.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Чугров И.А., Дудин Ю.А.

Публикации:

  1. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния / А.Н. Михайлов, А.Б. Костюк, Д.С. Королев, И.Ю. Жаворонков, И.А. Чугров, А.И. Белов, В.А. Бурдов, А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум // Известия Академии наук. Серия физическая. – 2012. – №2. – В печати.
  2. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния / А.Н. Михайлов А.Б. Костюк, Д.С. Королев, И.Ю. Жаворонков,  И.А. Чугров, А.И. Белов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, В.А. Бурдов, А.В. Ершов, Ю.А. Дудин, Д.И. Тетельбаум // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.438-439.

 

 

10.

Наименование результата:

Впервые методом лазерного распыления мишеней Mn и GaSb или Sb в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs (100) были получены ферромагнитные кристаллические полупроводниковые слои GaMnSb и полуметаллические слои MnSb, которые могут быть использованы в качестве инжекторов спин-ориентированных носителей тока в приборах спинтроники. Слои GaMnSb и MnSb толщиной порядка 100 нм были получены при низких температурах (< 400°С) поочередным лазерным распылением мишеней Mn и GaSb или Sb в потоке водорода. Зависимости сопротивления Холла от магнитного поля для данных слоев имеют нелинейный вид с петлей гистерезиса вплоть до  комнатной температуры. Преимуществом разработанного метода получения слоев GaMnSb и MnSb по сравнению с обычно используемым методом молекулярно-лучевой эпитаксии  является дешевизна оборудования  и более высокая производительность процесса. Другое преимущество представляет собой  сохранение ферромагнитных свойств материалов слоев GaMnSb и MnSb, согласно гальваномагнитным исследованиям, вплоть до комнатной температуры.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

 

Стадия готовности к практическому использованию

Апробирован метод получения ферромагнитных кристаллических полупроводниковых слоев GaMnSb и полуметаллических слоев MnSb. Исследованы их кристаллическая структура, состав, магнитооптические и гальваномагнитные свойства.

Авторы:

Б.Н. Звонков, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, О.В. Вихрова, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников

Публикации:

 


11.

Наименование результата:

Получена и исследована двухчастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров – межзонном двухкаскадном лазере с туннельным p-n переходом, разделяющим две активные области квантовых ям, расположенные в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера обеспечила одновременную генерацию моды первого порядка с длиной волны 1.086 мкм и моды второго порядка с длиной волны 0.96 мкм в непрерывном режиме. Наблюдение генерации суммарной частоты дает экспериментальное доказательство взаимодействия мод. Аналогов нет. Полученные гетеронаноструктуры предназначены для создания источников когерентного излучения среднего и дальнего ИК-диапазона, которые могут применяться в системах оптической связи и телекоммуникаций.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

 

Стадия готовности к практическому использованию

Разработан лабораторный  образец

 

Авторы:

Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин

 

Публикации:

 

 

12.

Наименование результата:

Разработан комплекс аппаратуры для контроля функционирования и диагностики бортовых систем космических аппаратов.

Указанный комплекс обладает следующими возможностями: генерация большого числа стимулирующих воздействий (сигналов) на объект контроля и одновременная регистрация многочисленных (до нескольких сотен) показателей работы испытываемого объекта, их обработка, представление и протоколирование в условиях жестких эксплуатационных требований: длительный срок эксплуатации (не менее 10 лет), массогабаритные ограничения, электромагнитная совместимость, жесткие климатические и транспортные требования.

Область применения: авиационные и космические технологии, многоканальные системы сбора и обработки информации о сложных технических объектах.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы.

Транспортные, авиационные и космические системы.

Стадия готовности к практическому использованию

Разработана конструкторская документация, программное обеспечение, эксплуатационная документация, опытный образец.

Авторы:

Фидельман В.Р., Минеев С.А.

Публикации:

 

 


13.

Наименование результата:

Разработана методика эпитаксиального выращивания слоев GaAs приборного качества на Si-подложках с буферным слоем Ge. Такие слои могут применяться для создания светоизлучающих приборов и лазерных структур на основе GaAs, выращенных на дешевых подложках Si большой площади, а также для интеграции оптических схем на основе A3B5 с интегральными схемами на основе кремния.

На подложках Si(100) и (111) выращивали буферный слой Ge в установке молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (300-400 ºC) методом «горячей проволоки» в атмосфере германа (GeH4). Толщина слоев составляла 0,2-0,5 мкм. Шероховатость поверхности слоя Ge при исследовании на атомно-силовом микроскопе составляла RMS = 0.56 нм на скане размером 10×10 мкм2. По данным рентгеновской дифракции слои характеризовались достаточно высоким структурным совершенством: ширина интенсивности на половине его максимума составляла FWHM=0,24º. Методом МОС-гидридной эпитаксии на буферном слое Ge выращивали гетероструктуры, состоящие из слоев GaAs и InGaAs в виде квантовых ям. Слои имели структуру мозаичного кристалла с разориентацией блоков мозаики: для GaAs(400) FWHM = 0.0075º и InGaAs FWHM = 0.1º. Спектры фотолюминесценции данных структур сравнимы со спектрами структур, выращенных на подложках GaAs, а по интенсивности несколько ниже, что, вероятно, связано с дефектами на границе со слоем германия.

Преимуществом данной методики является использование при росте постоянной низкой температуры в отличие от известных методов, где первый слой малой толщины растят при низкой температуре, а основную часть слоя – при повышенной (~600 ºC). Выбранный нами температурный режим позволяет минимизировать механические напряжения в слое Ge и тем самым снизить плотность дефектов.

Планируется подать заявку на изобретение.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

Авторы:

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Звонков Б.Н., Вихрова О.В.

Публикации: