18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

2010

1.

Наименование результата:

Разработаны спиновые светоизлучающие диоды нового типа на основе квантово-размерных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с инжекторами, выполненными в виде ферромагнитных полуметаллических соединений (MnSb, MnAs, MnP). Такие диоды могут быть использованы в качестве источников циркулярно-поляризованного излучения. Рост структур осуществлялся оригинальным методом, сочетающим МОС-гидридную эпитаксию и лазерное нанесение в едином ростовом цикле. Изготовленные структуры содержали активную область с квантовой ямой InGaAs/GaAs и полуметаллические слои  (MnSb, MnAs, MnP). Исследования гальваномагнитных свойств показали, что соединения MnSb, MnAs и MnP  сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Исследования показали наличие циркулярно-поляризованной электролюминесценции изготовленных структур при низких температурах (2 К), степень поляризации в поле 0.7 Т – порядка 7%. В перспективе возможно получение циркулярно-поляризованного излучения при комнатной температуре. Полуметаллические ферромагнитные соединения MnSb, MnAs, MnP при использовании их в качестве инжекторов обладают лучшей совместимостью с полупроводниковыми структурами по сравнению с ферромагнитными металлами. Гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и полуметаллическими слоями MnSb, MnAs, MnP  являются перспективными для создания спиновых светоизлучающих диодов - приборов, позволяющих кодировать информацию с помощью ориентации спина носителей заряда и преобразовывать ее в циркулярно-поляризованное излучение  для последующей передачи.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

Стадия готовности к практическому использованию

Апробирован оригинальный  метод получения гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и полуметаллическими слоями MnSb, MnAs, MnP, являющихся перспективными для создания  спиновых светоизлучающих диодов.

Авторы:

Б.Н. Звонков, М.В. Дорохин, Ю.А.Данилов, А.В. Кудрин

Публикации:

 

 

 

2.

Наименование результата:

Разработан полупроводниковый лазерный диод на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP  с выводом излучения в подложку. Предложенная конструкция лазерного диода позволила получить значительный выход излучения в узком угловом интервале (около 1-2 град) и достичь энергии излучения 170 мкДж в режиме накачки одиночным импульсом тока величиной 88 А и длительностью 5 мкс в лазере с длиной 0.8 мм и шириной 360 мкм.

Назначение: Создание источников когерентного излучения повышенной мощности для  ИК-диапазона.

Область применения: Разработка лазерных дальномеров.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Разработан опытный образец.

 

Авторы:

Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, А.А.Бирюков

 

Публикации:

 

 

 

 

3.

Наименование результата:

Разработана феноменологическая модель объемной самодиффузии и диффузии атомов внедрения в области высоких (выше температуры Дебая) и низких температур (ниже температуры Дебая). Показано, что механизмы диффузии в области высоких и низких температур существенно отличаются. В области высоких температур диффузия обеспечивается флуктуациями, которые могут быть описаны в терминах локального плавления - образования «жидкого диффузионного коридора». В области низких температур, когда плавление в силу ряда причин затруднено, диффузия осуществляется путем флуктуационного образования "полого диффузионного коридора». Расчет энергии активации указанных процессов для случая самодиффузии дает хорошее соответствие с экспериментом в области температур выше температуры Дебая и показывает существенное повышение энергии активации при температурах ниже температуры Дебая. Расчет для энергии активации диффузии атомов внедрения в ОЦК металлах дает хорошее согласие с экспериментом во всем температурном интервале и позволяет объяснить эффект снижения энергии активации диффузии при низких температурах.

Разработанная теория позволяет провести численный расчет диффузионных характеристик (предэкспоненциальный множитель, энергия активации само- и гетеродиффузии) твердых тел при температурах ниже температуры Дебая, при которой наблюдается существенное изменение фундаментальных характеристик твердых тел (теплоемкости, коэффициента теплового расширения и др.).

Новая теория предназначена для описания диффузионно-контролируемых процессов в твердых телах (особенности процессов спекания керамик, процессов окисления при коррозии наноструктурированных металлов, процессов старения трубных сталей при комнатной температуре и др.).

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С.

Публикации:

1. Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С. О механизмах объемной диффузии при «высоких» и «низких» температурах - Доклады академии наук, 2010, т.430, вып.4, с.479-483.

2. Чувильдеев В.Н., Смирнова Е.С. Механизмы объемной диффузии при «высоких» и «низких» температурах – Физика твердого тела, 2011, т.53, №4, с. 727-732.

3. Chuvil’deev V.N., Smirnova E.S. Mechanisms of bulk diffusion at high and low temperatures – Doklady Physics, 2010, v. 55, №2, pp. 47-51.

 

4.

Наименование результата:

Разработаны новые высоконадежные нанодисперсные керамические композиционные материалы с повышенными физико-механическими свойствами (прочность, трещиностойкость, износостойкость), используемые при изготовлении пар трения радиально-упорного подшипника скольжения (керамического подпятника), обладающего повышенными эксплуатационными характеристиками, ресурсом и надежностью, для нового поколения газовых центрифуг надкритического типа.

Указанные элементы газовых центрифуг – керамические подпятники – относятся к наиболее ответственным деталям, от которых во многом зависит работоспособность и долговечность (ресурс) центрифуг надкритического типа, используемых при решении задач по разделению изотопов урана. Керамические подпятники в процессе работы газовой центрифуги (особенно в условиях разгона и останова при прохождении резонансных частот) подвергаются значительной механической нагрузке при сверхвысоких скоростях вращения в условиях бедной смазки или ее полного отсутствия. Недостаточная эксплуатационная надежность в динамических режимах керамического подпятника ограничивает ресурс опоры и, как следствие, ресурс самой газовой центрифуги, а возможности совершенствования традиционных технологий изготовления указанных опорных узлов практически исчерпались, что существенно тормозит разработку центрифуг нового поколения.

Исследования, проведенные ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород» совместно с Нижегородским государственным университетом им. Н.И. Лобачевского (ННГУ) в рамках выполнения совместных НИР и хоздоговорных работ, показали, что разрабатываемые в ННГУ наноструктурированные композиционные керамические материалы с использованием ряда новых нанотехнологий (среди которых особо следует выделить технологию высокоскоростного электроимпульсного плазменного спекания нанопорошков – в иностранной литературе используется термин «Spark Plasma Sintering», SPS-technology) обнаруживают существенные перспективы по повышению надежности и ресурса керамического подпятника для перспективных газовых центрифуг. Разрабатываемые в ННГУ композиционные керамические наноматериалы на основе оксида алюминия (керамические нанокомпозиты Al2O3-SiC, Al2O3-ZrO2 и др.) обладают характеристиками твердости и трещиностойкости (определяющими ресурс радиально-упорного подшипника скольжения газовых центрифуг) превосходящими аналогичные параметры как лейкосапфира, широко используемого в настоящее время для изготовления керамического подпятника, так и для его современных аналогов, получаемых с использованием традиционных технологий порошковой металлургии (горячего прессования, термоактивированного спекания и др.).

Стендовые испытания разработанных в ННГУ нанокомпозиционных керамических материалов, проведенные ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород», свидетельствует о повышенной надежности и ресурсе динамических пар трения газовых центрифуг, изготавливаемых из разрабатываемых наноматериалов, а также о перспективности предлагаемых решений, основанных на использовании новых нанотехнологий.

Разработанные нанокомпозиционные керамики на основе оксида алюминия обладают характеристиками трещиностойкости (определяющими ресурс пары трения газовой центрифуги) не менее чем в два раза превосходящими аналогичные параметры для стандартных керамических материалов зарубежных поставщиков, используемых в настоящее время в конструкции газовой центрифуги.

Важно отметить, что разработанные нанокерамики планируется использовать также при изготовлении пар трения в супермаховичных накопителях энергии, которые позволяют обеспечить эффективное решение задач энергосбережения для ряда отраслей отечественной промышленности.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов.

Стадия готовности к практическому использованию

Изготовлена опытная серия образцов, которые переданы для проведения эксплуатационных испытаний в ЗАО «ОКБ – Нижний Новгород» (структурное подразделение ОАО «ТВЭЛ», входящего в ОАО «Росатом»)

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Нохрин А.В., Москвичева А.В., Болдин М.С., Котков Д.Н.

Публикации:

 

 

 

 

 

 

5.

Наименование результата:

Экспериментально обнаружен эффект увеличения интенсивности электролюминесценции (IEL) на длине волны 1,5 мкм при введении акцепторной примеси (B, Al, Ga) в слой n-Si:Er структуры p+‑Si/n‑Si:Er/n+-Si, выращенной методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ).

Наибольшее увеличение IEL в 1,5 раза превышает достигнутое ранее значение в туннельно-пролетных структурах в режиме пробоя обратно смещенного p/n–перехода и соответствует уровню компенсации донорной примеси, близкому к максимальному.

Обнаружено также наличие максимума в токовой зависимости IEL. Замечено, что данная особенность имеет место как в режиме постоянного тока, так и в режиме импульсного смещения. При этом значение IEL имеет максимум в зависимости от длительности импульса. Расчетным путем показано, что максимум IEL имеет место при одной и той же температуре p/n–перехода для всех рассмотренных структур и режимов смещения.

Правовая защита: Объект авторского права

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Корнаухов А.В., Кузнецов В.П., Алябина Н.А., Боженкин В.А., Марычев М.О., Щипкова Л.Т.

Публикации:

1. Кузнецов В.П., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Кудрявцев К.Е., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1,5мкм в диодных структурах Si:Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B. // ФТП, 2010, т.44, в.12, с.1645.

 

6.

Наименование результата:

Предложена новая физическая модель процесса электролюминесценции (ЭЛ) на длине волны 1,5 мкм в выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) p+-Si/n-Si:Er/n+-Si – структурах в режиме пробоя p/n–перехода при обратном смещении. Модель предполагает, что электролюминесценция обусловлена излучательными переходами в 4f-оболочке ионов Er3+, возбуждаемыми в результате передачи им энергии, освобождаемой при безызлучательном переходе электронов с уровней глубоких доноров центров Er на уровни мелких акцепторов в области пространственного заряда p/n–перехода. Предполагается, что деионизация глубоких доноров и мелких акцепторов основана на туннелировании электронов в сильном поле p/n–перехода из V зоны p+-слоя, а также с уровней мелких акцепторов на глубокие донорные состояния. Отмечено, что предлагаемая модель находится в качественном согласии с совокупностью основных результатов экспериментальных исследований электрофизических и оптоэлектронных характеристик рассматриваемых объектов.

В отличие от применяемой в настоящее время модели ударного возбуждения ЭЛ предлагаемая модель позволяет объяснить изменение интенсивности ЭЛ от температуры, от концентрации ионизованных доноров в n-Si:Er слое, а также от толщины слаболегированного n-слоя в плоскости p/n–перехода известными закономерностями процесса туннелирования без привлечения дополнительных предположений об уменьшении длины свободного пробега электронов в С-зоне с уменьшением температуры, а также развития неоднородности пробоя по площади p/n–перехода при снижении концентрации ионизованных доноров.

Правовая защита: Объект авторского права.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Корнаухов А.В., Филатов Д.О., Ежевский А.А.

Публикации:

1. Филатов Д.O., Зимовец И.А., Исаков M.A., Кузнецов В.П., Корнаухов A.В. О механизме электролюминесценции Er примесных комплексов в p+-Si/n-Si:(Er,B) диодах при обратном смещении. // «Научная сессия НИЯУ МИФИ – 2011», Аннот.докл., т2, С.69.

2. Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p/n переходом в режиме пробоя при обратном смещении, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. // ФТП, 2011, том 45, вып. 1, с.87-92.

 

7.

Наименование результата:

Обнаружена зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе p-n структур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа, от условий формирования островков.

Установлено, что понижение температуры осаждения Ge от 700 0С до 600 0С приводит к сдвигу красной границы рабочего спектрального диапазона указанных фотодиодов от 1.45 мкм до 1.9 мкм и к увеличению примерно в 10 раз фотоотклика на длине волны 1,55 мкм, что связано с увеличением доли Ge в твёрдом растворе GeSi и с увеличением поверхностной плотности островков.

Правовая защита: Объект авторского права.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Шенгуров В.Г., Корнаухов А.В., Филатов Д.О., А.П.Горшков, Н.А.Алябина.

Публикации:

1. Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров Д.В. Установка и вакуумный метод эпитаксиального выращивания многослойных структур, содержащих слои  Si, Ge и SiGe. // Вакуумная техника и технология. 2011. – Т.21, №1. – С.45-48.

 

 

 

8.

Наименование результата:

Предложена методика определения энергии ионизации глубоких центров, связанных с примесью Er в Si, методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии (БЭЭС).

Метод БЭЭС был впервые применён для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В БЭЭС спектрах меза-диодов на основе p+n+ Si структур с тонким (~ 30 нм) поверхностным слоем p+‑Si:Er в области энергий баллистических электронов еVt, меньших энергии края зоны проводимости Ec в слое p+-Si:Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое p+-Si:Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к p+n+ переходу и/или прямым туннелированием в последний. Определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si Еd~Ес–0,27 эВ.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Филатов Д.О., Корнаухов А.В., Кузнецов В.П.

Публикации:

1. Филатов Д.O., Зимовец И.А., Исаков M.A., Кузнецов В.П., Корнаухов A.В. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии. // ФТП, 2011, т. 45, с.1153-1158.

 

9.

Наименование результата:

Обнаружен эффект аномально слабого гашения фотолюминесценции нанокристаллов (НК) кремния, сформированных в многослойных структурах, при облучении ионами золота.

Фотолюминесценция нанокристаллов кремния обычно крайне чувствительна к радиационным дефектам. Образование даже единичного точечного дефекта в НК или на его границе с матрицей приводит к сильной деградации люминесцентных свойств. Обнаруженный эффект заключается в том, что при облучении ионами золота многослойных нанопериодических структур SiOx/SiO2/SiOx …, в которых НК Si сформированы термическим распадом слоев SiOx, наблюдается аномально слабое гашение люминесценции НК Si даже при дозах, создающих до ~103 смещений на атом. Такая высокая радиационная стойкость присуща только многослойным структурам: при облучении однослойной системы SiO2 с НК Si фотолюминесценция НК Si гаснет уже при сравнительно малых дозах. Данный эффект важен при формировании смешанных ансамблей НК Si и нанокластеров Au для создания устройств нанофотоники и плазмоники, использующих взаимодействие плазмонов и квантовых точек в диэлектрических матрицах. О новизне полученного результата свидетельствует отсутствие сообщений аналогичного характера в мировой литературе.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

Авторы:

Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Чугров И.А., Дудин Ю.А.

Публикации:

  1. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния / А.Н. Михайлов, А.Б. Костюк, Д.С. Королев, И.Ю. Жаворонков, И.А. Чугров, А.И. Белов, В.А. Бурдов, А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум // Известия Академии наук. Серия физическая. – 2012. – №2. – В печати.
  2. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния / А.Н. Михайлов А.Б. Костюк, Д.С. Королев, И.Ю. Жаворонков,  И.А. Чугров, А.И. Белов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, В.А. Бурдов, А.В. Ершов, Ю.А. Дудин, Д.И. Тетельбаум // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.438-439.

 

 

10.

Наименование результата:

Впервые методом лазерного распыления мишеней Mn и GaSb или Sb в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs (100) были получены ферромагнитные кристаллические полупроводниковые слои GaMnSb и полуметаллические слои MnSb, которые могут быть использованы в качестве инжекторов спин-ориентированных носителей тока в приборах спинтроники. Слои GaMnSb и MnSb толщиной порядка 100 нм были получены при низких температурах (< 400°С) поочередным лазерным распылением мишеней Mn и GaSb или Sb в потоке водорода. Зависимости сопротивления Холла от магнитного поля для данных слоев имеют нелинейный вид с петлей гистерезиса вплоть до  комнатной температуры. Преимуществом разработанного метода получения слоев GaMnSb и MnSb по сравнению с обычно используемым методом молекулярно-лучевой эпитаксии  является дешевизна оборудования  и более высокая производительность процесса. Другое преимущество представляет собой  сохранение ферромагнитных свойств материалов слоев GaMnSb и MnSb, согласно гальваномагнитным исследованиям, вплоть до комнатной температуры.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Индустрия наносистем и материалов

 

Стадия готовности к практическому использованию

Апробирован метод получения ферромагнитных кристаллических полупроводниковых слоев GaMnSb и полуметаллических слоев MnSb. Исследованы их кристаллическая структура, состав, магнитооптические и гальваномагнитные свойства.

Авторы:

Б.Н. Звонков, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, О.В. Вихрова, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников

Публикации:

 


11.

Наименование результата:

Получена и исследована двухчастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров – межзонном двухкаскадном лазере с туннельным p-n переходом, разделяющим две активные области квантовых ям, расположенные в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера обеспечила одновременную генерацию моды первого порядка с длиной волны 1.086 мкм и моды второго порядка с длиной волны 0.96 мкм в непрерывном режиме. Наблюдение генерации суммарной частоты дает экспериментальное доказательство взаимодействия мод. Аналогов нет. Полученные гетеронаноструктуры предназначены для создания источников когерентного излучения среднего и дальнего ИК-диапазона, которые могут применяться в системах оптической связи и телекоммуникаций.

 

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

 

Стадия готовности к практическому использованию

Разработан лабораторный  образец

 

Авторы:

Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин

 

Публикации:

 

 

12.

Наименование результата:

Разработан комплекс аппаратуры для контроля функционирования и диагностики бортовых систем космических аппаратов.

Указанный комплекс обладает следующими возможностями: генерация большого числа стимулирующих воздействий (сигналов) на объект контроля и одновременная регистрация многочисленных (до нескольких сотен) показателей работы испытываемого объекта, их обработка, представление и протоколирование в условиях жестких эксплуатационных требований: длительный срок эксплуатации (не менее 10 лет), массогабаритные ограничения, электромагнитная совместимость, жесткие климатические и транспортные требования.

Область применения: авиационные и космические технологии, многоканальные системы сбора и обработки информации о сложных технических объектах.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы.

Транспортные, авиационные и космические системы.

Стадия готовности к практическому использованию

Разработана конструкторская документация, программное обеспечение, эксплуатационная документация, опытный образец.

Авторы:

Фидельман В.Р., Минеев С.А.

Публикации:

 

 


13.

Наименование результата:

Разработана методика эпитаксиального выращивания слоев GaAs приборного качества на Si-подложках с буферным слоем Ge. Такие слои могут применяться для создания светоизлучающих приборов и лазерных структур на основе GaAs, выращенных на дешевых подложках Si большой площади, а также для интеграции оптических схем на основе A3B5 с интегральными схемами на основе кремния.

На подложках Si(100) и (111) выращивали буферный слой Ge в установке молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (300-400 ºC) методом «горячей проволоки» в атмосфере германа (GeH4). Толщина слоев составляла 0,2-0,5 мкм. Шероховатость поверхности слоя Ge при исследовании на атомно-силовом микроскопе составляла RMS = 0.56 нм на скане размером 10×10 мкм2. По данным рентгеновской дифракции слои характеризовались достаточно высоким структурным совершенством: ширина интенсивности на половине его максимума составляла FWHM=0,24º. Методом МОС-гидридной эпитаксии на буферном слое Ge выращивали гетероструктуры, состоящие из слоев GaAs и InGaAs в виде квантовых ям. Слои имели структуру мозаичного кристалла с разориентацией блоков мозаики: для GaAs(400) FWHM = 0.0075º и InGaAs FWHM = 0.1º. Спектры фотолюминесценции данных структур сравнимы со спектрами структур, выращенных на подложках GaAs, а по интенсивности несколько ниже, что, вероятно, связано с дефектами на границе со слоем германия.

Преимуществом данной методики является использование при росте постоянной низкой температуры в отличие от известных методов, где первый слой малой толщины растят при низкой температуре, а основную часть слоя – при повышенной (~600 ºC). Выбранный нами температурный режим позволяет минимизировать механические напряжения в слое Ge и тем самым снизить плотность дефектов.

Планируется подать заявку на изобретение.

Приоритетное направление развития науки, технологий и техники в РФ:

Информационно-телекоммуникационные системы

Авторы:

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Звонков Б.Н., Вихрова О.В.

Публикации: