Коллектив молодых ученых под руководством д.ф.-м.н. Дорохина М.В. стал победителем конкурса РФФИ ("Стабильность")

Читать далее
03.12.2019

Объявление о семинаре М.А. Моховикова (Белорусский государственный университет)

Читать далее
25.11.2019

Молодые ученые НИФТИ ННГУ стали лауреатами Стипендий им. академика Г.А. Разуваева на 2019/2020 учебный год!

Читать далее
22.11.2019

РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов

Читать далее
14.11.2019

2009

1.

Наименование результата:

Разработана уникальная технология изготовления квантово-размерных светоизлучающих структур на основе арсенида галлия для оптической и спиновой электроники. Технология сочетает методы МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления в одном реакторе. Существенным образом расширены возможности легирования структур, во время их выращивания, примесями, которые в обычной технологии эпитаксии из металл-органических соединений не могут быть введены.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Технология используется при мелкосерийном выпуске лазерных диодов инфракрасного диапазона.

Автор:

Звонков Б.Н.

Публикации:

 

 

2.

Наименование результата:

Изучены физические основы процесса электролюминесценции (ЭЛ) на длине волны 1,5 мкм в полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) Si/Si:Er/Si структурах с p-n переходом в режиме пробоя при обратном смещении.

Предложенная модель существенно меняет представление о физике процессов, ответственных за природу электролюминесценции в указанных Si/Si:Er/Si структурах.

Для диодных Si/Si:Er/Si структур с p+/n(Si:Er) переходом, выращенных методом СМЛЭ, впервые установлено, что для возбуждения ЭЛ на длине волны 1,5 мкм в режиме пробоя p-n перехода при обратном смещении необходимо выполнение следующих условий. Наличие туннелирования электронов из V-зоны р+-слоя на глубокие ионизованные донорные состояния, образованные центрами Er в n- Si:Er-слое. Наличие в обратном токе составляющей достаточной величины, обусловленной переходами электронов по указанным состояниям в запрещенной зоне Si. При этом роль электрического поля в структуре сводится к регулированию соотношения между потоками электронов в С-зоне и примесной зоне.

В отличии от применяемой в настоящее время модели ударного возбуждения ЭЛ в рассматриваемых объектах предлагаемая модель позволяет объяснить основные экспериментально установленные закономерности и характеристики исследуемых структур с единых позиций, а именно степенью выполнения указанных условий ЭЛ.

 

Авторы:

Корнаухов А.В., Кузнецов В.П., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г.

Публикации:

 

 

3.

Наименование результата:

Методами высокоэнергетической механоактивации и электроимпульсного плазменного спекания  получены новые нанодисперсные (средний размер зерна 100-500 нм) вольфрамовые псевдосплавы системы W-Ni-Fe (плотность не менее 18.1 г/см3) с уникально высокими механическими свойствами: предел макроупругости – не менее 1500 МПа, предел текучести – не менее 2000 МПа, пластичность при испытаниях на сжатие – не менее 10%.

Разработанные материалы по своим механическим свойствам в 3-4 раза превосходят аналогичные показатели для традиционных крупнозернистых сплавов.

Разработанные псевдосплавы могут использоваться при изготовлении контейнеров биологической защиты, в устройствах для утилизации ядерных отходов, устройств для защиты от радиоактивного и рентгеновского излучений, элементов и конструкций со специальными свойствами, элементов роторов гироскопов летательных аппаратов и других объектов специального и двойного назначения.

Правовая защита:

«Способ улучшения механических свойств порошковых изделий из тяжелых сплавов на основе вольфрама и порошковое изделие с механическими свойствами, улучшенными этим способом». (Заявка на патент №2009128287 от 21.07.2009 г.)

 

Стадия готовности к практическому использованию:

Изготовлен опытный образец

 

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Нохрин А.В., Москвичева А.В., Лопатин Ю.Г., Баранов Г.В.

 

Публикации: