Поздравляем студентов и аспирантов с успешным выступлением на XXVI Нижегородской сессии молодых ученых!

Читать далее
02.06.2021

Семинар Яковлевой Е.А. (ЦНИИ КМ Прометей) по материалам кандидатской диссертации (18.05.2021 г.)

Читать далее
17.05.2021

Опубликованы результаты исследований уникального полупроводника, выполненные коллективом НИФТИ ННГУ совместно с зарубежными партнерами

Читать далее
07.04.2021

Поздравляем победителей конкурса РНФ!

Читать далее
31.03.2021

2009

1.

Наименование результата:

Разработана уникальная технология изготовления квантово-размерных светоизлучающих структур на основе арсенида галлия для оптической и спиновой электроники. Технология сочетает методы МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления в одном реакторе. Существенным образом расширены возможности легирования структур, во время их выращивания, примесями, которые в обычной технологии эпитаксии из металл-органических соединений не могут быть введены.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Технология используется при мелкосерийном выпуске лазерных диодов инфракрасного диапазона.

Автор:

Звонков Б.Н.

Публикации:

 

 

2.

Наименование результата:

Изучены физические основы процесса электролюминесценции (ЭЛ) на длине волны 1,5 мкм в полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) Si/Si:Er/Si структурах с p-n переходом в режиме пробоя при обратном смещении.

Предложенная модель существенно меняет представление о физике процессов, ответственных за природу электролюминесценции в указанных Si/Si:Er/Si структурах.

Для диодных Si/Si:Er/Si структур с p+/n(Si:Er) переходом, выращенных методом СМЛЭ, впервые установлено, что для возбуждения ЭЛ на длине волны 1,5 мкм в режиме пробоя p-n перехода при обратном смещении необходимо выполнение следующих условий. Наличие туннелирования электронов из V-зоны р+-слоя на глубокие ионизованные донорные состояния, образованные центрами Er в n- Si:Er-слое. Наличие в обратном токе составляющей достаточной величины, обусловленной переходами электронов по указанным состояниям в запрещенной зоне Si. При этом роль электрического поля в структуре сводится к регулированию соотношения между потоками электронов в С-зоне и примесной зоне.

В отличии от применяемой в настоящее время модели ударного возбуждения ЭЛ в рассматриваемых объектах предлагаемая модель позволяет объяснить основные экспериментально установленные закономерности и характеристики исследуемых структур с единых позиций, а именно степенью выполнения указанных условий ЭЛ.

 

Авторы:

Корнаухов А.В., Кузнецов В.П., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г.

Публикации:

 

 

3.

Наименование результата:

Методами высокоэнергетической механоактивации и электроимпульсного плазменного спекания  получены новые нанодисперсные (средний размер зерна 100-500 нм) вольфрамовые псевдосплавы системы W-Ni-Fe (плотность не менее 18.1 г/см3) с уникально высокими механическими свойствами: предел макроупругости – не менее 1500 МПа, предел текучести – не менее 2000 МПа, пластичность при испытаниях на сжатие – не менее 10%.

Разработанные материалы по своим механическим свойствам в 3-4 раза превосходят аналогичные показатели для традиционных крупнозернистых сплавов.

Разработанные псевдосплавы могут использоваться при изготовлении контейнеров биологической защиты, в устройствах для утилизации ядерных отходов, устройств для защиты от радиоактивного и рентгеновского излучений, элементов и конструкций со специальными свойствами, элементов роторов гироскопов летательных аппаратов и других объектов специального и двойного назначения.

Правовая защита:

«Способ улучшения механических свойств порошковых изделий из тяжелых сплавов на основе вольфрама и порошковое изделие с механическими свойствами, улучшенными этим способом». (Заявка на патент №2009128287 от 21.07.2009 г.)

 

Стадия готовности к практическому использованию:

Изготовлен опытный образец

 

Авторы:

Чувильдеев В.Н., Нохрин А.В., Москвичева А.В., Лопатин Ю.Г., Баранов Г.В.

 

Публикации: