Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
16.11.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2014-2016 гг. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

 

Читать далее
16.11.2016

17 июня 2016 г. (пятница) в 16:20 в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится расширенный семинар отдела «Физики металлов» НИФТИ ННГУ и кафедры физического материаловедения ННГУ по материалам диссертации Малова В.С. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Приглашаются все желающие!

Читать далее
16.06.2016

Обновлены сведения о ходе выполнения проектов в 2015 г. в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»

Читать далее
26.04.2016

2008

1.

Наименование результата:

Разработана лабораторная технология формирования спиновых светоизлучающих GaAs структур. Лабораторная технология представляет собой комбинацию метода МОС-гидридной эпитаксии для выращивания (при температуре 600ºС) слоев GaAs и квантовой ямы InGaAs и метода лазерного распыления твердотельных мишеней для выращивания при пониженных температурах (400ºС) дельта-слоя Mn (до 0.3 монослоя) и покровного слоя GaAs. Данная технология может использоваться для изготовления приборных структур спинтроники.

Преимуществом новой технологии перед известными аналогами является низкая стоимость оборудования и более высокая производительность по сравнению с методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Принцип лабораторной технологии докладывался на международных и всероссийских конференциях и симпозиумах, опубликован в научной периодической печати; изготовлена опытная серия светоизлучающих структур.

Авторы:

Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин

Публикации:

 

 

 

 

 

2.

Наименование результата:

Получен новый микрокристаллический (МК) сплав Al - 20 вес.% Si - 5 вес.% Fe - 2 вес.% Ni (далее "Al-20%Si") с использованием технологии равноканального углового прессования (РКУП). МК сплав имеет однородную микроструктуру, средний размер частиц кремния составляет 2 мкм. Обнаружен эффект высокоскоростной сверхпластичности микрокристаллического сплава Al - 20%Si. При температуре деформации 540 °С в широком диапазоне скоростей деформации (0,0002 ÷ 3) 1/с удлинение до разрушения составляет около 400 %, что является одним из лучших показателей пластичности для известных поршневых алюминиевых сплавов.

 Обнаружен эффект одновременного повышения пластичности и прочности МК сплава Al-20%Si при комнатной температуре. Показано, что удлинение до разрыва образцов МК сплава Al-20%Si составило 12 %, что в 5 раз выше аналогичных значений, получаемых на крупнокристаллических образцах отечественных и зарубежных литых сплавов Al - 18-21%Si (типа АК18, АК21, АЛ26, A390, Mahle 138 и др). Показано, что значительное увеличение пластичности сплава Al-20%Si после РКУП обработки сопровождается увеличением прочности: при комнатной температуре предел прочности в МК образцах составляет 375 МПа против 300 МПа в исходном крупнокристаллическом сплаве.

Микрокристаллические высокопрочные силумины предназначены для производства поршней двигателей внутреннего сгорания по технологии высокоскоростной сверхпластической штамповки. Указанные материалы могут применяться в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Получены и исследованы опытные образцы сплавов.

Авторы:

Чувильдеев В. Н., Грязнов М. Ю., Сысоев А. Н., Копылов В. И.

Публикации:

 

 

3.

Наименование результата:

Разработана методика исследования электронных свойств МДП-структур на основе сверхтонких диэлектрических плёнок методом баллистической электронной эмиссионной микроскопии (БЭЭМ). Методика реализована на базе сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) «Солвер Про» (производства компании «Нанотехнология-МДТ» (Россия). Позволяет определять высоту энергетических барьеров в МДП структурах, энергетический спектр дефектов в диэлектрических слоях, а также исследовать однородность толщины диэлектрических слоёв и энергетических параметров МДП-структур по площади образца в нанометровом масштабе размеров.

Основные технические характеристики:

- толщина слоя диэлектрика - < 5 нм,

- максимальное пространственное разрешение – 1 нм;

- спектральный диапазон - ±10 эВ относительно уровня Ферми в полупроводнике;

- спектральное разрешение – 0,1 эВ.

Измерения проводятся в атмосферных условиях.

Преимущества:

1. Непосредственное определение высоты энергетических барьеров в МОП структурах методом спектроскопии баллистических электронов;

2. Локальность измерения, возможность определения однородности диэлектрических слоёв в МДП структурах с нанометровым пространственным разрешением.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Стадия готовности к практическому использованию:

Методика апробирована в процессе исследований МДП структур (Au, Pt, Ni0,25Si0,75)/HfO2/SiO2/Si.

Авторы:

Филатов Д.О., Исаков М.А., Лапшина М.А.

Публикации: