18 октября состоится семинар "Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы" (докладчик - Ерохин В.В., Курчатовский комплекс НБИКС-технологий)

Читать далее
16.10.2018

2 октября 2018 г., в 14 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ, состоится семинар "Перспективные полимеры и их применение" (докладчик - д.х.н., проф. Хаширова С.Ю.).

Читать далее
01.10.2018

20 сентября 2018 г. состоится семинар производителя рентгеновских анализаторов PULSTEC INDUSTRIAL на тему "Рентгеновский контроль остаточных напряжений методом cosα"

Читать далее
18.09.2018

Коллектив НИФТИ ННГУ поздравляет Чувильдеева Владимира Николаевича с юбилеем!

Читать далее
04.09.2018

24 августа 2018 г., в 13 часов, в конференц-зале НИФТИ ННГУ состоится семинар Ю.В. Благовещенского, посвященный технологии плазмохимического синтеза нанопорошков.

Читать далее
23.08.2018

2008

1.

Наименование результата:

Разработана лабораторная технология формирования спиновых светоизлучающих GaAs структур. Лабораторная технология представляет собой комбинацию метода МОС-гидридной эпитаксии для выращивания (при температуре 600ºС) слоев GaAs и квантовой ямы InGaAs и метода лазерного распыления твердотельных мишеней для выращивания при пониженных температурах (400ºС) дельта-слоя Mn (до 0.3 монослоя) и покровного слоя GaAs. Данная технология может использоваться для изготовления приборных структур спинтроники.

Преимуществом новой технологии перед известными аналогами является низкая стоимость оборудования и более высокая производительность по сравнению с методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Принцип лабораторной технологии докладывался на международных и всероссийских конференциях и симпозиумах, опубликован в научной периодической печати; изготовлена опытная серия светоизлучающих структур.

Авторы:

Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин

Публикации:

 

 

 

 

 

2.

Наименование результата:

Получен новый микрокристаллический (МК) сплав Al - 20 вес.% Si - 5 вес.% Fe - 2 вес.% Ni (далее "Al-20%Si") с использованием технологии равноканального углового прессования (РКУП). МК сплав имеет однородную микроструктуру, средний размер частиц кремния составляет 2 мкм. Обнаружен эффект высокоскоростной сверхпластичности микрокристаллического сплава Al - 20%Si. При температуре деформации 540 °С в широком диапазоне скоростей деформации (0,0002 ÷ 3) 1/с удлинение до разрушения составляет около 400 %, что является одним из лучших показателей пластичности для известных поршневых алюминиевых сплавов.

 Обнаружен эффект одновременного повышения пластичности и прочности МК сплава Al-20%Si при комнатной температуре. Показано, что удлинение до разрыва образцов МК сплава Al-20%Si составило 12 %, что в 5 раз выше аналогичных значений, получаемых на крупнокристаллических образцах отечественных и зарубежных литых сплавов Al - 18-21%Si (типа АК18, АК21, АЛ26, A390, Mahle 138 и др). Показано, что значительное увеличение пластичности сплава Al-20%Si после РКУП обработки сопровождается увеличением прочности: при комнатной температуре предел прочности в МК образцах составляет 375 МПа против 300 МПа в исходном крупнокристаллическом сплаве.

Микрокристаллические высокопрочные силумины предназначены для производства поршней двигателей внутреннего сгорания по технологии высокоскоростной сверхпластической штамповки. Указанные материалы могут применяться в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Стадия готовности к практическому использованию

Получены и исследованы опытные образцы сплавов.

Авторы:

Чувильдеев В. Н., Грязнов М. Ю., Сысоев А. Н., Копылов В. И.

Публикации:

 

 

3.

Наименование результата:

Разработана методика исследования электронных свойств МДП-структур на основе сверхтонких диэлектрических плёнок методом баллистической электронной эмиссионной микроскопии (БЭЭМ). Методика реализована на базе сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) «Солвер Про» (производства компании «Нанотехнология-МДТ» (Россия). Позволяет определять высоту энергетических барьеров в МДП структурах, энергетический спектр дефектов в диэлектрических слоях, а также исследовать однородность толщины диэлектрических слоёв и энергетических параметров МДП-структур по площади образца в нанометровом масштабе размеров.

Основные технические характеристики:

- толщина слоя диэлектрика - < 5 нм,

- максимальное пространственное разрешение – 1 нм;

- спектральный диапазон - ±10 эВ относительно уровня Ферми в полупроводнике;

- спектральное разрешение – 0,1 эВ.

Измерения проводятся в атмосферных условиях.

Преимущества:

1. Непосредственное определение высоты энергетических барьеров в МОП структурах методом спектроскопии баллистических электронов;

2. Локальность измерения, возможность определения однородности диэлектрических слоёв в МДП структурах с нанометровым пространственным разрешением.

Правовая защита: Ноу-хау.

 

Стадия готовности к практическому использованию:

Методика апробирована в процессе исследований МДП структур (Au, Pt, Ni0,25Si0,75)/HfO2/SiO2/Si.

Авторы:

Филатов Д.О., Исаков М.А., Лапшина М.А.

Публикации: