Учёные НИФТИ ННГУ впервые реализовали оптимизированный вариант мемристивной структуры

 Пресс-релиз на сайте Университета Лобачевского, посвященный результатам работы сотрудников лаборатории №2.1 НИФТИ ННГУ в рамках гранта Российского научного фонда №16-19-00144 в НИФТИ ННГУ, которые реализовали новый вариант мемристивной структуры «металл-оксид-металл», перспективный для использования в запоминающих устройствах RRAM (Resistive Random Access Memory) и новых вычислительных системах, в том числе нейроморфных.

Статья по результатам работы опубликована в журнале Advanced Materials Technologies из престижной серии издательства Wiley (Q1 по базе данных JCR 2018): Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching / A. Mikhaylov, A. Belov, D. Korolev, I. Antonov, V. Kotomina, A. Kotina, E. Gryaznov, A. Sharapov, M. Koryazhkina, R. Kryukov, S. Zubkov, A. Sushkov, D. Pavlov, S. Tikhov, O. Morozov, D. Tetelbaum // Advanced Materials Technologies. – 2020. – Vol.5. – P.1900607. DOI: 10.1002/admt.201900607 (импакт-фактор IF = 5.395).