Дано популярное изложение физики ионной имплантации, её применений как универсального метода в сфере микро-, опто- и наноэлектроники. Изложение материала увязано с обоснованием необходимости нового революционного скачка в развитии полупроводниковой электроники. Цель статьи состоит в том, чтобы стимулировать интерес школьников к данному направлению, а также вооружить учителей необходимыми в преподавании физики знаниями в рассматриваемой области науки и техники.
Сводные данные о результатах СОУТ и перечень мероприятий по улучшению условий труда
Парк науки ННГУ "Лобачевский Lab" приглашает всех на научно-популярный фестиваль "Холодный Weekend" (23-24 января 2021 г.)
Поздравляем аспирантов и молодых ученых с получением Стипендий Президента РФ!
Поздравляем аспирантов с Разуваевскими стипендиями!
Поздравляем молодых кандидатов наук с грантами Президента РФ!
Научно-популярная статья для школьников и школьных учителей «Ионная имплантация и революция в микроэлектронике»
Имя файла: nauchno-populyarnaya_stat_ya.pdf
Размер файла: 387.02 Kb
Если закачивание файла не начнется через 10 сек, кликните по этой ссылке