Дано популярное изложение физики ионной имплантации, её применений как универсального метода в сфере микро-, опто- и наноэлектроники. Изложение материала увязано с обоснованием необходимости нового революционного скачка в развитии полупроводниковой электроники. Цель статьи состоит в том, чтобы стимулировать интерес школьников к данному направлению, а также вооружить учителей необходимыми в преподавании физики знаниями в рассматриваемой области науки и техники.
РФФИ поддержал международный проект под руководством проф. Тетельбаума Д.И. в области перспективных полупроводниковых материалов
Разработки НИФТИ ННГУ были представлены на Международном форуме "Открытые инновации" в Сколково
Университет Лобачевского впервые вошел в международный рейтинг Times Higher Education Subject Rankings 2020 года по направлению "Инженерные науки и технологии"
Заведующий лабораторией Михайлов А.Н. принял участие в международном форуме "Микроэлектроника 2019"
Поздравляем инженеров отдела №5 НИФТИ ННГУ с победой в конкурсе на получение Стипендий Президента РФ и Правительства РФ на 2019/2020 учебный год!
Научно-популярная статья для школьников и школьных учителей «Ионная имплантация и революция в микроэлектронике»
Имя файла: nauchno-populyarnaya_stat_ya.pdf
Размер файла: 387.02 Kb
Если закачивание файла не начнется через 10 сек, кликните по этой ссылке